Способ совмещения рисунка фотошаблона с рисунком полупроводниковой пластины
Союз Советских
Социалистических
Республик
П ИСАНИЕ 3
ИЗОБРЕТЕН ИЯ
К ПАТЕНТУ
Зависимый от патента ¹â€”
Заявлено 03.1V.1970 (№ 1421267/26-25)
Приоритет 05Х.19б9, № ЖР 21g/139б01, ГДР
Опубликовано 17.1Х.1973. Бюллетень № 37
Дата опубликования описания 15.П.1974.Ч. Кл. Н Oll 7/64
Государственный комитет
Совета Министров СССРпо делам изобретений и открытий
УДК 621.328.001.3 (088.8) Авторы изобретения
Иностранцы
Курт Кох, Герхарт Дорнхайм и Пауль Зауэрбрай (Германская Демократическая Республика) Иностранное предприятие
«Феб Злектромат» (Германская Демократическая Республика) Заявитель
СПОСОБ СОВМЕЩЕНИЯ РИСУНКА ФОТОШАБЛОНА
С РИСУНКОМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОИ ПЛАСТИНЫ
Изобретение относится к технологии производства полупроводниковых приборов.
Известны способы совмещения рисунков фотошаблона и полупроводниковой, пластины, при которых полупроводниковая пластина выставляется параллельно фотошаблону в результате прижима ее к фотошаблону и псследующей фиксации B этом положении. Затем пластина опускается на требуемое расстояние, причем сохраняется ее параллельность фотошаблону.
B этом положении рисунок полупроводниковой пластины совмещают с рисунком фотошаблона, после чего пластину для контактной засветки фоторезиста на ее поверхности "I:îâà прижимают к фотошаблону.
Недостатком известных способов является износ фотошаблона, представляющего собой фотопластинку, темные,и светлые участки эмульсии которой обеспечивают требуемый рисунок. Наибольшие повреждения дорого стоящего фотошаблона происходят при при жиме к нему, полупроводниковой пластч:ы для обеспечения плоскопара7,7ельности. В результате возникающих при этом соковых смещений между пластиной и,фотошаолоном сти,рается эмульсия Ia фотошаблоне.
С целью уменьшения износа фотошаолона. согласно предложенному способу, полупроводниковую пластину прижимают к базовому выступу эталона, закрепля от ее в этом положении, после чего заменяют 3Taлон фотошаб лоном, при этом между нижней плоскостью фотошаблона и полупроводниковой пластиной
5 образуется зазор, равный высоте базового выступа эталона.
На фиг. 1 представлено устройство для совмещения,и экспонирования, общий вид; на фиг. 2 — устройство для совмещения, реали10 зующее предложенный способ; на фиг. 3, 4 показано положение элементов устройства для совмещения вмоменты установки полупроводниковой пластины по эталону и установки в рабочем положении фотошаблона.
15 Параллельность между полупроводпи овой пластиной 1 и фотошаблоном 2 обеспечивается юстировкой пластины относите.7ьно эталона 8. После поджн ла пластины к э-.ало ну ее закрепляют в этом положении, смещают
20 эталон, а на его место устанав,7ива ст фотошаблон. При этом фотошаслсn устанавливается параллельно над полупроводниковой пластичой на расстоянии и за счет наличия на эталоне базового выступа 4.
25 Данный способ может сыть реалнзсвan в обычной установке для совмещения и экспонирования (фиг. 1), содержащей микрос on 5 и устройство для экспонирования 6, которые попеременно устанавливаются над устройст30 вом 7 для закрепления фотошаолоIIa 2. В кор
ЗВВЫ7
Устройство для совмещения (фиг. 2, 3, 4), с помощью которого реализуют, предложенный способ, содержит каретку 10 для фотошаблона 2 и каретку 11 для эталона 3. Каретки 10 и 11 связаны между собой двумя плоскими пружинами 12 и могут передвигаться с помощью шариков 18, расположенных на общем столе 14, Шарики уложены в призматические канавки 15, выполненные в столе по обе стороны гнезда 9. По сторонам гнезда 9 предусмотрены также опоры 1б с каналами, по которым поступает сжатый воздух,для фиксации фотошаблона или эталона над гнездом 9. Установочные винты 17 служат для
Предмет -изобретения Р//2 2
O У!
ЙБЙ
7,7
Ю 9 ! Я
r) (7 Лйй
Раг Р
Составитель В. Гришин
Тсхрсд Л. Богданова
Коорсхтор Л. Орлова
Редактор Т, Орловская
Заказ 740/2452 Изд. № 982 Тираж 780 Подписное
ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий
Москва, Ж-З5, Раушская иаб., д. 4/5
Тип. Харьк. фпл. пред. «Патент» пусе 8 установки расположен координатный стол с гнездом 9 для закрепления полупроводниковой,пластины l. точной фиксации сменных фотошаблонов 2.
B середине стола 14 выполнен проем /8 для перемещения гнезда 9 с пластиной 1 по направлению к фотошаблону 2,или эталону 3.
Способ совмещения рисунка фотошаблона с рисунком полупроводниковой пластины при контактной фотолитографии, отличающийся тем, что, с целью уменьшения износа фотошаблона, полупроводниковую пластину прижимают к:базовому выступу эталона, закрепляют ее B этом положениями, после чего заме15 няют эталон фотошаблоном, при этом между нижней плоскостью фотошаблона и полупроводниковой пластиной образуется зазор, равный |высоте базового выступа эталона.
