Способ изготовления пленочных схем
279728
ОПИСАНИЕ
ИЗО6РЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Союз Соеетских
Сйциел тт,- „. Республик — фЬ,,щ; д, ц@
Зависимое от авт. свидетельства №
Заявлено 20.XII.1968 (№ 1292640/26-9) Кл. 21а4, 75 с присоединением заявки №
Приоритет
Опубликовано 26.V111.1970. Бюллетень ¹ 27
Дата опубликования описания 12.1.1971
МПК Н 05k 3/02
УДК 621.3.049,75(088.8) Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров
СССР
Авторы изобретения
Е. В. Годовицын, P. А. Усманов, В. М. Беляков, В. П. Лаврищев, Ж. В. Лапшинова и Н. В. Викулина
Заявитель
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПЛЕНОЧНЫХ СХЕМ
Изобретение относится к области микроэлектроники, а именно к технологии изготовления пленочных схем.
Известны способы изготовления пленочных микросхем, основанные на формировании проводников при помощи фоторезиста, изготовленного на базе модифицированного каучука с последующим селективным покрытием их, например, медью и золотом.
Фоторезист на основе модифицированного каучука химически стоек к электролиту, используемому в гальванических ваннах меднения и золочения. Однако при термическом задубливании подобный фоторезист окисляет металлизированную, например покрытую медью, поверхность и вследствие этого адгезия фоторезиста к меди ухудшается, что увеличивает процент брака.
По предлагаемому способу для улучшения адгезии фоторезиста к металлизиров анной подложке ее покрывают слоем железа, на который наносят фоторезист, На фиг. 1 — 5 изображена последовательность технологических операций по изготовлению пленочной схемы по предлагаемому способу.
На подложку 1, например ситалловую, напыляют сплошной слой 2 хрома и сплошной слой, например, меди 3 толщиной 0,5 — 1,0 мк. Затем производят гальваническое наращивание слоя
4 железа на слой меди в одном из известных электролитов и фотопечать на фоторезисте 5, изготовленном на основе модифицированного каучука (см. фиг, 2). Фоторезист термически
5 задубливают, после чего производят декапирование, например, в растворе персульфата аммония (для железа и меди) (см. фиг. 3). Затем проводники микросхемы покрывают слоем б гальванической меди, например, в пирофосI0 фатном электролите обычного сосгава и наносят слой 7 золота толщиной 1 — 2 лтк, например, в железистосинеродистом электролите (см. фиг. 4). Удалив фоторезист, например, в растворе, содержащем 1 ч. толуола, 2 ч. три15 хлорэтилена и 2 ч. метиленхлорида, стравливают слой 4 железа и слой 8 проводника, например, в растворе персульфата аммония и слой 2 хрома, например, в растворе серной кислоты (1:1), и получают готовую микросхе20 му (см. фиг. 5).
Предмет изобретения
Способ изготовления пленочных схем, основанный на формировании проводников схемы
25 на диэлектрической подложке при помощи фоторезиста, изготовленного из модифицированного каучука, и покрытии проводников слоем меди и золота, отлича ощайся тем, ITO, с целью улучшения адгезии фоторезиста к металлизп30 рованной подложке, ее покрывают слоем железа, на который наносят фоторезист.
278728 =г 1
Фиг.З
Фиг. 4
Техред А. А. Камыш никова Корректор T. А. Уманец
Редактор Т. Иванова
Заказ 3890, 9 Тираж 480 Подгисное
ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР
Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5
Типография, пр. Сапунова, 2

