Датчик напряженности магнитного поля
О П И С А Н И Е 295096
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Союз Советских
Социалистических
Республик
Зависимое от авт. свидетельства Х
Заявлено 21.Vf I.1969 (M 1350740/18-10) с присоединением заявки М
Приоритет
Опубликовано 04.If.1971. Бюллетень Хо 7
Дата опубликования описания 2б.III.1971
МПК Ст Olr 337702
Комитет по делам изобретений и открытий при Совете 7т7инистров
СССР
УД1 Ci21.317.42 (088.8) Автор изобретения
П. М. Курило
Институт полупроводников АН Украинской ССР --- . ct= t g > 1,".;-; гт--0 — -11Д.Я
Заявитель
4>7
46q
ДАТЧИК НАПРЯЖЕННОСТИ МАГНИТНОГО ПОЛЯ
R = RО+Лй =
Н, 7777С71
Изобретение относится к области магнитных измерений и предназначено для измерения напряженности магнитных полей.
Известные датчики напряженности магнитного поля, содержащие пластинку из полупроВодникового материала с токовыми контактами, не обеспечивают линейной зависимости выходного напряжения от напряженности магнитного поля в широком диапазоне измеряемой величины. 10
Предлагаемый датчик отличается от известных тем, что полупроводниковая пластинка выполнена в виде диска, на противоположных сторонах боковой поверхности которого расположены дугообразные токовые конта к- 15 ты, причем длина каждой дуги составляет 1/4 длины окружности.
Благодаря такому выполнению датчика повышается линейность его выходной характеристики.
На чертеже изображен предлагаемый датчик.
Датчик состоит из полупроводникового днс«а 1., произвольного радиуса и толщиной /г
1 порядка.0,2 — 1 мм. На боковой поверх11ости 2> диска нанесены токовые невьшрямляю1цне контакты 2 в виде двух симметрично расположенных дуг с раствором угла и=90 .
В качестве полупроводника использован примесный изотропно проводящий монокри- 30 сталл с концентрацией носителей тока и ион комнатной температуре порядка 1077—
107р см - .
В мапштном ноле К удовлетворяющем ус,Н лови1о — — = 1, где 1I — подвижность носитес лей тока, с — скорость света, полное сопротивление R датчика, плоскость которого перпендикулярна силовым линиям полл, выражается соотношением откуда Н =- 11е71с-R=cot3st R, 1 де Rp — c011130TIII3;It. датчика В Отсутствии магнитного поля, .Я вЂ” приращение сопрогнвtctit»I в магнитном иоле, e — заряд носителя тока. .71инсйнал зависимость между напряженностью магнитного поля 1т и полным сопротивлением диска R позволяет определять величину напряженности по измеренным значениям сопротивления датчика.
Дят 1нк днямст1эом 5 мл1 нз 7х10нОкрнстял;lя
I» h с концентрацией носителей тока
71 = э 107 c,ll 3 позволяет нзме1»lть наlнрлженность магнитного поля от 0 до 40000 э.
Датчики из германия н кремния могут расширить диапазон измеряемых полей до
500000 э.
295096
Предмет изобретения
Составитель В. H. Фетина
Редактор А. В. Корнеев Текред Л. Я. Левина Корректор Л. Б. Бадылама
Изд. № 230 Заказ 679)8 Тираж 473 Подписное
ЦНИИП11 т омнтста по делам пзобретсшш и открытий при Совете Министров СССР
Москва, )К-35, 1 аушская наб., д. 4/5
Типография, пр. Сапунова, 2
Датчик напряженности магнитного поля, содержащий пластинку из полупроводниковоГО материала с токовыми контактами, Отлина)ои1ийся тем, что, с целью получения линейной выходной характеристики датчика, полупроводниковая пластинка выполнена в виде диска, на противоположных сторонах боковой поверхности которого расположены дугообразные токовые контакты, причем длина «aждой дуги составляет /4 длины окружности.
