Способ фотолитографической обработки поверхности пластин

Ц1.,, О П Й А -Н -И Е

ИЗОБ РЕТ ЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

333632

Союз Советски»

Социалистически»

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 29.VII.1964 (№ 914303/26-25) М. Кл. Н Oll 7/00

G 031 7/20 с присоединением заявки ¹

Приоритет

К0МНТ8Т по делам изобретений и открытий ори Совете Министров

СССР

УДК 621.315.592:778.4 (088.8) Опубликовано 21.lll.1972. Бюллетень № 11

Дата опубликования описания 26.IV.1972

Авторы изобретения

В. И. Захаров, 3. Ф. Конякииа и Б. В. Малин

Заявитель

СПОСОБ ФОТОЛИТОГРАФИЧЕСКОЙ ОБРАБОТКИ

ПОВЕРХНОСТИ ПЛАСТИН

1. Способ фотолитографической обработки поверхности пластин полупроводниковых ма5 териалов с использованием последовательных совмещений пластины с шаблонами, отличающийся тем, что, с целью предотвращения механических разрушений совмещаемых элементов, между последними пропускают инертный

10 газ, создавая зазор, регулируемый посредством изменения расхода газа с учетом его темпер атуры.

2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что

15 фиксацию шаблона на поверхности пластины в момент фотоэкспонирования производят созданием зоны разрежения между пластиной и шаблоном.

Известен способ фотолитографической обработки поверхности пластин полупроводниквых материалов с использованием последовательного совмещения с исходной полупроводниковой пластиной двух или более шаблонов путем механического метода.

При осуществлении этого способа не гарантируется сохранность состояния поверхностей совмещаемых элементов.

Предложенный способ отличается тем, что между фотошаблоном и пластиной полупроводника пропускают инертный газ, создавая в нужный момент аэродинамический зазор, регулируемый изменением расхода газа, с учетом его температуры, а фиксацию шаблона на поверхности полупроводника осуществляют посредством создания вакуума между пластиной и шаблоном.

Предмет изобретения