Полупроводниковое устройство

Сок)з Советских ! 397762

orlИСАНИК

ИЗОБРЕТЕНИЯ I

Социалистических

Республик

11 АВТОР(ЛОМУ СВИДЕТЕЛЬСГВУ

Зав1:с1(х)ое от авт. свидетельств», )в!

1 !

Кл. 21д, 11/02

21г1 -, 12, 03

"- аявлено ЗО.Х1.1965 (№ 1040577/26-25) с присоединением заявки ¹ 1042849/26-25

МПК Н Oii

?1 02m

УД1< 621.364.2:621,315..592(088.8) Приоритет

Комитет па делам изобретеике и открытии при Совете Министров

СССР

Опубликовано 09.)/1.1967. Ьюллетень № 13

), (()

Jв! 1 в! Оfl)(). икоfэсf ни . 0TIèñàí!iя:. .). i ) . (об

-(,. (),, с

Авторы

iiзоо1)стен! я

А. А. Сакович, Д. П. Брунштейн, 1. Ф. Данько, 1G. 1)1. Иньков, H. В. Зайцев, Ю. H. Хихоттов, Ю. М. Локтаев, И. M. Веселова и Л. Ф. Свиридов

Всесоюзный электротехнический институт им. В, И. Ленина

Заяв)лел ь

ПОЛУИРОВ()ДИ ИКОВОЕ УС1 Р01)1СЧ ВО

Известные полупроводниковые устройства содержат четырехслойную p — и — р — n и двухслойную p —. — n структуры.

Предлагаемое устройство отличается от известных тем, что внешний и-слой четырехслойной структуры соединен со слоем р двухслойной структуры через источник электрических импульсов чередующейся полярности. При. чем время жизни неосновных носителей заряда четырехслойной структуры меньше, чем время жизни неосновных носителей заряда в двухслойной структуре настолько, что она переходит в запертое состояние раньше, чем прекратится протекание тока в двухслойной структуре.

Н а чертеже изображена принципиальная электрическая схема устройства для управления током одного направления.

Она содержит положительный полюс 1 источника тока, нагрузку 2, контакт 8 к структуре; четырехслойную 4 и двухслойную 5 структуры; отрицательный полюс б источника тока; контакт 7 к двухслойной структуре; контакт 8 к четырехслойной структуре; источник

9 э. д. с.; управляющий электрод 10.

Положительный полюс 1 источника постоa!!I!ofo;ока через нагрузку 2 подастся на контакт 8 сложной полупроводниковой структуры, включающей четырехслойну)о 4 и двухслойную 5 структуры. Внешний и-слой структуры 4 11 п-слой струк уры 5 соединень) контактом, а внешний и-слой структуры 4 и р-слой структуры 5 подводятся к минусовому полюсу б источника тока. Между контактами

7 и 8, например, путем изменения магнитного потока в магнитопроводе, охватывающем кон fvp, создается э. д. с. Прн условии выбора параметров четырех- и двухслойной структур таким образом, что время рекомбинации носителей заряда в четырехслойной структуре з1 ачительно меньше, чем в двухслойной, четырехслойная структура перейдет в загертое состояние прежде, чем око)гчится протекание тока остагочных носителей в двух.лойной структуре. При прекращении тока остаточных носителей в двухслойной структуре ток во внешней цепи прерывается и для ио!(горения процесса отпираюший сигнал подается на электрод управления четырехслойной структуры.

Предмет изобретения

Полупроводниковое устройство. содержащее четырехслойную структуру р — и — р — и и двухслойну ю р — t — n структуру, ог личающееея тем, что, с целью полного уflðàâëåflèÿ электрической мощностью, р — — n структура и:(feет время жизни неосновных носителей больше, чем в четырехслойной структуре, и подключена к четырехслойной структуре через источник

30 электрических импульсов чередующейся полярностии.

197762

Заказ 2177(7 Тираж оо35 Подписпо

ЦНИИПИ Комитета по дела,. изобретений и открытий при Совете Министров СССР ((lосква, Центр, пр. Серова, д. 4

Типография, пр. Сапунова, 2

Составитель О. Федюкина

Редактор Н, Джарагетти Текред T. П, Куриако

1(орректоры; Н. В. Черетаева и T. Д. Чунаева