Магнитный зонд
ОПИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВйДЕТЕЛЬСТВУ
Союз Советских
Социалистических
Республик
Зависимое от авт. свидетельства X
М. Кл. G Olr 33/00
G 01« 3/08
Заявлено 25.XI.1971 (№ 1717440/26-25) с присоединением заявки №
Приоритет
Опубликовано 17.IX.1973. Бюллетень № 37
Дата опубликования описания 13.II.1974
Государственный комитет
Совета Министров СССР па делам изобретений и открытий
УДК 550.838(088.8) ВПТБ
Авторы изобретения
В. М. Плужников, А. И. Токарев и П. Г. Иванов . .- Ij)$ $. "„Щ Я! t
Московский ордена Трудового Красного Знамени инженернофизический институт
Заявитель
МАГНИТНЫЙ ЗОНД
Изобретение относится к магнитным измерениям и может найти пр именение для изучения пространственного распределения постоянных и переменных полей и измерения их вел и ч и и ы.
Известны устройства для определения «апряженности силового (электрического) поля.
Чувствительный элемент таких устройств представляет собой биморфную пьсзоэлектр«чеокую пластину, работающую на кручение.
Измеряемое напряжение подается на электроды, нанесенные на свобод н ые грани пьезоэлемента.
Однако указанные усвройства хара ктеризуются низкой чувствительностью и имеют сложную ко нструкцию.
В предлагаемом магнитном зонде для устранения этих недостатко в к од ной из граней сегнетоэлектрической пл а стивы, определяемой выбором среза, чувствительного,к механическим усилиям, прикреплен постоянный магнит.
На чертеже изображен чувствитсль«ый элемент предлагаемого устройства.
Магнитный зонд содержит .корпус 1 и держатель 2, на котором крепится (приклеивается) сегнетоэлекврический кристалл 3. Противо положные грани этого кристалла частично покрыты электродами 4, 5. К кристаллу крсгится постоянный магн ит 6.
В сегнетоэлектр иках, обладающих пьезоэффектом в параэлектрической фазе, на петлю диэлектрического гистерезиса влияет (а налогично электрическому полю E) определенным образом ориентированное механическое напряжение Х. К таким сегнетоэлектрикам относится, например, сегнетова соль. Если кристалл ориентирован, как указано на чертеже, сдвиговое механическое напряжение Хзз эквивалентно электрическому пол|о, приложенному вдоль сегнетоэлектрической оси «г и вызывает смещение петли г«стерсзиса. Это смещен«с может быть измерено по амплитуде четной га рмон ики тока, протекающего в цепи ссгнстоконденсатора.
Предлагаемый магнитный зонд раоотает следующим образом. Магн итное поле В, взаимодействуя с постоян«ым магнитом 6, создает в кристалле ссгнстовой соли сдвиговос напряжение Х.з и, следовательно, смещает пстлю электрического гистерезпса. Если и элсктрода м 4, 5 подключить IIPpeAI0Hlloe электрическое напряжение, то в цспп потечет ток четных гармоник, величина и фаза которых зав«сит от знака и величины Хзз, а, следователь«о, и от проекции «а ось «з вектора магнитного поля.
Предмет изобретения
Ма гнптный зонд, состоящий из чувствитель30 ного элемента, выполненного в виде ссгнсто397864
Составитель П. Иванов
Техред Л, Камышннкова Корректор Т, Добровольская
Редактор Н. Вирко
Заказ 224г9 Изд. И 90 Тираж 755 Подписное
ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий
Москва, )К-35, Раун .скas: наб., д. 425
Типография, пр. Сапунова, 2 электрической пластины с электродами, к которым подключен источ н и к переменно го напряжения, и схемы измерения, отличаюгцг,". .а- г тем, что, с целью п овышения чувствитсльисстн и упрощения конструкции, к одной из гран ей пластины, определяемой выбором ореза, чувствительного к механическим усилениям, п1рикреплеп постоянный магнит.

