Способ очистки радиоэлектронных деталей
Согсз Советских
ОПИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕН ИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
370673
Социалистических
Респуелик
Зависимое от авт. свидетельства №вЂ”
Заявлено 07.Ч11.1970 (И 1464165/26-9) с присоединением заявки ¹â€”
Приоритет—
Опубликовано 15.11.1973. Бюллетень ¹ 11
Дата опубликования описания 21 IA .1973
М. Кл. H Olj 9/00
Комитет по дедом изобретеиий и отирытиН при Совете свиниотрав
СССР
> ДК 621.385.1(088.8) Авторы изобретения
В. А. Дьяконов, Л. Н. Куликов и Г. С. Мустафин
1 х
С сд
Заявитель
СПОСОБ ОЧИСТКИ РАДИОЭЛЕКТРОННЫХ ДЕТАЛЕИ
Изобретение относится к технологии производства изделий радиоэлектронной техники.
Известный способ очистки радиоэлектронных деталей путем промывания в противотоке ректифицированного трихлорэтилена с последующей сушкой не обеспечивает повышение качества очистки и увеличения выхода годных изделий.
По предлагаемому способу повышение качества очистки и увеличение выхода годных изделий достигается тем, что после очистки в жидкой фазе трихлорэтилена детали обрабатывают насыщенными, а затем перегретыми парами трихлорэтилена.
На чертеже представлена схема очистки радиоэлектронных деталей согласно предлагаемому способу.
На схеме приняты следующие обозначения: блок 1 очистки деталей в трихлорэтилене; колонна 2 ректификации трихлорэтилена; блок 8 ооччиисстткки и ттррииххллооррээттииллееннаа, камера 4 ооработки деталей в насыщенных парах трихлорэтилена; камера 5 обработки в перегретых парах трихлорэтилена и сушки; камера б охлаждения деталей; шлюзовые устройства 7; вентиляторы 8; калориферы 9.
Предлагаемый спосоо реализуется следующим образом.
Трихлорэтилен, поступающий для очистки деталей, очищают от низкокипящих и высококипящих фракций в блоке 8 очистки трихлорэтилена. После этого трихлорэтилен противотоком поступает в блок 1 очистки и после первой, наиболее загрязненной, 5 ванны ректифицируется в колонне 2.
В блоке 1 очистки растворитель нагревается, и детали, подвергаемые очистке, выходят после нее в жидкой фазе нагретыми до температуры несколько меньшей, чем температура кипящего трихлорэтилена. Затем горячими они подаются в камеру 4 обработки в насыщенных парах трихлорэтилена и далее — в камеру 5 обработки в перегретых парах трихлорэтилена, после чего попадают в камеру б ох15 лаждения.
Подаваемые в камеры 4 и 5 нары трихлорэтилена могут генерироваться вне камер и подаваться в них при помощи вентиляторов 8 через калориферы 9.
Предмет изобретения
Способ очистки радиоэлектронных деталей путем промывания в противотоке ректифицированного трихлорэтилена с последующей сушкой, от гичаюигийся тем, что, с целью повышения качества очистки и увеличения выхода годных изделий, после очистки в жидкой фазе трихлорэтилена детали обрабатывают насыщенными, а затем перегретыми паЗО рами трихлорэтилена.
370673
Составитель А. Горбачев
Техред T. Курилко
Редактор А, Батыгин
Корректор В. Жолудева
Тнп. Харьк, фнл. пред. «Патент»
Заказ 198/685 Изд. № 230 Тираж 780 Подписное
11НИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР
Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

