Патент ссср 410270
О те т:.:о-.я;.;::;.ческая
ИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
4® 0270
Союз Советских
Социалистических
Республик
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Зависимое от авт. свидетельства №
М. Кл. G 011 9/06
Заявлено 11Л .1972 (№ 1783495/18-10) с присоединением заявки №
Приоритет
Опубликовано 05.1.1974. Бюллетень № 1
Дата опубликования описания 6Х.1974
Гасударственный камитет
Совета Министров СССР аа делам изааретений и аткрытий
УДК 531.787.91(088.8) Авторы изобретения
В. P Варданян, В. Х. Оганесян и А. Г. Манукян
Ереванский политехнический институт им. К. Маркса
Заявитель
ДАТЧИК ДАВЛЕНИЯ
Изобретение относится к полупроводниковой технике, в частности к полупроводниковым датчикам давления.
Известно, что для измерения механических усилий применяются тензодатчики давления из различных полупроводников, как Ge, $1, PbS, AgS и т. д. Количественной мерой оценки действия тензодатчиков является коэффициент тензочувствительности.
В поликристаллических полупроводниках, например в сульфиде свинца (PbS>), механизм тензоэффекта связан с уменьшением потенциального барьера на границе между зернами вещества под действием давления. Он обладает коэффициентом тензочувствительности
К=1000, а в остальных известных поликристаллических полупроводниках и того меньше.
Порог чувствительности тензоэффекта сульфида свинца имеет величину, примерно равную 20 кг/см, и недостаточен для измерения малых давлений.
Предлагаемый датчик давления из полупроводникового дисульфида молибдена (MoS2) имеет ряд преимуществ, основанных на обнаруженном тензочувствительном свойстве днсульфида молибдена.
На фиг. 1 дана зависимость относительного изменения сопротивления MoS2 от давления (порог чувствительности в данных образцах равен около 2 кг/см ); на фиг. 2 — зависимость относительного изменения сопротивления от относительного изменения размера тензодатчика. Определенный коэффициент тензо10 чувствительности имеет значение близкое к
2000.
Технология получения образцов MoS дисульфида молибдена аналогично получению прессованных образцов из порошкового суль15 фида свинца.
Предмет изобретения
Датчик давления, содержащий чувствительный элемент из полупроводникового материа20 ла на основе сульфпдов, отличающийся тем, что, с целью понижения порога чувствительности и повышения коэффициента тензочувствительности, чувствительный элемент изготовлен из дисульфида молибдена (MoS>).
410270
3R «1О Ро ф Ъ 2
Фиг 1
4,У
19 1Я5 20 2,Ж 2,1 2,15 22 2,25 2,5
Фиг.2
Составитель Г. Невская
Редактор О, Филиппова
Техред 3, Тараненко Корректор Т. Хворова
Заказ 1037/8 Изд. № 362 Тираж 760 Подписное
ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий
Москва, 5К-35, Раушская наб., д. 4/5
Типография, пр. Сапунова, 2 — «10
8Р
Ь ф — xyg
dl
<о

