Статический симметричный триггер

О П И С Л Н И Е 288ОЗ9

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства ¹ 221043

Заявлено 21.1Х.1969 (№ 1359381/18-24) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 03.XII.1970, Бюллетень ¹ 36

Дата опубликования описания 22.1.1971

Кл. 21ат, 36/18

МПК Н 03k 3/286

УДК 621.374.33(088.8) Комитет пс делам изобретений и открытий при Совете 1т1инистрсе

СССР

Авторы изобретен и я

В. Н. Удовиченко, В. М. Гусятин и А. П. Стахов

Харьковский институт радиоэлектроники

Заявитель

СТАТИЧЕСКИЙ СИММЕТРИЧНЫЙ ТРИ ГГЕР

Устройство может быть применено в нелинейных системах автоматического регулирования, в аналогoBhlx нелинейных вычислительных машинах и других областях техники.

Известен статический симметричный триггер по авт. св. ¹ 221043, у которого в коллекторные цепи транзисторов включены первичные обмотки двух импульсных трансформаторов, втори гпыс обмг»тки последних через встречно включенные диоды соединены между собой и через ко11депсаторы с базами транзисторов, а к точкам соединения встречно включенных ди030 т — источники сравниваемых напряжсппг1.

Этот триггер может быть применен только для автоматического измерения и контроля электрических величин.

Предло>кспный триггер отличается тем. ITo содержит два дополнительных источника папря>кения, подключенные через резисторы к катодам диодов, аноды которых соединены с противоположными выводами BTopHHHI»I»; обмоток импульсных трансформаторов.

Это позволяет использовать статический симметричный триггер в нелинейных системах автоматического регулирования, в àíàлоговых нелинейных вычислительных машинах для реализации «управляемой гпстерезисной характеристики», а так>кс характеристики типа

«зона нечувстзп гсльнссти».

На фпг. 1 изображена принципиальная схема предложенного триггера; на фпг. 2—

«управляемая гистерезпспая характеристика»; па фпг. 3 — характсрнстпка типа «зона нечувствительности».

Триггер содержит транзисторы 1 и 2, цепи обратной связи, образованные коллскгором транзистора 1, резисторами 8 и 4, переходом

10 база — эмпттер транзистора 2, переходом эмиттер — — база транзистора 1, резисторами

5 и 6, коллектором транзистора 2. В коллекторы транзисторов 1 и 2 включены первичные обмотки 7 и 8 EDIIIvlhcHI»lx трансформато1 ров 9 и 10 соотвстственно. Вторпчныс оомотки

11 и 12 этих тра11сформаторов соединены между собой через всгречно включсн1ыс диоды 18 и 14, между которь»мп в точке 13 вкл1очсн кодснсатор 16 и через резистор 1/ --- пс20 точнпк напряжения U . Другими своими концамп обмотки 11 и 12 подключены через диоды 18 и 19 и резисторы 20 и 21 соотвстствспп0 K HcTo»1пп1ам напряжений UI и (.. »,;1 B Toilка:»: 22 H 2:» подкл10»1еп 1.1 конденсаторы 2» H 25.

25 Кроме того, к одним концам обмоток 11 и 12

»1ерсз pC311CT0pbi 6 ll 2» 1103!»«110»IDAHO напр»1 "1 .снпс смещснп«Ел, а другпс пх концы подключены «срез ко . 1снсаторы 28 и 29 соответственно к переходу база — эмпттср транзпсто30 ров 1 и 2. Последние имеют собственные цспп

288039

oTpliUBTcëüíoé o6pBTIIoH связи, содержа!цие соответственно диоды 30 и 81.

При У,(Г- схема реализует «управляемую гистерезисную характеристику» следующим образом. Пусть в исходном состоянии U (U!.

В этом случае диод 18 открыт и транзистор

1 отпирается, а транзистор 2 остается закрытым (состоян;гс «1») . Противоположное состояние равновесия (транзистор 1 закрыт, а транзистор 2 открыт — состояние «О») при указанных начальных условиях (Ui U>) является неустойчивым, так как транзистор l с цепью поло>кительпой обратной связи, включающей конденсатор 16, диод 18, обмотку 11 трансформатора 9 и конденсатор 28, образует автоколебательную релаксациошгую систему, в которой выполняются условия возникновения и формирования колебаний, что приводит к открыванию транзистора 1 и по цепи положительной связи между транзисторами 1 и

2 — к запиранию транзистора 2, т. е. схема возвращается в свое устойчивое состояние.

При <1,(Ь (U схема выполняет функции запоминающего элемента и остается в состоянии «1». При увеличении Ь до U (U диоды 18 и 19 открываются, а диоды 18 и 14 закрываются, в результате чего аналогично описанному благодаря симметрии открывается транзистор 2, а транзистор 1 запирается. Таким образом, схема переходит в противоположное состояние «О» и остается в нем до тех пор, пока У„не станет меныпе U,. Так реализуется «управляемая гистеризисная характеристика», показанная на фиг. 2.

В случае, если задается U!) U, на этой схеме получается характерис;ика типа «зона нечувствительности», показанная на фиг. 3.

При U (UI диоды 18 и 14 закрыты. а диоды

18 и 19 открыты, в рсзульгате !его схема устанавливается в устойчивое состояние «О» (состояние «1» является неустогг<гивым !!налог!! !но изложенному выше). При U„(L устойчивым является состояние «1», а состояние

10 «О» является неустойчивым. Если жс U )

) U ) U, то в этом случае диоды 13 и 19 открыты, а диоды 18 и 14 закрыты, а следовательно, с."<ема генерирует релаксационные колебания.

15 Таким образом, схема имеет три состояния, и ее выходная характеристика эквивалентна характеристике типа «зона нечувствительности», приведенной па фиг. 3.

Изменением напряжений U, и Г, можно

20 регулировать пороговую характеристику схемы.

Предмет изобретения

Статический симметричный триггер Io авт. св. ¹ 221043, от.гачаюгггш1гя тем, что, с целью расширения функциональных возможностей, он содержит два дополнительных

30 источника напряжения, подключенньге !срез резисторы к катодам двух диодов, аноды которых соединены с прот; воположными выводами вторичных обмогок дву.; имнульсггых трансформаторов.

288039

Фиа г

Одласто геиерс аи.:

10 QZ 3

Редактор Б. Б. Федотов

Заказ 3946,i18 Тираж 480 Пол.- попов

LIIII4IIHII Комитета по делам изобретений и открытий при Совете .Чиппсгрзв СССР

Москва, 5К-35, Раушская паб., д. 4 5

Типография, ир. Сапунова, 2

Составитель А. Д. Федорова

Текред Т. П, Кур1к11ко

Корректоры: В, Петрова и Е. Ласточкина