Полупроводниковый управляемый нелинейный конденсатор (варикап)

11

О П И -O — А Н И Е 278886

Сова Советскик

Социелистическнл

Республик

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 19,Ill.1969 (№ 1313303/26-9) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 04.XI 1971. Бюллетень ¹ 34

Дата опубликования описания 10.III.1972

МПК Н Oll 5/06

Н Olg 7/00

Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

УДК 621.396.662.1(088.8) Авторы изобретения

l0. И. Пашинцев и А. А, Кириллов

Заявитель ПОЛУПРОВОДНИКОВЪ|Й УПРАВЛЯЕМЪ|Й НЕЛИНЕЙНЪ|И

КОНДЕНСАТОР (ВАРИКАП) Предмет изобретения

Изобретение относится к радиоэлектронной промышленности и может быть использовано в схемах параметрических усилителей и умножителей частоты, в системах автоматической подстройки частоты и электронной настройки и в частотных модуляторах.

Известны полупроводниковые управляемые нелинейные конденсаторы (варикапы) на р-и-переходе и поверхностно барьерные варикапы, являющиеся двухэлектродными приборами, в которых один электрод служит как входным, так и выходным выводом.

С целью создания трехэлектродного варикапа с разделенными входом и выходом с повышенными частотными свойствами, в предлагаемом варикапе применен управляющий кольцевой электрод и две кольцевые диффузионные сильнолегированные области противоположного по отношению к проводнику типа проводимости, Предлагаемый варикап представляет собой структуру металл — диэлектрик — полупроводник, изготавливаемую по обычной планарной технологии.

На фиг. 1 изображена схема предлагаемого варикапа; на фиг. 2 — его эквивалентная схема; на фиг. 3 — вольт-фарадные характеристики варикапа.

Устройство содержит сильполегированную полупроводниковую подложку 1 дырочного (электронного) типа проводимости, слаболегированную полупроводниковую эпнтакснальную пленку 2 дырочного (электронного) типа проводимости, тонкий слой диэлектрика 8, соответственно внутреннюю и внешнюю кольцевые сильнолегнрованные области 4 и 5 электронного (дырочного) типа проводимости, центральные и управляющие электроды б н 7, нижний омический контакт 8.

На эквивалентной схеме введены следую10 щие обозначения: 3 н 9. — вводы центрального н управляющего электрода, R — сопротивление канала проводимости, С... — емкость диэлектрика под центральным электродом, C„ — емкость пространственного заряда, 15 С вЂ” емкость p-n-перехода.

20 Полупроводниковый управляемый нелинейный конденсатор (варикап), основанный на использовании поверхностно барьерной емкости структуры металл — диэлектрик — полу проводник, отличающийся тем, что, с целью

25 разделения входа и выхода и повышения его частотных свойств, применен управляющий кольцевой электрод и две кольцевые диффузионные сильнолегированные области протнвополож«ого по отношению к полупроводнику

30 типа проводимости.

278886 Риз. 1

° n

Фиг 2 у, УЭг

Ууа

Уэ

%uz 3

Редактор М. Морозова

Заказ 247/8 Изд. % 96 Тираж 473 Подписное

11-1ИИПИ Комитста по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Ж-35, Раушская иаб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2

Варинаа на маяериаае дЬ|рочнага munn нрададин. даринап на мамриаае эпенароннаго munn продадим.

Составитель А. Чупруиов

Техред 3. Тараиеико

Корректоры: С. Сатагулова и Т. Гревцова