Сверх высокочастотны и плазмотрон!п:>&т-1.. л=м-! [хн5!^еэдбмблиотена


H05H1/24 - Плазменная техника (термоядерные реакторы G21B; ионно-лучевые трубки H01J 27/00; магнитогидродинамические генераторы H02K 44/08; получение рентгеновского излучения с формированием плазмы H05G 2/00); получение или ускорение электрически заряженных частиц или нейтронов (получение нейтронов от радиоактивных источников G21, например G21B,G21C, G21G); получение или ускорение пучков нейтральных молекул или атомов (атомные часы G04F 5/14; устройства со стимулированным излучением H01S; регулирование частоты путем сравнения с эталонной частотой, определяемой энергетическими уровнями молекул, атомов или субатомных частиц H03L 7/26)
H05H1/18 - Плазменная техника (термоядерные реакторы G21B; ионно-лучевые трубки H01J 27/00; магнитогидродинамические генераторы H02K 44/08; получение рентгеновского излучения с формированием плазмы H05G 2/00); получение или ускорение электрически заряженных частиц или нейтронов (получение нейтронов от радиоактивных источников G21, например G21B,G21C, G21G); получение или ускорение пучков нейтральных молекул или атомов (атомные часы G04F 5/14; устройства со стимулированным излучением H01S; регулирование частоты путем сравнения с эталонной частотой, определяемой энергетическими уровнями молекул, атомов или субатомных частиц H03L 7/26)

 

270I3 jI

СП ИСАНИ Е

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Сониалис)нивских

P(;1: (I Ó () È )(È

Зависимое от авт. свидетельства №вЂ”

Заявлено 27.IV.1967 (№ 1264682, 26-25) с присоединением заявки ¹

Приоритет

Опубликовано 29.Х.1970 Б!Оллстспь ¹ 33

- Дата опубликования опис((ння 15.11.1971

1,л. 21р;, 61 00

Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР.Ч111; Í 05h

УДК 621.387.143(088.8) И. Й. Девяткин, А. С. Зусмановский, М. А. Иванов, В. П. С;I30!Ion, P. А. Силин, Н. И. Цемко и Л. M. Цейтлин

Авторы изобретения

Заяви 1 ель сС СОЮЗндя

I ЕЛ.10 ЕНА

C8EPXBlilC0I(0 ЛГЛ01 Н Ы Й ПЛЛЗМ01 Р011

Предмет нзобрете;(ня

Изобретение относится к элсктроразр)1,(н! 1 источникам газообразной плазмы.

Известны сверхвысокочастотные плазмотроны, в которых, плазма образуется в диэлектрической разрядной трубке, пронизывающей волновод. Их недостатком является малое время пребывания обрабатываемого вещества в плазме.

Предлагаемый плазмотрон отличается тем что он содер)кнт два источника питания, схема включения которых предусматривает нх попеременную работу. Источники питания по,соединены с помощью направленных ответвнтелсй к торцам отрезка волновода, внутри которого вдоль его оси размещена разрядная трубка. Длина отрезка волновода равна II) ãi(, проходимому плазменным образованием зч период работы одного источника питания.

Благодаря этому в плазматроне увеличен) время пребывания обрабатываемого вещества в,плазме, ll3 чертеже представлен предлагаемый плазматрон. Он состоит из д вуx. источников питания 1, например, магнетронов, отрезка волновода 2, к которому источники питания l,ïoëсоединены с помощью направленных ответвителей 3. Внутри волновода 2 расположена диэлектричсская разрядная трубка 4, концы которой выведены из волновода через запредечьI(lie окна 5.! ii()О 1 i i C ; I 11! 3 ×(!1 j)(i!! О,1(. I CIO! I!!I 11 ()() j);1:1(i 1.

Включается снстсх(а охлаждения и подачи илазмооб;)азу(ощего газа, а затем источник (5 II!IT3111(я 1. В j) 33pH3!(011 т р (.бке 4 Одним н3 н 3 в с с т н ьl х с Г1 О с 0 0 О!3 1! Од ж н Г а с т с я э,ч с кт 1) н 1 вскийй р;.13,.) H)(. ПО(. лс ни(во I3 и. (3331ОТ;) Он»

33 !3 IIIIIзl il ()еж(1 х(в н.!33.\1000 р3 3 Ill iil! Газ и(. !310т ОЙ()(1()атыв!!cx(Oc I)cLi(c т,0 в в!(дс Г 133, 10 н3 :!j) Ii(()!10) вОР(, ll 1!. Iн 113 P030 1(11.

)5 (.всрхвысокочастотный плазмотрон, содср)ii Il l(I!(1! 1(СТОЧННКН ПНТап(!Я, ОТРСЗОК ВО ЧНОВО13 и диэлектрическую разрядну(о трубку, от.!(1((а!Оиийся тем, что, с целью увеличения времени прсоывання в зоне электрического раз20 ряда обрабатываемых веществ, вводнх!!!х в разрядную трубку, он содержит два источника питания, схема включения которых предусматривает нх поперемснную работу, причем источники пнтан;!я подсоединены с по25 мощью (ьаправлс(гных ответвнтелсй к торцам отрезка волновода, внутри которого вдоль его ocll Р 33мсlнена 1) 33РЯДная тР) Ока и Д 1II 1(3 которог0 равна пути, IlpoxOднмому плазменным образованием за период работы одного

30 Iii точи яка инта 1(1!H.

270139

Составитель В. Рябий

Редактор Т. Орловская Техред Л. В. Куклина Корректор Т. А. Джаманкулоаа

Заказ 6674/2 — 70 Тираж 480 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, 7К-З5, Раушская наб., д. 4/5

ЦТ МО

Сверх высокочастотны и плазмотрон!п:>&т-1.. л=м-! [хн5!^еэдбмблиотена Сверх высокочастотны и плазмотрон!п:>&т-1.. л=м-! [хн5!^еэдбмблиотена 

 

Похожие патенты:
Наверх