Способ определения диэлектрических характеристик
О П И С А Н И Е 323746
ИЗОБРЕТЕНИЯ
Союз Советскиз
Социалистическиа
Республик
Зависимое от авт. свидетельства ¹
Заявлено 30.Ill.1970 (№ 1418979/18-10) с присоединением заявки ¹â€”
Приоритет
М. Кл, G Olr 27/26
Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров
СССР
Опубликовано 10.Xll 1971. Бюллетень № 1 за 1972
Дата опубликования описания 7.11.1972
УДК 621.317.733 (088.8) Автор изобретения
И. Г. Матис
Институт механики полимеров АН Латвийской CCP
Заявитель
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ
ХАРАКТЕРИСТИК
S где С„, = =-,=- =
И1 емкость образца, пропор10
С, = С„,+C,,+С„,, Изобретение относится к измерению диэлектрических характеристик материалов емкостным способом — при помощи измерительных конденсаторов.
Известный способ определения диэлектрических характеристик материалов имеет значительную погрешность пз-за паразитной емкости, обусловленной наличием краевых полей, и емкости высокопотенциального электрода на землю.
В предлагаемом способе эти недостатки устранены за счет того, что заполняют дополнительно измерительный конденсатор контролируемым веществом, площадь которого отлична от площади основного слоя, а их периметры и толщины равнозначны, измеряют параметры измерительного конденсатора, определяют разность параметров обоих замеров— заполненных и незаполненных конденсаторов и по известным соотношениям определяют искомые диэлектрические характеристики.
Сущность изобретения поясняется примером определения диэлектрической проницаемости в плоским измерительным конденсатором, ме>кду обкладками которого помещается исследуемый образец. Измеренная емкость такого конденсатора слагается из следующих составляющих: циональная площади образца S> (d> — толщина
5 образца)
С„, = — P>f(di) — емкость края, пропорцио»aльная периметру образца Р„/(id ) — трудноопределяемая функция емкости края, зависящая отеиdt, С„, — паразитная емкость высокопотенцпального электрода на землю, завися15 щая от конструкции измерительного конденсатора.
При определении диэлектрической проницаемости по известному способу рассчитываются С,, и воздушная емкость конденсатора
20 S
Со == -.. — — "0
1 а диэлектрическая проницаемость определяется как отноше гие измеренной С| и воздушной Со, емкости конденсатора
С1 С„, С„
=С вЂ” = " + " .
0, Со Со
Из последнего соотношения видно, что да30 же в случае идеального учета паразитной ем323746
1до:
AG
Ь0п
10 где и — рабочая частота.
ЬС=С вЂ” С вЂ” = =— 1 2
1 2 О
ЛС лс, Составитель В. Коншин
Техред Л. Куклина
Корректор Е. Усова
Редактор А. Корнеев
Заказ 164/16 Изд. № 1835 Тираж 448 Подписное
ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР
Москва, 5К-35, Раушская наб., д. 4/5
Типография, пр. Сапунова, 2 кости края С,, получают повышенное значение диэлектрической проницаемости за счет неучета паразитной емкости С„, . Согласно предлохкснному способу измеряют еще емкость второго образца, отличающегося от первого площадью. Измеренная емкость второго образца равна:
С2: ю + / 2f (21с12) + Сп 2
Так Ka«d,=d2=d и Р,=Р, и С„, = С„,, разность измеренных емкостей равна:
Отношение разности измеренных емкостей к воздушной емкости, определенной по разности площадей ЛСв — — вв, дает диэлектриче
51 2
d скую проницаемость
Лналогично можно получить и зависимость для активной проводимости контролируемого вещества: -1 1 12 где G, — активная проводимость первого образца, G2 — активная проводимость второго образцаа.
Тангенс диэлектрических потерь определяется как
Предмет изобретения
Способ определения диэлектрических характеристик веществ путем измерения пара15 метров измерительного конденсатора, заполненного и незаполненного контролируемым веществом, отличающийся тем, что, с целью повышения точности, заполняют дополнительно измерительный конденсатор слоем контро20 лируемого вещества, площадь которого отлична от площади основного слоя, а их периметры и толщины равнозначны, измеряют параметры измерительного конденсатора, определяют разность замеров заполненных и не25 заполненного конденсаторов и по известным соотношениям определяют искомые диэлектрические характеристики.
