Компаратор

"/ДЯ

ОП КСАН ИЕ

3658!2

Совхоз Советских

Социалистических

Респуйлик

ИЗОБРЕТЕН И Я

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Зави|слмое от àBT. авид.-тельства ¹â€”.Ч. 1 л. Н 03k 3/295

За явлено 09Л11.1971 (¹ 1630747/26-9) IC IllpHIoOåäHIH8HHIBì заявки №вЂ”

Комитет по делам иаобретеиий и открытий при Совете ооииистрав

СССР

П!р Hlolplèòãò—

Опубл|иковано 08.1.1973. Вюллстепь № 6

УДК ()21.374.33 (088.8) Дата опубликования описания

Авторы изобретения

П, M. Мадяр и В. И. Романенко

Заявитель

КОМПАРАТОР

Изобрете ние OIBHolcmiтся к области радиотехоти ки и может быть испоаьвова но в автоматичестсих усгр ой,ствах,р аз бр аию:хвки.

Известен ком па рато р, содцржащ ий два TIpaHзи отора, входной и выход ной, совдинен ные по схеме триотера Шмидта с эмиттер ной связью.

Однако изBOGTIHое успройспво для репистрации двух разл ич ных уранией напр яженотст cодержит д ва ди акрими натора и схему для отбора а ни и совпадений.

С целью,репи спраци и двух, различных уровней нап р яжения в определенной асане в предлагаемом компараторе в общую цепь эмиттеро в вхо днопо и выходного пра нзисторо в включен туннелыный диод и базо-эмитте рный переход дополнителынопо транзистора, коллектор кото рого соединен через p83IHIcToip с коллектором выходного тра нзи1сто ра, при этом база дополооителыного т ра нзистора соединена с а иодом ту1внелыното диода, а эмиттер — с катодом диода.

На чертеже представлена привциспиалыная элекприческая схема предложеносого устройства.

У(стройство содержит триггер Шмитта на пра нзиото рах 1 и 2, резисторах 8 — 7 и кон денсатрре 8, туннелыный диод 9.и допоспнителыный транзистор 10, коллектор которого через резистор 11 соединен с коллектором выход ного траизистора 2.

В исходном состоянии транзистор 1 закрыт„ а транзистор 2 открыт. Рабочая точка тун нельного диода 9 расположена на первой восходящей ветви вольтампе рной ха1ра ктерпстп ки, при

6 этом потенциал, приложенный к базо-эмокттерному пережду тра нзистара 10 недостаточен для его отпирания. При повышешкп у ровня входного сигнала до величины нижнего п орога

0pBIoBTbIBBIHIHsi транзистор 1 начинает открьт10 ваться, напряжение íà его коллекторе снижается, что приводит к ла виноосхраз ному заниранию TpaIHзистора 2 из-за наличия общего эмиттерного резистора 5. Ток, п ротекающий через пуинельный диод 9, остается драктически нсиз15 менным, поэтому т ра нзистор 10 продолжает оставаться за крытым.

lIIp H далынейшем повьвшении уровня вход(но1о сигнала ток через транзопстор 1 и туипель ый диод 9 увеличи вается и прп некотором

20 у,равне входного сигнала, соответс"пвующем верхнему порогу срабатыва ния, достигает типового значения. Ра бочая точка туинелы ото диода 9 перемещается на вторую восходящую ветвь xapaamelplHcTHam, и па|дение напряжения

21 па туннельном диоде 9 скачком возрастает до напряжения раcTIBOIðà. Это вызызает отпирание транзистора 10, кото|рый через резистор 11 снижает потенциал коллектора транзистора 2.

Ток через туннельпьтй диод 9 при этом умень: о шается IIa величину тока, протекающего через

3658I2

П р едмет изобретен и я

4 Ep(Составитель Л. Багян

Техрет Л. Грачева

Редактор Т. Морозова

1- орре;Гторы О. Тюрина и Н. Стельмах

Заказ 923 Изд. ¹ 1127 Та)раж 780 Подписное

11НИИПИ 1 аомитета по лезам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Моска;). К-35, Раушская лаб., д. 4/5

00п. Тии. 11островскоГо еи )и:), ГГ и)) !!):o!Te аи ти, вопи Г)аф))и !i к)к))кеой то )Гдв )и транзистор 10, и рабочая точка туннельного д и о1да 9 смещавгся по второй вослодящей )ветви характеристики, что обеапечвваепся подбором величин резисторов 4 и И. Уменьшение тока через туннельный диод 9 и транзистор 1 вызывает по1вышение;коллажто р ного потенциала т1равз,и1сгора 1, которое одн а.ко недо1статоч)ню для огпира)ния TlpBIH3iHIcто)ра 2.

П рп дальнейшем возрастаии и уровня входоого си пиала так че1реа травзHIcTolp 1 увел,ичиваегся, что вызы вае)г угме ньшение его коллет< poIpIHoão вотеп циала EE еще большее запира)ние гранзи,сго1ра 2. ,Прн уменьшении у1ровня входного сипнала ниже ве)рх11его по1ро га зоны нез1начителыное уменьшение гака через гра взи1сто1р 1 и туннельным дио)д 9 вызывает скач1иообразный переход рабочей точечки TQIHIEIель1нопо диода 9 на пе1р1вую восходящую вегвь ха1ра)кте)ристики.

Па<дание на гвряже)ния на гу)н нелыно1м диоде 9 и базо-эмитте р1ном .переходе транзи)сто ра 10 ум еньшаегся и послед)ний за1оры ваепся, вызывая до полаителыное открывание гра1нзи1сто1ра 1 и воз1раста ние тока через ту н нелыный диод 9.

По)с)колниу тооллекго)рная цепь гранзвсто)ра 2 пе)ростает шунтн ровааься гра)взистором 10, нап1ряжение на выходе ком па рато ра возрастает дО ВСЛВЧИНЫ На н)ряежЕ111Ия П)Вта НИ>я.

5 При далытейалем у ме ньшеа и и уроаня входно)по сипнала,ниже нижнего по1рога заны гра1нзвсто р 1 за пи рает1ся, что вызьпвает ла)ви1нообразное отмрыва1ни)е гранзи1сто1ра 2 и уменьшение уровня выходного сигнала.

1 освпа1ратор, ооде1ржащий два тра1нзисгора, вхо)дной и выходной, соед и ненные по схе)ме трипге1ра IIIIM!HITTB с эми ттер1ной связью, отличаюи ийся тем, что, с целью регистрации двух разли1ч ных уровней на1п1ряжения в определанной зо)не, в общую цепь эм иттерс1в входного и выходного ppBIHç èlcòo!ðolâ включен тун1нелыный диод н базо-эм ит)гер1ный пе1рехо)д доаолн ительEIIolro граизи1ст1 ра, ж1оллекпо1р когоропо соедине)н через рези1сго р с колле1кто ром выходного

TfpBIH3E1IcITo1pB, п1ри это1м база допол1тителын ого

TpBIH3iHlcTo1ðB соедвне1на с анодом туннельного диода, а эми)ттер — с катодом диода.