Способ контроля толщины изделий из
ОПИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕН ИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
270258
Союз Соеетскнк
Социалистических
Республик
Зависимое от авт. свидетельства №
Заявлено 31.ХН1964 (№ 936064/25-28) Кл. 42b, 12/03 с присоединением заявки №
Комитет по делам изобретений н открытий ори Сосете Министров
СССР
МПК G 01b
УДК 531.717.55.082 (088.8) Приоритет
Опубликовано 08.Ч.1970. Бюллетень № 16
Дата опубликования описания 18.Ч111.1970
Авторы изобре1ения
И. Г. Матис и Э. Э. Клотиньш
Институт механики полимеров АН Латвийской ССР
Заявитель
СПОСОБ КОНТРОЛЯ ТОЛЩИНЫ ИЗДЕЛИЙ ИЗ
ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛОВ
15 дС, дС. где и — чувствительность к измедя д= нению диэлектрической проницаемости материала;
Си„С., — начальные значения емкостей при среднем значении диэлектрической проницаемости и среднем значении толщины контролируемого объекта, отношение сигналов (емкостей) обоих преобразователей зависит исключительно о т контролируемого параметра— толщины.
Таким образом, при измерении толщины диэлектрически. материалов применение преобразователей, обеспечивающих в определен30 ном диапазоне.параметров равенство относиИзвестны способы контроля толщины изделий из немагнитных нетокопроводящих изделий, заключающиеся в том, что контролируемый объект приводят в соприкосновение с накладными емкостными преобразователями, обладающими различной глубиной проникновения поля.
Предложенный способ отличается от известных тем, что применяют преобразователи, обеспечивающие равенство относительных изменений емкости от изменения диэлектрической проницаемости д . С д . С д- да о толщине изделия судят по отношению сигналов (емкостей) преобразователей С,/С,.
Такой способ позволяет устранить погрешность, вызванную изменением диэлектрической проницаемости материала.
Способ контроля толщины изделий из диэлектрических материалов заключается в следующем.
Контролируемый объект приводят в соприкосновение с двумя емкостными преобразователями, обладающими различной глубиной проникновения электрического поля. Поле одного преобразователя проникает через весь контролируемый объект, и его емкость зависит от толщины объекта и диэлектрической проницаемости. Поле второго преобразователя проникает на небольшую глубину поверхностного слоя контролируемого объекта, и поэтому емкость второго преобразователя практически зависит только от диэлектрической проницаемости.
Математический анализ покззываег, что при равенстве относительньгх изменений емкостей преобразователей от изменения диэлектрической проницаемости д . С д . С д= д=
270258
Предмет изобретения
Составитель В. Иванова
Редактор Л. В. Калашникова Тсхред А. А. Камышникова Коррсктор Л. С. Веденеева
Заказ 2217/2 Тираж 480 Подписное
111!ИИП11 Комитста но аслам изобретсни!! и открьггий нрн Совете Министров СССР
Москва, )К-35, Раушская наб., д. 4/5
Типография, нр. Сапун ва, 2 тельных изменений емкости от пзмецсш!я диэлектрической проницаемости
С вЂ” С-. С и1— а отношение сигналов преобразователей С,/C однозначно определястся толщиной контролируемого объекта и свободно от его диэлектрической проницаемости.
Способ контроля толщины изделий из диэлектрических материалов, заключающийся в том, что контролируемый объект приводят в соприкосновение с двумя обладающими различной глубиной проникновения поля накладнымп емкостпымп преооразователямп с текущими емкостями С и С, начальными емкостями С„„и C,„, и чувствительностями к измедС, нению диэлектрической проницаемости д= с. и, отличаюи1иися тем, что, с целью устдя ранения погрешности. вызванной изменением диэлектрической проницаемости материала, применяют преобразователи, обеспечивающие равенство относительных изменений емкости от изменения диэлектрической проницаемости с . С С . С м — М I
15 дь да о толщине изделия судят по отношению сигналов (емкостей) преобразователей C,/C,

