Патент ссср 336043

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

Союз Советскик

Социалистическил

Респуйлин

336043

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Зависимое от авт. свидетельства №вЂ”

Заявлено 03.111.1970 (№ 1410472/23-26) с присоединением заявки №вЂ”

Приоритет—

Опубликовано 21.I V.1972. Бюллетень № 14

Дата опубликования описания 25Х1I.1972

М. Кл. В 01j 100

В Olj 17/26

Комитет ло делам изобретений и открытий ори Совете Министров

СССР

УДК 66.023.065 5 (088.8) Авторы изобретения

В. Ф. Дорфман, М. С. Белоконь и Б. Н. Пыпкин

Институт электронных управляющих машин

Заявитель

УСТРОЙСТВО ДЛЯ КРИСТАЛЛИЗАЦИИ ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЫ

Изобретен не от носится к области химичеоасого мавти ност1роен ия, в частности к устройстваlM для кр исталли3BUiH!H из газовой фазы.

Известны устройства для кристаллиза|ции из газовой фазы, содержащие корпус с подложкой и иоточв1ИК.

Недостаток этих уотр ойств заключается в том, что они не обеспечивают достаточно высокой эффек"пивност и, повышения качества готовых продуктов и улучшения эксплуатаци- 1о онных свойств обслужHBBIHия установки.

Целью изобретения является повьишение качества готовых продуктов и улучите ние экопл уатацио нных свойств обслужвва ния устройства. Это достигается тем, что емкость 16 между источником и подложкой имеет систем1у ка налов, выполненных из инертного матер|нала, п р1ичем входное и выходное отверстия KBHBJIoiB обращены к coответствующим областям источника и подложки, и в корпусе 2О размещены отдельные нагреватели на группах ячеек и в каждой ячейке.

На чертеже показа но оп и сываемое устройство.

Устройство состоит из источника 1 и подложки 2, помещенных в,реalKToр 3 с нагревательными элементами 4. Газовая полость между и сточником и подложкой разделена цри помощи ячеек из инертного, материала (RBIIIpIHIMBp кварца) на каналы 5 заданной ЗС ко1нфигу рации, об ращен ные входными отверстиями к источн|ику; а выходными — к подл ожже. Отдельные ка налы (или группы каналов) могут иметь на входе независимый caMoñToiHòåëüíûé или доп|олнительный источник б (HJIIH несколько источников). В таком уст- i р ойсгве отсутствует взаи модейств ие между . газообразными веществами, находящимися в ра зных KBIHBJIax, т. е. перенос в каждом канале,п роисхсдит независимо от остальных.

У ст1рой ство работает следующим образом.

П ри наращи ваии и слоя массопото к в указа нн1ой системе раабнвается на независимые массопотоки в отдельных каналах, размеры и конфнгу рация к оторых влияют на механизм переноса и определяют геометр|ию и сгруктуру областей с разли чными свойствами в одном слое. Использование дополнительных источников позволяет, благодаря неза висимюст|и друг от друга отдельных. массопотоков, получать области с различным и физико-тимическими свойствами, Предлагаемое устройство было опробовано в лабо1раторных условиях при осаждении монок1ристаллнческих слоев ге1рмания при помощи т ра нспорэной реакции с йодом. Для создания каналов используется система иварцевых капилляров диаметром 0,1 — 3 мм, а также п рямоугольиа я кварцевая решетка с ячей1ками Зр,8 мм.

336043

П р едм ет изобретения

Составитель Л. Мовчан

Техред Л. Богданова

Редактор Н. Корченко

Корректор Е. Зимина

Заказ 221/1062 Изд. № 579 Тираж 448 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Тип. Харьк, фил. пред. «Патент»

При п рииеие нии системы капилляро|в слой имеет области с четк|ими границам и, соответствующие по диаметру размерам впадины отверстий каналов (0,1 — 3 мм). Поверхность областей является зеplKBJIbH)o гладкой (IQTcутотвеет излом и нтерференциальных лишний при исследовании на микроскопе МИИ-4) при сред ней высоте неровностей на остальной IIioверхиости слоя 0,7 — 1 мм. Скорость роста областей ниже скорости роста слоя на 10%. В казачестве решетки пр именяют два источника

«р» и «а»-типа проводимости; соответствующие области в слое отвечают типу источнико в.

Па ра метры дроцесса следующие:

Начальная к онцентрация йода, г/л 3 — 8

Тем,пе1рату ра подложками, С 580 — 650

Ра сстояние между источи иком и подложечкой, мм 0,6 — 3

Время процесса, мин 30 — 180

Скорость роста слоя, мг/час 15 — 200

Устройство для кристаллизации из газов ой фазы, содержащее корпус с подложкой и источник, отличающееся тем, что, с целью

10 повьипе1нии качества I o ToiBbIх продуктов и улучшения эксплуатационных свойств обслуживаиии устровства, BMIKlocTb между источником и подложкой имеет си стему каналов, вы п олненных из инертного материала, п ричем входное и выходное отверстия каналов об ращеиы к соответствующим областям источника и подложки, и в корпусе размещены отдельные нагреватели на: прупиах я чее к и в каждои ячейке.