Ждущий мультивибратор
270785
ОПИСАНИЕ
ИЗОЬРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Союз Советских
Социалистических
Республик
1татент(с есийя библио-, ид ц
Зависимое от авт. свидетельства ¹
Заявлено 08.Vll.1968 (№ 1255103/18-24) с присоединением заявки №
Приоритет
Опубликовано 12.V.1970. Бюллетень № 17
Дата опуоликования описан;ia 11Л III.1970
Кл, 21а>, 36/02
Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров
СССР
МПК Н 03k
УДК 621.373.531(088.8) Авторы изобретения
H. М. Наумов и Д. И. Закс
Таганрогский радиотехнический институт
Заявитель
ЖДУШИЙ МУЛЬТИВИБРАТОР
Устройства задержки типа ждущего мультивибратора применяются для выраоотки импульса определенной длительности при подаче импульса на вход схемы.
При м икр оминиатюрном исполнении ждущего мультивибратора, предназначенного для работы на длительности более 100 neer. в конструкциях применяются навесные элементы, так как изготовить емкость в несколько микрофарад методами пленочной или твердосхемной технологии практически невозможно.
Известны схемы ждущих мультивибраторов, использующие в качестве времязадающего элемента элемент тепловой связи (тепловая емкость) между компонентами схемы.
В предложенном ждущем мультивибраторе температурозависимый элемент — диод подключен параллельно переходу база — эмиттер транзистора одного из плеч мультивибратора, что позволяег уменьшить габариты и обеспечить независимость времени релаксации от температуры окружающей среды.
На чертеже показана принципиальная схема ждущего мультивибратора, представляющего собой триггер.
В цепь базы одного из транзисторов 1 введен температурозависимый компонент с отрицательным т.к.р. (диод 2, термистор и т. д.), имеющий тепловой контакт с резистором 8 (стрелкой показана тепловая связь).
В исходном состоянии транзистор 4 открыт, а транзистор 1 закрыт. При подаче положительного импульса на вход схема опрокидывается, транзистор 4 закрывается, транзистор
1 открывается. По резистору 8 начинает протекать коллекторный ток транзистора 1. Рее зистор 8 нагревается и нагревает температурозависимый элемент, в результате чего шунтируется вход транзистора 1. Это приводит к уменьшению базового тока транзистора 1.
По достижении определенной температуры температурозависпмого элемента ток базы транзистора 1 уменьшается настолько, что перестает выполняться условие насыщения
15 1о
Rs Р где 1о — ток базы; ń— напряжение питания; р — коэффициент усиления по току в схеме с общим эмиттером. В этом случае схема возвращается в исходное положение.
Таким образом, длительность импульса определяется временем, необходимым для нагревания температурозависимого элемента до температуры срабатывания схемы. Это время зависит от конструкции элемента тепловой связи и мощности, рассеиваемой резистором8.
Если в качестве температурозависимого элемента используется диод, у которого температурное смещение прямой ветви вольт-амперЗО ной характеристики одинаково с температурным смещением входной характеристики тран270785
Предмет изобретения
Зол
Составитель А. Д. Федорова
Редактор Н. Г. Михайлова Техред А. А. Камышникова Корректор С. М. Сигал
Заказ 2202/10 Тираж 480 Подписное
ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР
Москва 7К-35, Раушская наб., д. 4 5
Типография. пр. Сапунова, 2 зистора 1, то схема возвращается в исходное состояние только по достижении определенной разности температур между диодом 2 и транзистором 1. Следовательно, в этом случае время релаксации не зависит от температуры окружающей среды.
Идентичность температурного смещения характеристики диода и транзистора выполняется, в частности, в интегральных полупроводниковых схемах, так как там диоды и транзисторы изготавливаются из одного материала по единой технологии.
Ждущий мультивибратор на транзисторах, содержащий,в качестве времязадающего элемента тепловую емкость между компонентами схемы, отличающийся тем, что, с целью уменьшения габаритов и обеспечения независимости времени релаксации от температуры окружающей среды, температурозависимый элемент — диод подключен параллельно переходу база — эмиттер транзистора одного из плеч мультивибратора.
