Чувствительный элемент meaibpahhofo датчика давления
О П И С А Н И Е 323643
ИЗОБРЕТЕН ИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Союз Советских
Социалистических
Республик
Зависимое от авт. свидетельства №вЂ”
Заявлено 07Х11.1970 (№ 1457228/25-28) с присоединением заявки №вЂ”
Приоритет—
М. Кл. G 01Ь 7/18
Нойитет по делай изобретеиий и открытий при Совете Миимстров
СССР
Опубликовано 10.Х11.1971. Бюллетень № 1 за 1972
Дата опубликования описания 13.III.1972
УДК 531.781.2:
:681.2.083.8 (088.8) Авторы изобретения
Ю. М. Базжин, О. М. Александрова, А. Г. Шаба и T. А. Моторыгина
Научно-исследовательский и конструкторский институт испытательных машин, приборов и средств измерения масс
Заявитель
ЧУВСТВИТЕЛЪНЫЙ ЭЛЕМЕНТ МЕМБРАННОГО
ДАТЧИКА ДАВЛЕНИЯ
Изобретение относится к области приборостроения и предназначено для измерения давления.
Из патентной литературы известны чувствительные элементы, выполненные в виде замкнутого контура как измерительный мост с четырьмя тензорезисторами из монокристаллического полупроводника, два из которых имеют ориентацию мочокристалла полупроводника, не соответствующую максимальной чувствительности.
Предлагаемый элемент отличается от известных тем, что тензорезисторы выполнены в виде двух параллельчых полос полупроводника, соединенных между собой на концах перемычками, с контактами, располагаемыми на линии нулевой деформации мембраны датчика, а также тем, что все тензорезисторы выполнены из орпентироваíHîãо в направлении максимальнсй тензочувствптельности полупроводника.
Такое выполнение чувствительного элемента позволяет повысить точность измерения давления.
На чертетке изображена мембрана с предлагаемым чувствительным элементом.
Чувствительный элемент мембранного датчика давления содержит полупрово днпковые монокристаллические тензорезисторы, выполкенные в виде двух параллельных полос I, 2 полупроводника, ориентированного в направлении максимальной тензочувствительности.
Полосы 1, 2 соединены между собой перемычками 3, 4 и снабжены контактами 5, расположенными на линии нулевой деформации мембраны б датчика. Полосы 1, 2 и перемычки 8, 4 полупроводника образуют мостовую схему: в одну диагональ включается источник 7 пи= тания, а в другую — измерительный прибор 8, 1р показания которого пропорциональны деформациям мембраны 6.
Предмет изобретения
1. Чувствительный элемент мембрачного датчика давлсния, содержащий четыре полупроводниковых монокристаллических тензорезистора,образующих замкнутый контур, представляющий собой измерительный мост, и контакгы для соединения с вторичной аппаратурой, от тичающткя тем, что, с целью повышения точности измерения давления, тензорезисторы выполнены в виде двух параллельных полос полупроводника, соединснных между собой на концах перемычками, с контактами, располагаемыми на линии нулевой деформации мембраны, датчика.
2. Чувствительный элемент по п. 1, отличаюи ийся тем, что все тензорезпсторы выполнены из ориентированного в направлении максимальной тензочувствительности полупроводЗр ника.
323643
Соста витель А. Босой
Техред 3. Тараненко
Редактор Л. Дьяконова
Корректор Т. Гревцова
Типография № 24 Главполиграфпрома, Москва, Г-19, ул. Маркса — Энгельса, 14
Заказ 900 Изд. № 1797 Тираж 448 Подписное
ЦНИИПИ Комитета по делам изобретечнй и открытий при Совете Министров СССР
Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

