Всесоюзная '

 

ОП ИСАНИ Е

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

М. Кл. Н 0.3k 5/18

Заявлено 24Х.1971 (№ 1659318/26-9) с присоединением заявки №

Приоритет

Комитет ао делам изобрвтениЯ и открытиЯ ври Совете Мимистрав

СССР

УДК 621.373.3.3 (088.8) Опубликовано 13.XII.1972, Бюллетень № 2 за 1973 r.

Дата опубликования описания 31.1.1973

Авторы изобретения

В. П. Самохин и Л. А. Виноградова

Заявитель

СЕЛЕКТОР ИМПУЛЬСОВ ПО ДЛИТЕЛЬНОСТИ

Изобретение относится и может быть использовано в импульсной технике.

Известен селектор импульсов по длительности, содержащий четырехплечий мост из резисторов и конденсаторов и р-и-р транзистор в качестве чувствительного элемента.

Для подавления ложных импульсов выходного напряжения в момент спада входного импульса и обеспечения независимости времени селектирования от амплитуды селектируемого импульса, в описываемом селекторе конденсаторы моста соединены между собой посредством двух ветвей из встречно включенных диодов каждая, при этом общая точка соединения катодов одной пары встречно включенных диодов подсоединена к базе транзистора, общая точка соединения анодов другой пары встречно включенных диодов подсоединена к эмиттеру транзистора.

На чертеже приведена принципиальная схема описываемого селектора.

Селектор импульсов содержит четырехплечий мост из резисторов 1 и 2 и конденсаторов 8 и 4, р-и-р транзистор 5 в качестве чувствительного элемента, подключенный базовоэмиттерным переходом к диагонали моста, и диоды 6, 7, 8 и 9. Конденсаторы 3 и 4 моста соединены между собой посредством двух ветвей из встречно включенных диодов, одна из которых содержит диоды б и 7, а другая— диоды 8 и 9. Общая точка соединения катодов встречно соединенных диодов 6 и 7 подключена к базе транзистора 5, общая точка соединения анодов другой пары встречно включенных диодов 8 и 9 подсоединена к эмиттеру транзистора 5.

Работа селектора импульсов происходит следующим образом. Пусть на вход селектора поступает импульс отрицательной полярности, 10 длительность которого больше времени селекции. При передаче переднего фронта напряжение на эмиттере транзистора 5 становится равным амплитуде импульса, а на базе — остается близким к нулю, т. е. транзистор 5 заперт.

15 По мере заряда конденсаторов 8 и 4 моста запирающее напряжение между эмиттером и базой транзистора уменьшается и по истечении времени селекции последний отпирается. Если же длительность входного импульса

20 меньше времени селекции, транзистор 5 не успевает открыться, а импульс кончается, оставив остаточный заряд на конденсаторах 3 и 4.

При передаче заднего фронта импульса диоды б и 9 закрываются, а диоды 7 и 8 открывают25 ся, создавая за счет остаточного заряда конденсаторов отрицательный потенциал на эмиттере и положительный на базе транзистора 5.

Таким образом, транзистор 5 остается запертым и ложный сигнал в момент окончания

30 импульса не появляется.

362450

Предмет изобретения

Составитель Г. Челей

Корректоры: А. Николаева и М. Коробова

Техред Л. Богданова

Редактор Л. Струве

Заказ 196/2 Изд. М 1026 Тирагк 403 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий прн Совете Министров СССР

Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2

Селектор импульсов по длительности, содержащий четырехплечий мост из резисторов и конденсаторов, р-и-р транзистор в качестве чувствительного элемента, подключенный своим базово-эмиттерным переходом в диагональ моста, отличающийся тем, что, с целью подавления ложных импульсов выходного напряжения в момент спада входного импульса и обеспечения независимости времени селектирования от амплитуды селектируемого импульса, конденсаторы моста соединены между собой посредством двух ветвей из встречно включен5 ных диодов каждая, при этом общая точка соединения катодов одной пары встречно . включенных диодов подсоединена к базе транзистора, общая точка соединения анодов другой пары встречно включенных диодов под10 соединена к эмиттеру транзистора.

Всесоюзная  Всесоюзная  

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к измерительной технике и предназначено для контроля обеспечения режима насыщения транзисторного ключа - основного элемента при разработке высокоэффективной силовой бесконтактной защитно-коммутационной аппаратуры
Наверх