Устройство для выращивания монокристаллов

 

Устройство для выращивания монокристаллов направленной кристаллизацией расплава, контактирующего с газообразным реагентом, включающее герметичную камеру с неподвижно установленным нагревателем и тиглем, перемещаемым по вертикали при помощи введенного снизу полого штока, и расположенный вне камеры источник реагента, отличающееся тем, что, с целью увеличения эффективности воздействия реагента на расплав и уменьшения коррозии камеры и нагревателя, тигель установлен на опорах в полости укрепленного на штоке стакана с крышкой, причем полость стакана соединена с источником реагента посредством выполненного в штоке осевого канала.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к получению сложных полупроводниковых соединений типа A3B5 и A4B6

Изобретение относится к термоэлектрическому приборостроению и может найти применение в создании высокоэффективных преобразователей на основе полупроводниковых материалов для прямого преобразования тепловой энергии в электрическую, например, в холодильниках, термостатах, агрегатах для кондиционирования воздуха и других устройствах
Изобретение относится к производству монокристаллов корунда и других тугоплавких веществ по методу Вернейля, в частности кристаллов сапфира и рубина с эффектом астеризма, которые иначе называются звездчатыми

Изобретение относится к металлургии, преимущественно к технологии получения литых монокристаллических заготовок из сплавов, содержащих Fe-Co-Ni-Al-Cu-Ti (ЮНДКТ)

Изобретение относится к выращиванию синтетических монокристаллов и промышленно применимо при изготовлении ювелирных изделий, а также высокопрочных оптических деталей (небольших окон, линз, призм и т.п.)

Изобретение относится к области выращивания активированных монокристаллов и может быть использовано при производстве сцинтилляторов, применяемых в приборостроении для ядерных, космических, геофизических исследований, для медицинской и промышленной компьютерной томографии
Наверх