Патент ссср 256086
Союз Советеких-j"
Воииалистических
Республик
256086
ОПИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Зависимое от авт. свидетельства №
Заявлено 28.V1.1968 (№ 1251931/26-25) с присоединением заявки №
Приоритет
Опубликовано 11 !!!.1971. Бюллетень № 10
Дата опубликования описания 28Х.1971.ЧПК Н 011 13!00
Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров
СССР
УДК 621.382.333(088.8) Авторы изобретения
Э. К. Белебашев, А. Н. Думаневич, Д. П. Ловцов, В. М. Рюмшин, Р. Е. Смолянский, Л. И. Файншмидт и В. В. Шмелев
Заявитель
ТИРИСТОР
Изобретение относится к области полупроводниковых приборов. Решается задача получения тиристора с распределенной шунтировкой в одном или обоих эмиттерах.
Известны тиристоры, у которых распределенная шунтировка выполнена с помощью локальных выходов базовой области через эмиттерный р — n-переход на поверхность эмиттерного электрода.
Предлагаемое устройство отличается от известных тем, что, с целью повышения эффективности шунтировки, улучшения теплоотвода и упрощения технологии изготовления, локальный шунт выполнен в виде металлической перемычки с концентрацией примеси порядка
10- з 1/пмс, соединяющей базовую область прибора с омическим контактом к эмиттерному р — и-переходу и создающей в базовой области прибора одноименный тип проводимости.
На чертеже изображен разрез части тиристора с элементарным шунтом к эмиттерному р — n-переходу, где 1 — омический контакт к эмиттерному р — и-переходу; 2 — эмиттерный и-сло"; 8 — базовый р-слой тиристора; 4 — эмиттерный р — n-переход тиристора; 5 — коллекторный р — и-переход тиристора; б — локальный металлический шунт; 7— катодная клемма; 8 — анодная клемма; 9— базовый и-слой тиристора.
Устройство работает следующим образом.
При подаче положительного смещения на тиристор («+» на клемму 8 и « — » на клемму 7) к переходу 4 прикладывается прямое
5 смещение, которое должно вызвать инжекци о электронов в базовый слой 8. Так как переход
4 зашунтирован шунтом б с малым сопротивлением, его смещения в прямом направлении не происходит, и инжекция электронов из слоя
l0 2 в слой 8 отсутствует. В то же время в базовый слой 8 поставляется дырочная составляющая обратного тока центрального р — n-перехода 5 и часть дырочного тока от противоположного эмиттера. Благодаря этому через метал15 лический шунт б в слой 8 протекает ток. При этом шунт эффективно фокусирует линии тока, так как между слоем 8 и шунтом существует рекристаллизованный слой с проводимостью, одноименной с базовой.
Кроме того, шунт б обладает большой теплопроводностью и эффективно отводит тепло.
Когда ток, собираемый шунтом, достигает определенной величины, напряжение в нем ста25 новится равным или большим контактной разности потенциалов; переход 4 открывается, при этом тиристор включается.
Конструкция может быть реализована методом термокомпрессии или сплавления.
256086
Предмет изобретения
Составитель О. Б. Федюкова
Редактор Л. В. Калашникова Техред Л. Л, Евдонов Корректор О. М. Ковалева
Заказ 1404/19 Изд. 533 Тираж 473 Подписное
ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР
Москва, Ж-35, Раушская наб„д. 4/5
Типография, пр. Сапунова, 2
Тиристор, содеряащий четыре или более слоя чередующихся типов проводимости и имеющий шунтировку по крайней мере одного эмиттерного р — n-перехода, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности шунтировки, упрощения технологии изготовления, локальный шунт выполнен в виде металлической перемычки с концентрацией примеси порядка 10» 1/смз, соединяющей базовую область прибора с омическим контактом к эмнттерному р — и-переходу и создающей в базовой области прибора одноименный тип проводимости.
