Интегральная матрица накопителя запоминающего устройства
BCECCI ... „
О "" "=А-"Н- И Е
ИЗОБРЕТЕН ИЯ
39I609
Союз Советских
Социалистических
Реснубпин
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Зависимое от авт. свидетельства №вЂ”
Заявлено 14Л.1972 (№ 1739780/18-24) с присоединением заявки №вЂ”
Приоритет—
Опубликовано 25.VII,1973. Бюллетень № 31
Лата опубликования описания 13.XI.1973
М. Кл. G llс 11!34
Государстееиай комитет
Совета Миииотров СССР ео делам изобретений и открытий
УДК 621.377.622.25 (088.8) Авторы изобретения
Е. А. Афанасьева, Е. Б. Володин, В. И. Гусакова, П. Е. Кандыба, Г. С. Рычков и И. Г. Шкуропат
Заявитель
ИНТЕГРАЛЬНАЯ МАТРИЦА
НАКОПИТЕЛЯ ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА
Изобретение относится к области вычислительной технтеки.
Известна лнтеа ральная,матрица запоминающего устройства, каждая ячейка которой содержит последовательно включенные р-и-р-и диод и .резистор и,каждая из систем шинн,находится на разных сторонах тела .матрицы.
Для обеспечения односторонней од нослойной фазво д ки предлагается BbIIIIQJIIHtHTb матрицу .на р-и-р-п диодах, имеющих продольную структуру с за шу нти роваооным переходом рэмиттер-а-база, а одну из систем IIIHiH выполнить в виде п4-области в слое п-юазы.
Для упрощения констружц ии предлагается в .качестве HaIpyae lHoIo резистора функционально использовать участок п-базы.
На фиг. 1.изображен эскиз топологии матрицы; на фиг. 2 — эскиз,поперечного сечения одной ячейки, матрицы.
Каждая ячейка матрицы аключает продольный p-n-р-и диод, у которого переход рэмиттер 1-п база 2 зашунтиро ва н резистором, об разо ванны1м: металлической перемычкой 8 и резистором, образованным .слоем пбазы 2 непосредственно под р-эмиттером 1. В слое и-базы 2 на некотором расстоянии от шунта
8 выполнена п+-область 4, служащая для контакта с р-эмиттером 1 и являющаяся шиной столбца матрицы.
Шина строки 5, к,которой подсоединен аэм иттер б, выполнена путем металлизации.
Каждый столбец матрицы имеет общий изолирующий карман 7, профиль которого включает отростки 8 и 9, позволяющие изолировать друг от друга ячейки внутри кармана и имеющие окна, служащие для огра н ичения области функционального натрузочного резистора, вы.полненного в виде участника 10 и-базы 2 между
1о и+ -областью 4 и шунтом 8.
Поле матрицы образуется мультилликацией .соответствующего числа столбцов с необходимым,количеством за поминающих р-п-р-11 диодных ячеек.
Спецификой работы продольного р-и-р-и диода с одним зашунти1ровавным эмиттерным переходом является тот факт, что работа прибора определяется соотношением зарядов на оставшихся HpaàøóíòHрован ных переходах.
Р-п-р-и диод может находиться,в двух состояниях — с бельшим порогом включения и с малым порогом включения. Состояние с малым порогом включения соответствует «1», состоя ние с большушим порогом включения «О».
Запись «1» осуществляешься импульсом положитель ной полярности, подаваемым на шину столбца, к которой через резистор подключен р-эмиттер чвтырехслойното диода. з0 Стирание (зались «О») осуществляется от391609 нагрузочный резистор и р-п-р-п диод, п-эм иттер которого подключен гк ши не строки, .и отделена от смежной я чейгки изолирующими областями, отличающаяся тем, что, с целью упрощевия .кон сгруиции, в каждой ячейке используепся р-п-р-и диод с продольной структу1рой с частично зашунгированным переходом р-эмиттер-п- база, а в слое тг-базы выпол,не1на и+ -область.
I0
2. Матрица по,п. 1, отличающаяся тем, что нагрузоч ный резистор выполнен в,виде учасгка п-базы между и+-областью, 1шунтом и изолирующими областям и. г1Ъг. 1
A-4
У 2
Ôàã. 2
Составитель Р. Яворская
Техред Е. Борисова
Редактор Е. Гончар
Корректоры О. Тюрина и С. Сатагулова
Заказ 615/1994 Изд. № 855
ЦНИИПИ Государственного комитета по делам изобретений
Москва, Ж-35, Раушская
Тип. Харьк фил. пред. «Патент» рицательным импульсам, также подаваемым па р-эмиттор диода.
Состоя н ие единицы .поддерживается ноло>кительными .им пульсами пита ния амплитуды, меньшей той, которая требуется для записи
«1». Та же импульсная последовательность служит для считывания и нформации о состоянии при бора.
Предмет изобретен ия
1. И нтегральная матрица на копителя запоминаю щего усгройства, каждая ячейка которой содвржит последовательно, включенные
Тираж 576 Подписное
Совета Министров СССР и открытий иаб., д. 4/5
