Способ совмещения рисунка фотошаблона с рисунком нолунроводниковой пластины
ОПИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
248806
Союз Советских
Социалистических
Республик
Зависимое от авт. свидетельства №вЂ”
Кл. 21а, 75
Заявлено 26.11.1968 (№ 1221211/26-9) с присоединением заявки №вЂ”
Приоритет
Опубликовано 17.Х.1969. Бюллетень ¹ 32
Дата опубликования описания 5.III.1970
МПК H 05k
УДК 621.3.049.75:774 (088.8) Комитет по делам ивобретений и открытий при Совете Министров
СССР
Авторы изобретения
А. А. Гаврилкин и Я. И. Точицкий
Заявитель
СПОСОБ СОВМЕЩЕНИЯ РИСУНКА ФОТОШАБЛОНА
С РИСУНКОМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ПЛАСТИНЫ
Известны способы совмещения рисунка фотошаблона с рисунком полупроводниковой пластины при изготовлении интегральных микросхем, основанные на совмещении штриховых знаков.
Цель изобретения — повысить точность совмещения на всех стадиях изготовления интегральных схем.
Достигается это тем, что в толще полупроводниковой, пластины получают штриховой знак, который в прямом отраженном свете имеет вид темного штриха более широкого, чем штриховой знак фотошаблона, а совмещают указанные штрихи при |помощи биссектора.
На чертеже показана, последовательность операций при осуществлении описываемого способа.
Штриховой знак 1 фотошаблона 2 экспонируют на полупроводниковую .пластину 8, покрытую слоем 4,фоторезиста и слоем 5 двуокиси кремния. Загем вытравливают окно б (фиг. 2) в,слое 5 и проводят глубинное травление в материале полупроводниковой пластины 8, получая глубинный штриховой знак (фиг. 3), ширина которого превышает ширину штрихового знака фотошаблона в два-четыре раза и имеет в сечении полуцилиндрическую форму. При освещении знака 7 коллимированным световым пучком в прямом отраженном свете такой глубинный знак дает изображение в виде контрастного темного штриха 8 (фпг.4) с узкой светлой полоской 9 в середине его, обусловленной зеркальным отражением светово;о потока or дна канавки глубинного знака 7 и попадающего во входной зрачок микроскопа.
Изображение этого знака имеет контрастные темные края, обусловленные косым отра10 жением световых лучей, не |попадающих во входной зрачок объектива микроскопа.
При наложении фотошаблона 2 на полупроводниковую пластину 8 в прямом отраженном свете образуется совместное изображение глу15 бинного штрихового знака на полупроводниковой |пластине 8 и штрихового знака на фотошаблоне 10.
Подобная система знаков приводит к обра20 зованию структуры биссектора, позволяющего совмещать оси указанных знаков как Визуальным опособом с применением микроскопа— путем симметричного выравнивания зазоров между контурами штриховых знаков, так и
25 объективным фотоэлектрическим способом— гутем анализа соотношения световых потоков
GT участков, ограниченных контурами IIITpltYoвых знаков фотошаблона и полупроводниковой пластины B совместном изображении указан30 ных знаков.
248806
Способ .совмещения рисунка фотошаблона с рисунком полупроводниковой пластины при изготовлении интегральных микросхем, основанньш на совмещении штриховых знаков, отличающийся тем, что, с целью повышения точности совмещения на всех стадиях изготов5
Редактор Э. Рубан Техред 3. Н, Тараненко
Корректор Г. П. Шильман
Заказ 417/5 Тираж 480 Подписное
ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР
Москва Ж-35, Раушская наб., д. 4(5
Типография, пр. Сапунова, 2
Предмет изобретения ления интегральных схем, в толще полупроводниковой пластины получают, например, методом травления, штриховой знак, имеющий в прямом отраженном свете изображение в виде
5 темного штриха, ширина которого больше ширины штрихового знака фотошаблона, а совмещают указанные, штрихи посредством биссектор а.
