Способ получения рельефных изображений

О П И С А И И Е (и) g j)gag

ЙЗОБРЕТЕН ИЯ

Совоз Советских

Социалистических

Республик (61) Дополнительное к аит. спид-ву (22) Заявлено 1 3.07.70 (21) 145454-7/26-9 (51) М. Кл.

Н 05 К 3/06 с присоединением заявки № (23) Приоритет

Гасударственный квинтет

Сената Иннннтрва СССР аа денни нэебретвннй н вткрктнй (43) Опубликовано05.08.763юллетень № 29 (53) удК 621 3.049. .7 (088.8) (45) Дата опубликовании описания 27.10.76

М. Т. Костышин, П. Ф. Романенко и В. А. Цендровскнй (72) Автори изобретения (71) Заявитель

Институт полупроводников АН Украинской ССР (54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ РЕЛЬЕФНЫХ ИЗОБРАЖЕНИЙ HA СЛОЯХ

МЕТАЛЛОВ, СПЛАВОВ, ПОЛУПРОВОДНИКОВ И ДИЭЛЕКТРИКОВ

Изобретение относится к технологии производства элементов радиоаппаратуры и может быть исполь:-ювано в микроэлектронике, литографии и оптотехнике.

Известны способы получения рельефных изображений на слоях металлов, сплавов, полупроводников и диэлектриков нанесением этих слоев на подложки с последующим образованием на них системы полупроводник-металл, используемой в качестве фото- 10 резиста, печатанием изображения и химическим травлением.

Однако известные способы не позволяют получить четкое рельефное изображение по всей тоюпцине системы, состоящей из основ- J5 ного слоя, на котором получают:;..льеф, и слоев светочувствительной системы,. образующих фоторезис-:, так как состав травителя и фоторезиста не известен.

С целью получения четкого рельефного 29 изображения по цредлагаемому способу травления фоторезиста и основного слоя осуществляют одним травлением, вкачестве травителя используют лорное железо, легированное медью. Кроме того, с целью улучшения за- 25 щитных свойств фоторезнста в качестве фоторезиста используют систему сульфид-мышьяка-серебро, толщиной соответственно 150350 А и 600-1000 А.

На фиг. 1-5 показана послеловаттьность получения рельефных изображений, где: 1подложка, 2 — основной слой, на котором получают рельефное изображение, 3- слой серебра, 4 — слой сульфид мышьяка, 5 — слой в месте засвечивания, состоящий из продуктов фотохимической реакции.

Слой 2,3 и 4. получают напылением г вакуумной установке, причем напыление желательно производить без нарушен .я вакуума, так как при этом улучшается сцепление .-,а границе -лоев 2 и 3. Основной слой 2, например на.кель, лучше напылять на цодложо ку, чагретую до температуры 100-200 С, так как это улучшает адгезию слоя 2 с подложкой. После остывания подложки 1 наносят слой серебра 3 и слой сульфидмышьяка 4. Толщины этих споер подбирают таким образом, что в месте засвечнвания образца все серебро и сульфид мышья;,з всту= пает в фотохимическую реакцию между собой.

360009

Формула изобретения фиа5

Фиг.2 фур ф фиг.5

Составитель Г. Челей

Редактор A. Морозова Техред Г. Родак Корректор Н. Ковалева

Заказ 4970/438 Тираж 1029 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Эти толщины изменяют в зависимости от интенсивности засвечивания, но оптимальный эффект дает следующее соотношение слоев: о сульфид мышьяка 150-350 А, серебро 6001000 A.

Затем проекционным или любым другим способом производят частичное засвечивание образца (фиг. 2) через трафарет. В местах засвечивания происходит фотохимическая реакция между серебром и сульфидом 10 мышьяка, и основной слой оказывается покрыт продуктами фотохимической реакции.

Засвеченный образец погружают в раствор

Ма- СО (фиг. 3), в котором снимают слой полупроводника в незасвеченных местах, тра- 5 вят в концентрированном растворе хлорного железа, легированного медью. Этим травителем травят незасвеченные участки фоторезиста и основной слой и получают изображение, вытравленное до подложки (фиг. 4). 20

После травления образец моют и сушат при температуре 100-200 С. о

Если с основного слоя нужно убрать осгатки светочувствительной системы или вуаль с подложки в вытравленных местах, тоВ высушенный образец на несколько минут опус<ают в концентрированную соляную кислоту, затем протирают спиртом и сушат, получая рельефное иэображение прочно связанное со стеклом (фиг. 5).

1. Способ получения рельефных иэображений на слоях металлов, сплавов, полупроводников и диэлектриков нанесением этих слоев на подложки с последующим нанесением на них системы полупроводник-металл, используемой в качестве фоторезиста, печатанием изображения и химическим травлением, о т— л и ч а ю шийся тем, что, с целью получения четкого рельефного изображения, травление 4оторезиста и основного слоя осуществляют одним травителем.

2. Способ по п. 1,о т л и ч а ю щ и йс я тем, что в качестве травителя используют хлорное железо, легированное медью.

3. Способ по и. 1, о т л и ч а ю щ и йс я тем, что, с целью улучшения защитных свойств фоторезиста, в качестве фоторезиста используют систему сульфид мьппьяка-серебро, толщиной соответственно 150-350 A. и 6001000 Х.