Прибор для контроля качества полировки полупроводниковых пластин
ОПИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВЙДЕТЕЛЬСТВУ
Союз Советских
Социалистических
Республик
Зависимое от авт. свидетель .—. а М
Кл. 21g, 11/02
Заявлено 23.l l.1967 (№ 1135427/26-25) с присоединением заявки М
Приоритет
МПК H 011
УДК 621,382.2/3(088.8) Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров
СССР
Опубликовано ОЗ.XII.1969. Бюллетень ¹ 1 за 1970
Дата опубликования описания 23.1V.1970
Авторы изобретения
Ю. А, Концевой, М. М, Колтун и А. И. Татаренков
Заявитель
ПРИБОР ДЛЯ КОНТРОЛЯ КАЧЕСТВА ПОЛИРОВКИ
ПОЛ УПРОВОДН ИКОВЫХ ПЛАСТИ Н
Изобретение может быть использовано при прецизионной полировке поверхностей кристаллических материалов, например заготовок полупроводниковых приборов.
Известные приборы для контроля состояния поверхности, в которых для выделения необходимого спектрального интервала используют кварцевые призмы, входные и выходные щели, .параболические и поворотные зеркала, сложны по конструкции.
В предлагаемом устройстве призмы и дифракционные решетки отсутствуют, а интервал, соответствующий пику поглощения контролируемого полупроводникового материала, например кремния, выделяется автоматически с помощью прецизионно-полированных пластин, например, кремния,и связанного с ними селективного фотоприемника, максимум чувствительности которого соответствует пикуотражения исследуемого полупроводникового материала.
На чертеже представлена схема предложенного прибора.
Прибор содержит водородную лампу 1, кварцевую лампу 2, фильтр 8 из пластин кремния, обработанных окисью хрома (набор этих пластин практически вырезает диапазон
0,28 лтк, так как при остальных длинах волн коэффициент отражения резко снижается и составляет 30 — 40%), плоские зеркала 4, подставку 5, на которую устанавливают !исследуемые пластины б; модулятор 7; фотоумножитель 8 типа ФЭУ-57 или ФЭУ-39 с кварцевым входным окном; блок питания 9 водородной лампы; блок 10 регистрации фототока ФЭУ.
Прибор работает следующим образом.
Ультрафиолетовое излучение лампы, многократно отражаясь от стопки пластин кремния, практически становится состоящим из длин волн, лежащих в области 0,28 MK. Ïðè установке исследуемой пластины с более грубой обработкой сигнал во входном канале превышает сигнал в выходном канале. Вводя ослабитель света во входной канал, по его положению судят о качестве обработки пластины.
Прибор может быть выполнен по двухлучевой схеме. В этом случае сигнал от исследуемой пластины сравнивается с сигналом от эталонной пластины.
Предмет изобретения
Прибор для контроля качества полировки полупроводниковых .пластин, содержащий источник ультрафиолетового света, приспособления для фокусировки и модуляции света, диафрагму, устройство для регистрации сигнала фотоприемника, отличающийся тем, что, с целью повышения чувстительности прибора, он содержит устройство для многократного
30 отражения ультрафиолетового света, выпол258463
Составитель В. В. Шведова
Редактор Т. 3. Орловская Техред Т. П. Курилко
Корректор О. И. Усова
Заказ 778) 18 Тираж 499 Подписное
ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР
Москва 5К-35, Раушская наб., д. 4/5
Типография, пр. Сапунова, 2
Венное в виде набора прецизионно-полированных пластин того же материала, что и конгролир;емый, а также свлзанпый с этим устройством селективный фотоприемник, максимум спектральной чувствительности которого совпадает сО спектральным интервалом пика отражения контролируемого полупроводникового материала.
