Источник бета-излучений

 

($7,w f .,; - .: °,, {тай бнблпотенц »1Б» .

2I754I

ОПИСАНИЕ

ИЗОБ РЕТ ЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Фоюэ Советских

Социалистических

: Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Кл. 21g, 21/10

Заявлено 11 VI.1965 (№ 1011844/26-25) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 20.11.1969. Бюллетень № 9

Дата опубликования описания 29.VII.1969

МПК О 21g

УДК 539.1.03:621.039.8 (088.8) Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Мииистров

СССР

Авторы изобретения

К. А. Разин и 8. С. Меркулов

Заявитель

ИСТОЧНИК БЕТА-ИЗЛУЧЕНИЙ

Известные радиоизотопные источники бетаизлучений, содержащие корпус, радиоактивный объем и герметизирующее покрытие, имеют не всегда достаточный выход бета-частиц с единицы поверхности, так как явление самопоглощения в значительной мере влияет на поверхностную активность.

В предлагаемом источнике бета-излучений для повышения выхода бета-частиц с единицы поверхности радиоактивный объем источника бета-излучений выполнен многослойным в виде комбинации расположенных послойно в определенной последовательности различных бета-излучателей.

На чертеже изображен источник бета-излучений в разрезе.

Он состоит из корпуса 1, выполненного в виде чашечки, слоев 2 — 4 радиоактивного объема и герметизирующего покрытия 5.

Многослойный радиоактивный объем образован бета-излучателями, взаимное расположение и толщина слоя которых определяется пз условия возрастания энергии излучения от поверхности в глубь объема с учетом явления самопоглощения.

В качестве примера трехслойного радиоактивного объема можно взять следующее располо>кение бета-излучателей: нижний слой

2 — Ягс0 -V )o средний слой 8 — Т1-«верхний слой 4 — S: : .

Предмет изобретения

Источник бета-излучений, содержащий корпус, радиоактивный объем и герметнзирующее покрытие, от,ц»чп»ощийся тем, что, с целью повышения выхода бета-частиц с единицы поверхности, радиоактивный объем выполнен многослойным в виде комбинации расположенных послойно в определенной последовательности раз.шчных выбранных по энергии излучения и периодам полураспада бета-излучателей, взаимное располо>кение t толщина слоя которых определяется из условия возрастания энергии излучения от поверхности в глубь радиоактивного объема с учетом явления самопоглощенпя.

Составитель Л. Рупштейн

Редактор Н. Джарагетти Техред Л. Я. Левина Корректоры: А. Николаева и Л. Корогод

Заказ 1667/2 Тираж 480 Подписное

ЦНИИГ1И Комнтез:.i по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Центр, пр. Серова, д. 4

Типографии, пр. Сапунова, 2

Источник бета-излучений Источник бета-излучений 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к устройствам неразрушающего контроля с использованием проникающих ионизирующих излучений и может быть использовано, в частности, в устройствах, предназначенных для контроля радиационной защиты металлобетонных контейнеров (МБК) для транспортировки и/или хранения отработавшего ядерного топлива (OЯT)

Изобретение относится к области обнаружения скрытых взрывчатых веществ, в том числе мин, и может быть использовано, например, при разминировании территорий в рамках гуманитарных акций

Изобретение относится к области радиационной техники, в особенности к облучению блочных объектов с целью стерилизации, пастеризации или модификации

Изобретение относится к области использования излучений от радиоактивных источников и устройствам для этой цели

Изобретение относится к области радиационной техники, а точнее к стационарным радиоизотопным установкам с подвижным облучателем
Изобретение относится к экспериментальным методам ядерной физики

Изобретение относится к экспериментальным методам ядерной физики, а точнее к спектрометрии ионизирующих излучений и может быть использовано в различных задачах технической физики

Изобретение относится к производству генераторов радиоактивных элементов, применяемых для получения радионуклидов для медицины и техники

Изобретение относится к генераторам радиоактивных элементов, которые используются в качестве визуализирующих средств в медицинских однофотонных диагностических регистрирующих системах и технике
Наверх