Патент ссср 339957

И ИСЛНИ Е

Союз Советских

Социалиститтесних

Республин

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Зависимое от авт. свидетельства ¹â€”

Заявлено 28.1Х.1970 (№ 1476495/18-24) с присоединением заявки №вЂ”

П р иор итет—

Опубликовано 24.V.1972. Бюллетень ¹ 17

Дата опубликования описания 29.VII I.1972

М. Кл. G 1lc 11/02

Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

УДК 681.327.6(088.8) «В в "@Г де

Е ао твв

Авторы изобретения

О. А. Кизик, 1О. М. Самойлович и P. А. Шек-Иовсепяип

Заявитель

УСТРОЙСТВО ЗАЩИТЫ ИНФОРМАЦИИ В МАГНИТНОМ

НАКОП ИТЕЛ Е

Изобретение относится к области вапоминающ их устройств.

Известно уcTpoHcIIBQ защиты информации в маг нитном накопителе, содержащее каскад сброса, п одсоед иненный к пороговому каскаду, связанному через ключевой каскад с выхоgg!HbIMH каскадами, выполне нныбьи на транзи сторах с непосредственньтмк связями.

Известное устройство не учитывает реальных време н ных характеристик изменения напряжений питания постоянным током и малое время цикла обращения к быстродействующему за1поми нающему устройству.

Цель изобретения заключается в повышении надежности защиты и нфо рмации в запоминающем устройстве.

Эта цель достигается тем, что предложенное устройство содержит дополнительный каскад сброса, вход которого подключен ко входу основного zaокада сороса, а выход— к первому входу дolIIOJIHèòåëüíoãо порогового каскада, второй вход которого связа н со входом устройства, а выход — с ключевым каскадом.

На чертеже пока за на эле ктр ическая схема устр.ой,ст,ва защиты и нформации.

Она содержит огра ничителыный резистор

1, переменный рези стор 2, регулирующий верхяюю границу сра батьрва ния, туннелыный диод 3, срабатывающий на верхней границе допустимого изменения напряжения, ограничительный резиото р 4, перемененный резистор

5, регулирующий eиж нюю гра|ницу ср а баты ваяния, туннельный диод б, срабатывающий на

5 нижней границе допустимого изменения напряжения, резисторы 7 и 8, уменыпающие ток на диффузионной ветви характеристики туннелыного диода, транзисторы 9 — 12, конденсатор 18, устраняющий помехи на выходе

10 при сбросе тун нелыных диодов, выходные .тра нзисто ры 14 и 15, каскады 1б, 17 сброса туннелыных диодов, стабилжтрон 18, ограничительный резистор 19. Ко входу 20 устройства под1ключено два поро го вых каскада, выполненных в виде сочетания соответственно туннельных диодов 8, б с транзисторами 9, 10, к который подключены транзисторные ключевые каскады на триодах 11, 12, работающих с частотой обращения к магнитному запомина20 ющему устройству для устранения гисте резиса характеристики туннельного диода.

Пороговый каскад на транзисторе 10 и туннельном диоде б — дополнительный. Первый вход 21 его подключен к выходу 22 дополниTOJIb HoIQ каскада сброса на транзисторе

17, вхо д которого подключении ко входу 23 основното каска да сброса на транзисторе 1б.

Второй вход 24 дололнителыного порогового каскада связан со входстм 20 устройства, а его

339957

Составптель В. Рудаков

Текред Л. Куклина

i,îððåêòcð Л, Васнльева

Редактор Б. Нанкина

Заказ 264/1102 Изд. № 706 Тираж 448 Подписное

Ц1-1ИИПИ Комитета по делам изобретений н открытий прн Совете Министров СССР

Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Тип. Харьк, фил. пред. «Патент» выхюд 26 — с ключевым каскадом на тра нзисторе 11.

Выходные каскады собранны на транзисторах 14 и 15 с непосредст вен ными связями.

Импульсы на выходе 26 устройства при сбросе туннельных диодов 3 и б убираются интегрирующим ко нденсатором 13, а питание схемы осуществляется от стабилитро на 18, соеди ненного с источн иком большого постоян ного напряжения (на,чертеже не показан) через рези стор 19.

При отсутствии напряжения на входе 20 устройства туннельные ди оды 3 и б находятся в низковольтном состоянии, а транзисторы 9 и 10 за крыты. Транзисторы 11 и 14 открыты.

На .выход 26 устройства подается нулевой потен циал, С увеличением входного напряжения до наименьшего ра бочего значения туннельный диод 6 .пе реключйдся в высоковольтное состояние.. Транзи торьЧ 10 и 12 открываются, а 11 и 14 закрываются. -На выходе 26 устройства поя|вляется положительный уровень напряжения, разрешающий работу запом инающего устройства. С увеличением напряжения туннельный диод 3 переключается в высоковольтное состояние (туннельный диод б находится в переключенном состоянии). Тра нзисторы 9 и 14 открываются, а 12 — закрывается. На выход 26 подается нулевой запрещающий уровень. При дальнейшем по нижении напряжения на входе все повторяется в обратном порядке; Разрешающий положительный уровень на выходе 26 поя1вляется лишь при наличии напряже|ния на входе внутри за5 данной области устойчи вой работы запоминающего уст рой ства.

Оценка мпновен нопо зна чения входного напряжения происходит по заднему фронту импульсов сбро са с частотой обращения к запо10 минающему устройству. В момент действия импульсов сброса тра нзисто ры 16 и 17 отк рываются, шунтируя туннельные диоды 3 и 6 для устра нения гистерезиса характеристик туппе диодов.

Предмет изо бретения

Устройство защиты информации в магнитном накопителе, содержащее каскад сброса, подсоединенный к по роговому каскаду, 20 связанному через ключевой каскад,с выходными каскадами, выполненными на тра нзисторах с непосредственными связям и, отличаюи ееся тем, что, с целью повышения надежности устройства, оно содержит дополнитель25 ный каскад сброса, вход которого подключен ко входу основн ого каскада сброса, а выход— к первому входу дополнительного порогового каскада, второй вход которого связан со входом устройства, а выход — с ключевым касЗ0 кадом.