Электропроводящее покрытие
Союз Советских
Социалистических
Республик
Зависимое от авт, свидетельства №
Заявлено 01.VI.1970 (М 1446770/29-33) МПК С 03с 17/00 с присоединением заявки ¹
Приоритет
Комитет по делам изобретений и открьпий при Совете Министров
СССР
Опубликовано 02,XI 1971. Бюллетень № 33
Дата опубликования описания 29.XII.1971
УДК 666.1.056 (088.8) Авторы изобретения
Б. П. Крыжановский и Б. М. Круглов
Заявитель. «т-;, gay)AR
ЭЛЕКТРОПРОВОДЯЩЕЕ ПОКРЫТИЕ
Удельное поверхностное сопротивление, ом
Концентрация вольфрама, мол. %
Интегральное светопропускание, %
2 10
5 10
1,5 10з
1,3 10з
58
39
10
Электропроводящее покрытие из микроком15 позиции двуокись кремния — вольфрам не меняют своих электрических и оптических свойств в атмосфере водорода при 600 — 800 С и при нагреве на воздухе до 200 С.
20 Предмет изобретения
Электропроводящее покрытие на диэлектриках па основе вольфрама, отличающееся тем, что, с целью повышения электропровод25 ности,и устойчивости к восстановительной атмосфере, оно дополнительно содержит двуокись кремния при соотношении компонентов, вес. %:
Ят02 20 — 50
30 W 50 — 80
Изобретение относится к области изменения электрических свойств диэлектриков путем нанесения па их поверхность тонких электропроводящих покрытий и может быть использовано для создания прозрачных электродов, снятия вредны.; электростатических поверхностных зарядов, выравнивания градиента потенциала на .поверхности диэлектриков и т. и.
Известно электропроводящее покрытие на основе вольфрама.
Цель изобретения — повысить поверхностную электропроводимость диэлектриков путем нанесения на их поверхность электропроводящих покрытий, устойчивых .к действию водорода и других восстановительных реагентов при повышенной температуре.
Достигается это тем, что покрытие содер-. жит двуокись кремния при соотношении компонентов, вес. %: SION 20 — 50, Г 50 — 80.
Меняя концентрацию вольфрама в слое и его толщину, можно получать покрытия с удельной поверхностной электропроводностью
10- — 10 олт и светопропусканием 10 — 70%.
При этом увеличение содержания вольфрама в микрокомпозиционном слое вызывает повышение проводимости и снижение светопропускания слоя. Ниже:приведены данные удельного поверхностного сопротивления и интегрального светопропускания (0,35—
0,8 лтклт) для покрытий двуокись кремния— вольфрам толщиной 0,1 мкм различного состава, нанесенного на плавленный кварц.
Редактор С. Ежкова
Составитель С. Орлова
Техред 3. Н, Тараненко
Корректоры: А. Николаева и В. Петрова
Заказ 3629/2 Изд. Ка 1552 Тираж 473 Подписное
ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР
Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5
Типография, пр. Сапунова, 2
