Способ электрохимического осаждения сплаваселена

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВКДЕТЕЛЬСТВУ

275633

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства М

Кл. 48а, 5!32

Заявлено 12.IU.1969 (№ !322777/22-1) с присоединением заявки ¹

Приоритет

Комитет по делом изобретений и открытий при Совете хкинистров

СССР

МПК С 23b 5/32

УДК 621.357.7:669.776 777(088.8) Опубликовано ОЗ.UII.1970. Бюллетень ¹ 22

Дата опубликования описания 21.Х.1970

ПАИР11;0

Т-ХНИНС1.дя IU

Г11К-ИОТ И„

Авторы изобретения

И. В. Яницкий, Э. И. Пацаускас и Д. Л. Мицкевич

Каунасский политехнический институт

Заявитель

СПОСОБ ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКОГО ОСАЖДЕНИЯ СПЛАВА

СЕЛ ЕНА

Изобретение относится к области гальванопокрытий, в частности осаждения сплава селена.

Известен способ осаждения сплава селена из электролита, содержащего селенистую кислоту.

По предложенному способу электрохимического осаждения сплава селена для получения равномерного покрытия сплавом селентеллур в электролит вводят теллуристую кислоту при следующем соотношении компонентов, г/,г:

Селенистая кислота 1,0 — 10,0

Теллуристая кислота 2,0 — 14,0

Процесс ведут при KDMHBThOH температуре и плотности тока 5 — 30 лга/слг- . Для подкисления раствора вводят серную кислоту до рн=0.

Для электроосаждения сплава используют электролизер с двумя полихлорвиниловыми диафрагмами, отделяющими катодное пространство от двух анодных. Аноды — платина, катод в медная пластинка, гальванически покрытая платиной или серебром. Состав и компактность катодного осадка зависит от соотношения концентраций селенпстой и теллуристой кислот в электролите, от материала катода и плотности тока. Например, компактные слои сплава селен-теллур на платиновой основе толщиной до 20 лгк получают из электролита с соотношением HSeO . Н ТеОэ от 4: 1 до 1: 20, применяя плотности тока до

30 лга/слг- . Н а серебряной основе в тех жс

10 условиях компактные покрытия сплавом сел ен-теллур получают только до 1 лг к.

Предмет изобретения

Способ электрохимпческого осаждения спла15 ва селена из электролита на основе селенистой кислоты, от гачиюгцайгсл тем, что, с целью получения равномерного покрытия сплавом селен-теллур, в электролит вводят теллуристую кислоту при следующем соотношении

20 компонентов, г л:

Селенпстая кислота 1,0 — 10,0

Теллуристая кислота 2,0 — 14,0 и процесс ведут прп комнатной температуре

25 и плотности тока 5 — 30 лга/слг- .