Способ нанесения тонких слоев веществу!^ на поверхность
Союз Советских
Социалистических
Республии
Зависимое от авт. свидетельства №
Заявлено 29.V1.1971 (№ 1453220/25-25) М. Кл. G 21h 5:00 с присоединением заявки №вЂ”
Приоритет
Опубликовано 19,V111.1972. Бюллетець ¹ 24
Дата опубликования описания I.IX.1972
Комитет па делахт изобретений и откоытий при Совете Министров
СССР
1 (К 621 039(088 8) Авторы изобретения И. А. Баранов, А. С. Кривохатский, Б. М. Александров и Г. А. Тутин
Заявитель
1 з
СПОСОБ НАНЕСЕНИЯ ТОНКИХ СЛОЕВ ВЕЩЕСТВА
НА ПОВЕРХНОСТЪ
Изобретение относится к способам нанесения тонких слоев вещества, применяемых во многих отраслях техники, в частности, в атомной технике при изготовлении спектрометрц1сских радиоактивных источников и различных эталонов.
Известен способ нанесения тонких слоев вещества на поверхности термораспылснием вещества в вакууме. Этот способ заключается в нагреве всего вещества до температуры испарения в вакууме и в переносе его на поверхность изделия. Недостатком указанного способа является получение слоев с вкраплениями зерен велич1гной 10 — 4 с,11 и более, т. е. зсрсн, состоящих из 10" — 10 атомов и более, а также необходимость накалять все вещество до температуры распыления его в вакууме, что связано с порчей исходного изделия. Прц этом нагревается и поверхность, на которую переносится распыляемое вещество, что не всегда допустимо.
Цель изобретения — разработка способа нанесения тонких слоев вещества, который исключал бы необходимость создания разрежения при напылении.
Цель достигается облучением распыляемого вещества осколками деления и осаждением этого вещества в виде тонкого слоя на поверхность изделия в электрическом поле.
Осколки деления создают на короткое время в облучаемом веществе высокие температуры вдоль своих треков. Часть атомов из разогретых микрообъемов всщсства распыляется. Это обеспечивает перенос вещества малыми порциями, т. с. минимальную зернистость в напыляемом слое; Оолучаемое вещество и изделие в целом остаются холоднымц.
Н3 чертеже изображена схе;1а 1 становки для осуществления предлагаемого способа.
I IcToчн и к ocKoл ков 1, TDH Kllc металлические
11 lClll4l1 2 и .т, C1IOCO0HbIC 1IpOIIус1 ать ОС1 .Олки деления, находятся под одним отрицательным потенциалом ц подсоединены к батарее элементов 4. Диафрагма 5 толщиной в один миллиметр цз изоляционного материала разделяет металлическую пленку 3 11 распыляемое вещество 6, которое находится под положительным цотсllц113лох!. В ка 1сстве HcTo÷liè143 Осколков
20 был использован С1 - ""-, а в качестве распылясмых веществ — соединения Рцзз", РР, Агп -", С 1т1344
Осколки деления от источника 1 проходят через металлические пленки 2 и 3, через от25 всрстис в диафрагме 5 и облучают вещество 6, расш1ляя его. Распыленнос вещество с помощью электрического поля собирается на пленку Л. Пленка 2 предохраняет пленку 8 от возможного незначительного загрязнения ее казо лцфорнием. Процесс распыления и сбор ве347799
Составитель С. Лихтеров
Техред Т. Ускова Корректоры: М. Коробова и Л. Корогод
Редактор И. Орлова аказ 2639)12 Изд. № 1106 Тираж 406 Подписное
Ц11ИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР
Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5
Типография, пр. Сапунова, 2 щества на поверхность пленки проводится при атмосферном давлении.
Установлено, что в среднем на каждый осколок, падающий на слой распыляемого вещества, с помощью электрического поля осаждается на поверхности 50 — 1000 атомов активных элементов в зависимости от типа соединения. Таким образом, располагая, например, источником С12"" весоM 1 10 — " c, 31071 HO HBIIblлять на поверхность 10" — 10г- аатомов в час.
Предлагаемый способ осуществляется с помощью простого компактного устройства в атмосферных условиях с минимальным использованием рабочего времени оператора.
Исследования зернистости слоев, проведенные с помощью методики стекол, показали, 4 что максимальное число атомов, которое было перенесено, составило 2 104, что соответствует размеру этой группы атомов до 1.10 — см.
5 Предмет изобретения
Способ нанесения тонких слоев вещества на поверхность, основанный на распылении вещества путем облучения его потоком частиц
10 и последующем осаждении вещества на поверхность, отличающийся тем, что, с целью проведения осаждения при атмосферном давлении, облучение распыляемого вещества производят потоком осколков деления, а осажде15 ие вещества на поверхность осуществляют в электрическом поле.
