Сверх высокочастотны и плазмотрон!п:>&т-1.. л=м-! [хн5!^еэдбмблиотена
270I3 jI
СП ИСАНИ Е
ИЗОБРЕТЕН ИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Союз Советских
Сониалис)нивских
P(;1: (I Ó () È )(È
Зависимое от авт. свидетельства №вЂ”
Заявлено 27.IV.1967 (№ 1264682, 26-25) с присоединением заявки ¹
Приоритет
Опубликовано 29.Х.1970 Б!Оллстспь ¹ 33
- Дата опубликования опис((ння 15.11.1971
1,л. 21р;, 61 00
Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров
СССР.Ч111; Í 05h
УДК 621.387.143(088.8) И. Й. Девяткин, А. С. Зусмановский, М. А. Иванов, В. П. С;I30!Ion, P. А. Силин, Н. И. Цемко и Л. M. Цейтлин
Авторы изобретения
Заяви 1 ель сС СОЮЗндя
I ЕЛ.10 ЕНА
C8EPXBlilC0I(0 ЛГЛ01 Н Ы Й ПЛЛЗМ01 Р011
Предмет нзобрете;(ня
Изобретение относится к элсктроразр)1,(н! 1 источникам газообразной плазмы.
Известны сверхвысокочастотные плазмотроны, в которых, плазма образуется в диэлектрической разрядной трубке, пронизывающей волновод. Их недостатком является малое время пребывания обрабатываемого вещества в плазме.
Предлагаемый плазмотрон отличается тем что он содер)кнт два источника питания, схема включения которых предусматривает нх попеременную работу. Источники питания по,соединены с помощью направленных ответвнтелсй к торцам отрезка волновода, внутри которого вдоль его оси размещена разрядная трубка. Длина отрезка волновода равна II) ãi(, проходимому плазменным образованием зч период работы одного источника питания.
Благодаря этому в плазматроне увеличен) время пребывания обрабатываемого вещества в,плазме, ll3 чертеже представлен предлагаемый плазматрон. Он состоит из д вуx. источников питания 1, например, магнетронов, отрезка волновода 2, к которому источники питания l,ïoëсоединены с помощью направленных ответвителей 3. Внутри волновода 2 расположена диэлектричсская разрядная трубка 4, концы которой выведены из волновода через запредечьI(lie окна 5.! ii()О 1 i i C ; I 11! 3 ×(!1 j)(i!! О,1(. I CIO! I!!I 11 ()() j);1:1(i 1.
Включается снстсх(а охлаждения и подачи илазмооб;)азу(ощего газа, а затем источник (5 II!IT3111(я 1. В j) 33pH3!(011 т р (.бке 4 Одним н3 н 3 в с с т н ьl х с Г1 О с 0 0 О!3 1! Од ж н Г а с т с я э,ч с кт 1) н 1 вскийй р;.13,.) H)(. ПО(. лс ни(во I3 и. (3331ОТ;) Он»
33 !3 IIIIIзl il ()еж(1 х(в н.!33.\1000 р3 3 Ill iil! Газ и(. !310т ОЙ()(1()атыв!!cx(Oc I)cLi(c т,0 в в!(дс Г 133, 10 н3 :!j) Ii(()!10) вОР(, ll 1!. Iн 113 P030 1(11.
)5 (.всрхвысокочастотный плазмотрон, содср)ii Il l(I!(1! 1(СТОЧННКН ПНТап(!Я, ОТРСЗОК ВО ЧНОВО13 и диэлектрическую разрядну(о трубку, от.!(1((а!Оиийся тем, что, с целью увеличения времени прсоывання в зоне электрического раз20 ряда обрабатываемых веществ, вводнх!!!х в разрядную трубку, он содержит два источника питания, схема включения которых предусматривает нх поперемснную работу, причем источники пнтан;!я подсоединены с по25 мощью (ьаправлс(гных ответвнтелсй к торцам отрезка волновода, внутри которого вдоль его ocll Р 33мсlнена 1) 33РЯДная тР) Ока и Д 1II 1(3 которог0 равна пути, IlpoxOднмому плазменным образованием за период работы одного
30 Iii точи яка инта 1(1!H.
270139
Составитель В. Рябий
Редактор Т. Орловская Техред Л. В. Куклина Корректор Т. А. Джаманкулоаа
Заказ 6674/2 — 70 Тираж 480 Подписное
ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР
Москва, 7К-З5, Раушская наб., д. 4/5
ЦТ МО

