Всесоюзная плтгет1ш-тгш:^;е;л?=
ОП ИСАНИ Е
ИЗОБРЕТЕН ИЯ
К АВТОРСКОМУ СВМДЕТЕУЬСТВУ
Союз Советских
Социалистических
Республик
Зависимое от авт. свидетельства №вЂ”
Заявлено 08.II.1971 (№ 1626195/26-9) М. Кл. Н 031< 5, 13
Н 03!; 17128 с присоединением заявки М—
Приоритет—
Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров
СССР
УДК 621.374.5 (088.8) Опубликовано 20.XII.1972. Бюллетень ¹ 3
--.,а 1973.
Дата опубликования описания 12.II.1973
ВС СОЮг1-;,Д
Авторы изобретения
Ю. Н. Артюх, Г. И. Готлиб и В. Я. Загурский
Институт электроники и вычислительной техники
АН Латвийской ССР
Заявитель
УСТРОЙСТВО ЗАДЕРЖКИ
Изобретение относится к области импульсной техники и может быть использовано, например, для согласования задержек в цепях быстродействующих устройств автоматики, для формирования импульсов заданной длительности, для моделирования задержек сигнала в устройствах вычислительной техники.
Известно устройство задержки импульсов, содержащее релаксатор на транзисторе с туннельным диодом в эмиттерной цепи и бистабильную туннельно-диодную ячейку с транзистором сброса, база которого через резистор соединена с эмиттером транзистора релаксатора.
Однако такое устройство, характеризующееся высокой стабильностью и малым временем восстановления, не обеспечивает возможности регулирования времени задержки выходных импульсов относительно входных.
Цель изобретения — регулирование интервалов задержки в широких пределах.
Она достигается тем, что между базой транзистора релаксатора, подсоединенной через переменный резистор к источнику напряжения коллекторного питания, и выходом бистабильной туннельно-диодной ячейки введен разделительный полупроводниковый диод.
На чертеже изображена принципиальная схема предлагаемого устройства.
Оно содержит релаксатор на транзисторе 1 с туннельным диодом 2 в эмнттерной цепи, бистабильную туннельно-днодную ячейку, состоящую из туннельного диода 8 и резистора 4, с транзистором 5 сброса, база которого через резистор б соединена с эмнттером транзистора релаксатора и переменнь1й резистор 7. Диод 8 служит для подачи импульса установки бнстабильной туннельно-диодной ячейки в единичное состояние. Разделительный полупроводнико10 вый диод 9 введен между базой транзистора 1 релаксатора, падсосдиненна11. в свою очередь, через переменньш резистор 7 к источнику напряжения коллекторного питания, и выходом бистабильной туннельно-диодной ячейки. Выходное напряжение снимается с туннельного диода 2.
Исходным для бпстабильной ячейки является нулевое состояние. Прн этом напряжение на туннельном диоде 8 мало, через этот диод ре20 зистор 4 и резистор 7 протекает ток. Напряжение на базе транзистора 1 релаксатора мало для переключения туннельного диода 2, »аходящегося в нулевом состоянии.
Входной импульс, поступающий через диод
8 на туннельный диод 8, переводит бистабильную ячейку в единичное состояние. При этом напряжение на туннельном диоде 8 и на аноде разделительного диода 9 скачком возрастает.
Диод 9 переходит в непроводящее состояние, и
ЗО ток, ранее протекавший через него, переклюСоставитель Г. Челей
Редактор T. Баракова Текред T. Ускова Корректоры Е. Сапунова и Л. Новожилова
Заказ 988 Р1зд. № 54 Тираж 404 Подписное
ЦНИ11П14 Когиптета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР
Типографии ¹ 24 Союзполиграфпрома, Москва, Г-19, ул. Маркса — Энгельса, 14. чается в базу транзистора 1, барьерная и диффузионная емкости перехода эмиттер-база которого начинают заряжаться черз токозадающий переменный резистор 7. Бистабильпая ячейка в течение времени заряда емкостей пе- 5 рехода находится в единичном состоянии, так как ток протекает через резистор 4 и туннельный диод о.
Когда II II II eIIIIe эмиттер-оаза ра 1 достигает величины, достаточной для пе- 10 реключения туннельного диода 2, напряжение ца последнем с«а-II<Îì возрастает. Это напряжение через резистор б воздействует !Ia базу транзистора 5 сброса, который открывается и устанавливает бистабпльную ячейку в нулевое 15 состояние, что, в свою очередь, вызывает отпирание разделительного диода 9, шунтирующего базу транзистора 1. Заряд, накопле1шый IIB емкости перехода эмиттер-база транзистора 1, быстро рассасывается, туннельный диод 2 воз- 20 вращается в исходное состояние, и устройство оказывается готовым к повторению цикла задержки. На туннельном диоде 8, таким образом, образуется импульс, длительность которого равна времени задержки, а па туннельном 25 диоде 2 образуется короткий импульс, задержанный относительно входного на то же время и совпадающий по времени со срезом импульса на туннельном диоде 8. С помощьютокозадающего резистора 7 можно менять ток заряда емкости перехода эмиттер-база транзистора 1 и, тем самым, время задержки. Подключением конденсатора параллельно эмиттер-базовому переходу транзистора 1 можно расширить диапазон задержек в область больших времен.
Предмет изобретения
Устройство задержки импульсов, содержащее релаксатор на транзисторе с туннельным диодом в эмиттерной цепи и бистабильную туннельно-диодную ячейку с транзистором сброса, база которого через резистор соединена с эмиттером транзистора релаксатора, отличающееся тем, что, с целью регулирования интервалов задер>кки в широких пределах, между базой транзистора релаксатора, подсоединенной через переменный резистор к источнику напряжения коллекторного питания, и выходом бистабильной туннельно-диодной ячейки введен резделительный полупроводниковый диод.
