Управляемый полупроводниковый ограничитель
364994
I — ° 3
ОП И САНИ Е
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Союз Соеетских
Социалистических
Республик
Зависимое от авт. свидетельства №
Заявлено 14Х11.1971 (лю 1679419/26-9) с присоединением заявки №
Пр июр1итет
М. Кл. Н 01р 1/16
Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министрое
СССР
УДК 621 372.852.3 (088.8) Опубликовано 28.Х11.1972. Бюллетень № 5 за 1973
Дата опубликования описания 21.П.1973
Авторы изобретения П. Е. Зильберман, С. Н. Иванов, Е. С. Воронцова, И. М. Котелянский, Г. Д. Мансфельд и Е. Н. Хазанов
Заявитель Институт радиотехники и электроники АН СССР
УПРАВЛЯЕМЫЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ОГРАНИЧИТЕЛЪ
МОЩНОСТИ
Изобретение относится к технике СВЧ. Устройство может быть использовано в цепях распространения электромагнитных сигналов.
Известны управляемые полупроводниковые ограничители мощности, состоящие из кристалла полупроводника, помещенного в линию передачи, и источника управляющего напряжения.
Цель изобретения — расширение динамического диапазона ограничителя мощности. то
Это достигается тем, что предлагаемый ограничитель выполнен в виде нелинейного усиливающего пьезопроводникового кристалла с нанесенными на его торцы пленочными электроакустическими преобразователями. 15
Схема устройства представлена на чертеже.
Ограничитель содержит нелинейный усиливающий пьезополупроводниковый кристалл 1 с нанесенными на его торцы пленочными элек- 20 троакустическими преобразователями 2, помещенный в линию передачи 8, и источник управляющего напряжения 4.
Поступающая по линии передачи электромагнитная волна преобразуется входным пле- 25 ночным электроакустическим преобразователем в ультразвуковую волну, распространяющуюся в кристалле 1. Электрическое поле источника управляющего напряжения 4 создает сверхзвуковой дрейф электронов в кристалле, и ультразвуковая волна по мере прохождения в кристалле усиливается. Затем она вновь преобразуется выходным пленочным электроакустическим преобразователем в электромагнитную и распространяется по линии передачи 8.
В ряде полупроводников, например антимониде индия, в которых длина звуковой волны много меньше длины свободного пробега электронов, усиление ультразвуковых волн при приложении управляющего напряжения сопровождается нелинейными эффектами, связанными с сильным нарушением равновесия электронов по импульсам. Эти эффекты приводят к уменьшению усиления ультразвуковой волны с ростом мощности звукового потока. Ограничение мощности состоит в том, что при некоторой пороговой мощности входного сигнала режим усиления звукового потока в кристалле становится нелинейным, в кристалле устанавливается режим стационарной звуковой волны, распространяющейся без усиления и ослабления, что приводит к независимости выходной СВЧ мощности от мощности на входе кристалла. Динамический диапазон ограничения уровня мощности определяется длиной кристалла: чем длиннее кристалл, тем шире динамический диапазон.
364994
Предмет изобретения
Составитель Г. Челей
Техред Л. Богданова
Корректоры: Л. Царькова и Г. Запорожец
Редактор В. Федотов
Заказ 301/13 Изд. № 92 Тираж 780 Подписное
ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР
Москва, 5К-35, Раушская наб., д. 4/5
Типография, пр. Сапунова, 2
Управляемый полупроводниковый ограничитель мощности, состоящий из кристалла полупроводника, помещенного в линию передачи, и источника управляющего напряжения, отличающийся тем, что, с целью расширения динамического диапазона, ограничитель выполнен в виде нелинейного усиливающего пьезополупроводникового кристалла с нане5 сенными íà его торцы пленочными электроакустическими преобразователями.
