Дифференциальный усилитель
ОПИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Союз Саветскик
Социалистических
Республик
Зависимое от авт. свидетельства ¹
М. Кл. Н 03f 1/30
Заявлено 23.1Х.1970 (№ 1477399/26-9) с присоединением заявки №
Приоритет
Опубликовано 23Х111.1972. Бюллетень ¹ 25
Дата опубликования описания 31 VIII.1972
Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров
СССР
УДК 621.375.4(088.8) Авторы изобретения
Л. А. Эйзенбет и Ю. Э. Январев
3 аявитель
ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ
Изобретение относится к радиоэлектронике. Усилитель может быть использован в у стройствах для усиления переменного и постоянного токов в тех случаях, когда симметричный относительно «земли» входной сигнал целесообразно преобразовать для несимметричной нагрузки, например, при построении схемы сравнения компенсационного стабилизатора напряжения.
Известен дифференциальный усилитель на транзисторах с симметричным входом и несимметричным выходом, содержащий дополнительный транзистор противоположного типа проводимости, который является коллекторной нагрузкой транзистора одного плеча усилителя, а база дополнительного транзистора подключена к коллектору транзистора другого плеча.
Однако в известном устройстве усилительные свойства одного из транзисторов дифференциальной пары используются не полностью, а коллекторные нагрузки их существенно отличаются по температурным коэффициентам, что приводит к дрейфу выходного потенциала. Кроме того, на стабильность выходного потенциала устройства влияет нестабильность питающего напряжения.
Цель изобретения — повышение коэффициента усиления и температурной стабильности усилителя Достигается она тем, что в предлагаемом усилителе между базой дополнительного транзистора и коллектором транзистора другого плеча включен эмиттерноколлекторный переход составного транзистора той же проводимости, что и дополнительный транзистор, причем база составного транзистора подключена к месту соединения коллекторов транзисторов первого плеча усилителя.
10 На чертеже представлена принципиальная электрическая схема предложенного устройства.
Дифференциальный усилитель на транзисторах 1 и 2 содержит дополнительный тран1s зистор 8 противоположного типа проводимости, являющийся коллекторной нагрузкой транзистора 1.
Между базой транзистора 8 и коллектором транзистора 2 включен эмиттерно-коллектор20 ный переход составного транзистора на транзисторах 4, 5 той же проводимости, что и транзистор 8. База составного транзистора подключена к месту соединения коллекторов транзисторов 1 и 8. Симметричные входы 6
25 и 7 устройства подключены к базам транзисторов 1 и 2, а несимметричный выход 8— к коллектору транзистора 2.
Вследствие высокого входного сопротивления составного транзистора на транзисторах
30 4, 5 с резистором 9 в эмпттерной цепи коэф349076
Предмет изобретения
Составитель Л. Багян
Корректор Е. Миронова
Техред Л. Богданова
Редактор Б. Федотов
Заказ 2642/15 Изд. М 1155 Тираж 406 Подписное
ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР
Москва, Ж-З5, Раушская наб., д. 4, 5
Типография, пр. Сапунова, 2 фициент усиления транзистора 1 по напряжению велик.
В исходном состоянии все транзисторы находятся в линейном режиме. Режим транзисторов 1 и 2 задается величиной смещения на оба входа, а режим остальных транзисторов — резистором 9 и сопротивлением транзисторов 1 и 2, связь между которыми осуществляется посредством резистора 10.
При балансе токи в обоих плечах усилителя одинаковые, Изменяя сопротивление резистора 9, можно регулировать в широких пределах выходной потенциал устройства.
Если между входами б и 7 возникает разность потенциалов, например, на входе б уровень напряжения положительный, то коллекторный ток транзистора 1 увеличивается, а коллекторный ток транзистора 2 уменьшается. Уменьшение потенцила коллектора транзистора 1 вызывает увеличение тока базы составного транзистора на транзисторах 4, 5 и, следовательно, его коллекторного тока, а значит и дополнительное увеличение выходного потенциала. Таким образом, транзистор
2 и составной транзистор на транзисторах 4 и б работают в противофазе аналогично двухтактному каскаду в режиме класса А.
При идентичности параметров всех транзисторов общий коэффициент усиления устройства стремится к значению р при сопротивлении нагрузки, стремящемся к бесконечности (P — статический коэффициент усиления
5 по току для транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером).
Дифференциальный усилитель на транзисторах с симметричным входом и несимметричным выходом, содержащий дополнительный транзистор, проводимость которого про15 тивоположна проводимости транзисторов дифференциальной пары, являющийся нагрузкой транзистора одного плеча усилителя, отличающийся тем, что, с целью повышения коэффициента усиления и температурной
2J стабильности усилителя, между базой дополнительного транзистора и коллектором транзистора другого плеча включен эмиттерно-коллекторный переход составного транзистора той же проводимости, что и дополни25 тельный транзистор, причем база составного транзистора подключена к месту соединения коллекторов транзисторов первого плеча усилителя.
