Устройство для защиты транзисторов l высокочастотных усилителей мощности от перегрузкиcl.'f •
О П И СА Н И Е
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
325687
Союз Советских
Социалистических
Респтблин
Зависимое от авт. свидетельства №
Заявлено 24.U11.1970 (№ 1462813/26-9) r. Кл. H 03 »,00 с при;оединением заявками ¹
Приоритет
Опубликовано 07.1.1972. Бюллетень . 6 3
Дата опубликования описания 3. I I I.1972
Комитет по делам изобретений и открытий ори Соеете Министров
СССР
1 ДК 621.396.669:621. .316.91(088.8) Автор изобретения
Н. А. Павлов
Заявитель
У в-,; 3.
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЗАЩИТЫ ТРАНЗИСТОРОВ
ВЫСОКОЧАСТОТНЫХ УСИЛИТЕЛЕЙ МОЩНОСТИ
ОТ ПЕРЕГРУЗКИ
Изобретение предназначено для защиты от перегрузок транзисторов, используемых,в высокочастотных усилителях мощности.
В известных устройствах защиты пиковым детекторам или датчи|ком иного вида о пределяегся сигнал перегрузки, который по цепи обрат ной связи упра вляет уровнем высокочастотного сигнала возбуждения, подаваемого на усилитель, или воздействует на цепи питания.
В гадких устройствах с коллектором транзистора соединяются диоды, на которые подается на пряжение смещения, устанавливающее уровень ограничения IIIHIKOB коллектор ного напряжения.
Однако известные устройства характеризуются низкой выход|ной мощ ностью за счет неполного использования тра|нзистора по напряжению и высоким уровнем срабатывания при появлении пиков коллекторного напряжения, превышающих начальный уровень.
Цель изобретения — полное использование транзисторов по,напряжению и онижение у ровня срабатывания при появлении пищиков колле кторного на пряже ния, превышающих начальный уровень.
Для этого в предлагаемом устройстве между источником опорного напряжения и делителем напряжения смещения диодов включен коллекторно-эмиттерный переход дополнительного транзистора, база которого соединена с выходом усилителя постоян ного тока.
На чертеже приведена схема предлагаемого устройства в трехкаскадном усилителе мощ5 ности.
K коллекторам транзисторов 1 и 2 высокочастотного усилителя мощности присоединены диоды 8 и 4, на которые от источника 5 постоянного напряжения с резистора 6, входя10 щего в делитель напряжения, подается опорное запирающее напряжение Е,, устанавливающее начальный уровень ограничения пиков коллекторного напряжения. Если уровень пика на любом из коллекторов превысит напряже15 ние Е„то через резистор 7 потечет ток, который создаст на входе усилителя 8 постоянного тока управляющий сигнал.
Выходной сигнал усилителя 8 поступает на вход управляемого переменного сопротивле20 ния 9, представляющего собой, например, транзисторный усилитель, сопротивление которого в этом случае изменяется так, что напряжение Е, падает. Это вызывает увеличение сигнала на входе усилителя 8, так как с по25 ниже нием уровня напряжения Е, увеличивается угол отсечки детектируемых диодами 3 и 4 пиков переменного напряжения.
Управление уровнем высокочастотного сигнала, поступающего на транзисторы 1 и 2 для
30 обеспечения их защиты, осуществляется бла325687
Составитсль К. Виноградов
Редактор Т. Иванова Техред 3. Тараненко Корректор О. Зайцева
Заказ 433/10 Изд. ¹ 35 Тираж 448 Подписное
ЦНИИПИ Ко))итста ио дс))ам пзоорстснпй и открытий прп Совете Министров СССР
Москва, 4(-35, 1 аугиская иаб., д. 4,5
1;.;1огп;111 пи, 111). 1..ли) и;)))c1, 2 года ря изменению тока, протекающего через делитель напряжсния. Для этого на вход предварительного транзисторного усилителя
10 1включен последовательный колебательный ко птур, в котором по1мимо конде1нсатора 11 и индуктивности 12 имеется варакторный диод
13,,включе1нный Hо постоянному току через дроссель 14 в цепь .делителя напряжения.
При возникновении опасных для транзисторов 1 и 2 перегрузок (например, в режиме холостого хода или корот1кого замыкания выхода усилителя) появляется управляющий сигнал, и ток, протекающий через делитель напряже1ния и варакторный диод, изменяется, в связи с чем изменяется также импеданс диода 13.
При этом контур, содержащий конденсатор
1l, индуктив1ность 12 и диод 13, настраивается в резона иc на частоту входного сигнала и шунтирует вход усилителя 10, по1нижая его усиление, а мощ ность, поступающая на вход усилителя 10, ра ссеивается в ооновном в диоде 13. Од1новременно при,появлении управляющего сигнала понижается уровень Е„и при некотором безопасном для транзисторов
1 и 2 уровне напряже1ния )Е,() (|Е,! в схеме устанавл ивается,р а1в новесие.
В зависимости от выбора параметров деталей, входящих в усилители 8 и 10, в схеме возможен релейный режим или режим ли нейной а1втоматической регулировки усиления (АРУ) .
В первом случае после срабатывания защиты и устранения дефектов, вызва1вших перепрузку, необходимо с1нять с защищаемых транзисторов напряжения Е„- и повторно их
5 включить, во втором случае с устранением дефектов восста навливается нормальный режим уc иHл и тел я.
При необходимости защиты от перегрузок транзистор ных усилителей 10 и I5 коллекто10 ры этих транзисторов та1кже,соединяются с резистором 7 через диоды 3 и 4.
Предмет изобретения
Устройство для защиты транзисторов высо15 кочастотных усилителей мощ1ности от перегрузки, содержащее на входе усилителя упра1вляющий элемент, на который с,коллекторов транзисторов через диоды и усилитель постоянного тока подано у пра вляющее напря20 же ние, а также источник опорного напряжения с делителем на1пряжения для смещения диодов, отличающееся тем, что, с целью обеспечения полного испо Iüço âàíHÿ тра1нзисторов по напряжению и снижения уровня срабаты25 вания при появлении пиков коллекторного напряжения, превышающих первоначальный уровень, между истчоником опор1ного напряжения и делителем напря кения смещения диодов включен коллекторно-эмиттерный .переход доЗ0 полнительного транзистора, база которого соединена с выходом усилителя постоянного тока.

