Способ обнаружения металлических включений в широкозонных полупроводниках и диэлектриках
ОПИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
3265l6
Союз Советских
Социалистических
Рос!тублик
Зависимое от авт. свидетельства №
Заявлено 05.111.1970 (№ 1411379/2G-25) с присоединением заявки №
Приоритет
Опубликовано 19.!.1972. Бюллетень ¹ 4
Дата опубликования описания 15.111.1972
М. Кл. С 01г 19/00
Комитет !та делам изобретений и открытий при Совете Яинистров
СССР
УДК 621.382(088.8) Автор изобретения
Б. У. Барщевский
Заявитель
СПОСОБ ОБНАРУЖЕНИЯ МЕТАЛЛ ИЧ ЕСКИХ ВКЛЮЧЕНИИ
В Ш И РОКОЗО Н Н ЫХ ПОЛ УПРОВОДН И КАХ И ДИЭЛ ЕКТРИ КАХ
Предмет изобретения
Изобретение относится к способам определения макрочастиц металла в диэлектриках и широкозонных полупроводниках.
Спектральным эмиссионным анализом мож- . но определять наличие малых количеств металла в средах, но этим способом нельзя определить фазу (состояние) металла.
Предложенный способ дает возможность обнаружить макрочастицы металла в окружающей среде (полупроводниках, диэлектриках) 10 по фотоэлектрической спектральной характеристике с экспериментально определенной длинноволновой границей фотоэффекта от частиц металла в данную среду.
Наличие или отсутствие частиц металла в 15 исследуемом материале влияет как па форму частной характеристики фототока, так и на величину последнего.
При обнаружении металлических включений предложенным способом необходимо, чтобы 20 работа вырывания электрона из металла в окружающую среду была меньше энергетической ширины запрещенной зоны. Эта работа тем меньше, чем больше диэлектрическая проницаемость среды. 25
Полученные экспериментально величины фототока, рассчитанные на единицу падающей энергии, наносят на график в прямоугольной системе координат. По горизонтальной оси откладывают значения hv — hvt! в электрон- 30 вольтах или других энергетических единицах (v — частота света, большая граничной частоты ъо). По вертикальной оси откладывают величину фототока, соответствующую значениям йъ — hvtr в выбранных единицах. Затем по формуле теории фотоэмиссии из металла в диэлектрик подсчитывают величину фототока с учетом диэлектрической прошщаем ости среды (диэлектрнческая проницаемость e=rz - где и — показатель преломления для красной или инфракрасной части спектра).
Теоретические величины фототоков сопоставляются с экспериментальными величинами для одинаковых световых частот v; для какого-либо одного из значений h (v — vrr) теоретическую и экспериментальную величины фототока приводят к одному значению (совмещают), а остальные величины фототоков сопоставляются в долях условно выбранного значения фототока.
Совпадение экспериментальных и теоретических величин фототоков указывает на то, что фотоэффект происходит с частиц металла в окружающий фотополупроводник.
Способ обнаружения металлических включений в широкозонных полупроводниках и диэлектриках с использованием образца с кон326516
Составитель А. Кот
Корректор Т. Миронова
Техред Л. Куклина
Редактор T. Орловская
Заказ 514/!! Изд. М 112 Тираж 448 Подписное
ЦНИ111!И Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР
Москва, SK-35, Раушская наб., д. 4/5
Типография, пр. Сапунова, 2 тактами, отличающийся тем, что, с целью обнаружения макрочастиц металла, образец облучают электромагнитным излучением, прозрачным для исследуемого материала, и по частотной зависимости фототока судят о наличии таких включений.

