Амплитудный дискриминатор
ОП ИСАНИ Е
И ЗОБРЕТЕ Н ИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Союз Советских
Социалистических
Республик
Зависимое от авт. свидетельства №вЂ”
М. Кл. Н 03k 3/315
Заявлено 21.XII.1970 (Эй 1601259/26-9) с присоединением заявки №вЂ”
Комитет по делам
«зоаретений и открытий при Совете Министров
СССР
Приоритет—
Опубликовано 22.V1.1972. Бюллетень N 20
Дата опубликования описа ния 22.Х1.1972
УДК 621.374.33 (088.8)
Автор изобретения
В. В. Гостин
Заявитель
АМПЛИТУДНЫЙ ДИСКРИМИ НЛТОР
Изобретение отнооится к области импульсной тех ники, в часпности к схемам на туннельных д иодах,:которые при меняются,в качеспве амплитудных дHIGKpH и и н атор QIB (р азл ичителей) .
Известны амплитудные д искрнми наторы, выпол нен ные на основе пуннельного диода, помещен ного .в цепь эмиттера транзистора, к коллектору которого,IIoäñoåäHlíetí источник входного сигнала.
Однако в известных дискриминаторах туннельный диод не выдерживает больших з начений тока (пап ряжения),,которые имеют место, если а м пли туда входного напряжения оказьовается значителыно больше уровня нап ряженття с,рабатьввания схемы.
С целью ограничения тока туннельного диода и повышения надежности в предлагаемом устройстве между базой транзистора и заземлением подсоединены последователыно соединенные полупроводниковые диод и стабилитрон.
На фиг. 1 показа на принципиальная схема предлагаемого ампл итудного д;пзкримипатора; на фпг. 2 — диаграмма напряжения; на фиг. 3 — вольтамперная характер1испика транзистора.
Входное напряжение U-* произвольной фор»bI, на пример пилообразной (фиг. 2, а), поступает на;коллектор входного Tp3H3iHcTgp3. 1. При увеличении входного напряжения рабочая точка движется по ли ниц О, а, б, в.и г вольта мперной характервсти ки тра|нзистора 1 (фиг. 3), ток базы которого выби рают так, что транзистор до точки б, где ток коллектора тра н зистора равен току срабатывания туннелького диода I» =Ip (U»z = Цвв.,т во,, находится в ооласти насыще ния, при этом напряжение насьгщения не оказывает заметного влияния íà точность cip а батываяия.
Io При дальнейшем увеличении входного напряжения до У" = U"„,„, (фиг. 2, а, фиг. 3)
ВХОДНОЙ ТОК УЬМЕа1ЬШаЕТСЯ От 1в в,,;, ДО 1вв в> (фиг 3, точки в, г, д,), та|к как ток базы уменьшается из-за попо, что .Нацряже ние на базе транзистора 1 Уо. (фиг. 2) остаепся постоянным, а напряжение iHa эмиттере после ара батыва ния туннельного диода 2 увеличиваепся.
Максимальное входное напряжение опран ичено допустимым напряжением на переходе кол2о лектор-эмиттер транзиспора 1 У»„,. (фиг. 3).
Напряжение переброса туннельного диода 2 посту пает на базу пр анзистора 3, а усиленное папряжен ие с коллектора последнего поступает на дифференци рующий конденсатор 4, после которого импульсы усиливаются пранзиспором 5.
Таким образом, в момент срабатьвва ния туннельного диода 2 на пике его вольтамперной
3О ха рактеристпки и па коллекторе транзистора 5
343363
Фиг. 1
Составитель В. Клюкин
Ре/(ак(ор Л. Мазуронок Текред T. Ускова Корректоры Л. Кириллова и О. Тюрина
Заказ 40!8 !ад.,М 908 Тираж 406 Подписное
ЦНИИПИ К())(ипата по делам изсбрстеп((й и о(крытпй ((;и(Совете %и ((агро в СССР
Л!ос(сна, 5К-35, Рау(нская араб., д. 4/5
О . (), ) тпом ек о Го ) и р и ален и я и )д я те. (ьс(((, и (у 1: (П) а (!) пи I I h1! (ж я о и (е ()то в l! (3 возникают узкие импульсы напряжения U. X (фиг. 2).
Предмет изобретеяия
Амплитудный диокрим и(и аз)ор, вь((полненныи на основе тун(нельного диода, помещен(ного в цепь эмиттера траяьзнстора, к колле(ктору которого по(дсоедине(н источник (входного сигнала, отличающийся тем, что, с целью опра(ничения тока ту(н(нельного диода и .повышения надеж(ности успройот(ва, между базой транзистора и за5 земление)м под(соеди(иены,по(следовательно соеди(ненные полупро(водн)и(ковый диод и стабиI In P(OI-I.
