Патент ссср 353219
1 А а
Ф;
Бза.!.сн «ан! а !.Зданнога
О П И СА Н И Е
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Союз Советских
Социалистических
Республик
Зависимое от авт. свидетельства №
Заявлено 10.111.1971 (№ 1632440, 18-10) с присоединением заявки №
Приоритет
Опубликовано 29.1Х.1972. Бюллетень ¹ 29
Дата опубликования описания 19.Х11.1973
М. 1хл. G 01г 33,/02
Государственный комитет
Совета Министров СССР по делам изооретений и открытий
Авторы изобретения
Заявитель
Л. А. Мезрина, T В. Персиянов, Г. И. Рекалова и А. А. Шахов
Ленинградский электротехнический институт им. В. И. Ульянова (Ленина) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ МАГНИТНЫХ ПОЛЕЙ
Предлагаемое изооретение относится к ооласти измерительной техники и может obITh использовано для измерения величины индукции магнитных полей, в частности для исследования радиальносимметричных магнитных полей фокусирующих систем электроннолучевой техники.
Известны устройства для измерения магнитных полей, содержащие чувствительный элемент, выполненный в виде транзистора, напряжение на нагрузочном сопротивлении которого изменяется в соответствии с величиной индукции измеряемого магнитного поля.
В известном устройстве в качестве чувствительного элемента применен биполярный плоскостной транзистор, включенный по схеме с оощим эмит.! ером, в базовую ооласть которого с целью повышения чувствительности введена зона высокой рекомби1!ации или дополнительный коллектор в виде цилиндра вокруг эмиттера, причем внутренний диаметр
ЦИЛИНДР Я ТЯКОВ, ЧТО В OTC) ÒÑÒI3ÈH МЯГHIITiiuTO поля основная часть потока инжектированных эмиттером неосновных носителей, минуя зону высокой рекомбинации, достигает коллектора.
Измеряемое магнитное поле, направленное параллельно плоскости эмиттера и коллектора, воздействуя посредством силы Лоренца на движущиеся вследствие диффузии неосновные носители, отключает их от коллектора в облясть высокой рекомбинации, где они рекомбиннруют, вследствие чего в цепи коллектоp2 меньшаеI ñÿ ток.
Известное устройство характеризуется не5 высокой чувствительностью к магнитному пол lo, свSIзя нllон с !!алым II скоростями дифф 1 знонного движения неосновных носителей, и
СЛОЖНОСТЫО ТЕХ110ЛОГИИ, ГЯК КЯК II PI! ИЗГОТОВленни требуется очень точно соблюдать рас10 считанную геометрию (небольшис отклонения от нее приводят к резкому ух3дшенню рабочих парамстров).
Для повышения чувствнтелы!ости к магнит:!ому полю в транзистор введены два кольце15 вых базовых электрода, один из которых расположен между эмиттером и дополнительным коллектором, а другой — вокруг этого коллектора.
11Я фнг. 1 нзсбражен чувствнте льный эле20 мен.", 113 фнг. 2 — схема его вкл1оче!!Ия.
Чувствительный элсмент содержит эмиттер
1, основной коллектор 2, цилиндрический дополнительный коллектор с3, кольцевой базовый электрод 4 вокруг эмнттеря, кольцевой
25 Оазовып электрод ) 1301ip I Г ЛОНО I ill! I OëûIOÃO коллектора, сон иотн 3,!сине 6 Обрат!!011 связи по нанряжс !Ию, 1!агрузочнос сопротивление 7
ДОПОЛ1! ИТ!. IbIIOI 0 К0„1,10ãTOPЯ, НЯГPX ЗОЧНОЕ COI! p О T и в;1 c н и с 8 0 с I l 0 в I i О ГО ко,л л с 1 T с р а, II О те и50 циомстр 9 рег aIIpoi31;1» уровня инжскции, по
