Ан ссср и красноярскийполитехнический институт
ОПИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
320208
Союз Советских
Социалистических
Республик
Зависимое от авт. свидетельства №вЂ”
Заявлено 26.III.1969 (№ 1313063/26-9) с присоединением заявки №
Приоритет
Опубликовано 26.Х.1973. Бюллетень № 43
Дата опубликования описания 23.111.1974
М, Кл. Н 01р 9/05
Государственный комитет
Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий
УДК 621.319.42:621.3. .035.224 (088.8) ЦД "(Г
Авторы изобретения
Г. С. Турчанинов и A. В. Воронков Ю3 . % и Красноярский
Заявители Институт физики Сибирского отделения АН СССР политехнический институт
СПОСОБ ИЗГОТОВЛ ЕНИЯ ОКСИДНО-ПОЛУП РОВОДН ИКОВЫХ
ТАНТАЛ ОВ Ь|Х КО НДЕ Н САТО РОВ
Предмет изобретения
Изобретение относится к области изготовления радиоэлементов — конденсаторов, применяемых в радиоприборостроении и электронике, а именно, к способам изготовления оксидно-полупроводниковых танталовых конденсаторов.
Известен способ образования оксидпой полупроводникового марганца в таких конденсаторах, при котором танталовые аноды формуют в кислотном электролите, например в растворе ортофосфорпой кислоты, а затем на поверхности заформованных танталовых анодов образуют слой двуокиси марганца путем пиролиза азотнокислого марганца. Однако при пиролизе, вследствие одновременного воздействия паров воды и окислов азота, пленка частично разрушается, отчего ток утечки конденсаторов увеличивается. Для уменьшения тока утечки оксидпую пленку формуют при напряжениях, в 3 — 4 раза больше номинального напряжения конденсаторов, а также несколько раз чередуют операции формовки и пиролиза. Однако при этом уменьшается удельная емкость конденсаторов, кроме того, образующийся при пиролизе слой двуокиси марганца имеет пористую структуру, что ведет к увеличению диэлектрических потерь конденсатора.
Цель изобретения — увеличение удельной емкости и уменьшение диэлектрических потерь оксидпо-полупроводниковых конденсаторов. Для этого формовку ведут в азотнокис5 лом марганце, нагретом до 60 С, в режиме постоянного тока плотностью не менее
0,1---0,4 U" ма на 1 см формуемой поверхности, где U — максимальное напряжение формовки, которос берут в 2 — 2,5 раза боль10 ше номинального напряжения конденсаторов.
Затем при установившихся постоянных значениях напряжения и плотности тока в том же электролите осаждают полупроводниковый слой двуокиси марганца требуемой тол15 щины. Заформованные и покрытые двуокисью марганца аноды извлекают из электролита, промывают и высушивают, после чего онн готовы к следующей операции образования наружного проводящего слоя.
Способ изготовления оксидно-полупроводниковых танталовых конденсаторов, основап25 ный на образовании оксидного слоя формовкой танталовых анодов в кислом электролите и получения полупроводникового слоя двуокиси марганца, отлика>ошийся тем, что, с целью увеличения удельной емкости и умень30 шепия диэлектрических потерь, формовку
320208
Составитель А. Чупруков
Техред Е. Борисова
Корректор Н, Торкииа
Редактор Л. Речицкий
Заказ 613 5 Изд. ЛЪ 175 Тираж 780 Подписное
ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений н открытий
Москва, 7К-35, Раушская наб., д. 4/5
Типография, ир. Сапунова, 2 ганталовых анодов производят в азотнокислом марг3llll0 в режиме ностоя1нюго тока плотностью не менее О,! — 0,4 U ма на 1 см- формуемой поверхности, где U — максимальное напряжение формовки в вольтах, которое.1 берут в 2--2,5 раза вьпие поминального напри>кения конденсаторов, а 3 печ при указанном напряжении в том же электролите осаждают полупроводниковый слой двуокиси марганца требуемой толщины.
