Г еп;?лизт?:1{л
ОПИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
25498 9
Союз Советских
Социалистических
Республик
Зависимое от авт. свидетельства ¹
Заявлено 07.т/1.1966 (№ 1081551/22-1) с присоединением заявки №
Приоритет
Опубликовано 17.Х.1969. Бюллетень ¹ 32
Дата опубликования описания 2.IV.1970.
Кл. 48а, 5/36 комитет по лелем изобретений и открытий при Совете Министров
СССР
МПК С 23Ь
УДК 621.357.7:
:669.3 5(088.8) Авторы изобретения
И. E. Гуревич и А. А, Гончаренко т" -- -"."- ",,;I
Уральский политехнический институт им. С. М. Капова
Заявитель
СПОСОБ ЭЛЕКТРОЛИТИЧЕСКОГО ОСАЖДЕНИЯ СПЛАВА
МЕДЪ вЂ” ЦИНК
Предмет изобретен ия
32 — 38, 36 — 38, 240 — 280, до р Н = 11,2 — 12,2, 0,8 — 1,0, 0,1 — 0,2 сернокислая медь сернокислый цинк сегнетова соль едкий натр желатина р-нафтол
Изобретение относится к способам электроосаждения сплавов.
Известен способ электроосаждения сплава медь — цинк из электролита, содержащего сернокислые соли меди и цинка, едкий натр и комплексообразователь. В качестве комплексообразователя используют винную кислоту.
Предложенный способ отличается от известного тем, что комплексообразователем служит сегнетова соль и в электролит вводят 10 органические поверхностноактивные вещества — желатину и р-нафтол. Такой способ позволяет получать мелкокристаллические осадки сплава при высоких плотностях тока.
Способ, согласно изобретению, заключает- 15 ся в том, что осаждение сплава медь — цинк ведут в электролите, содержащем, г/л: сернокислой меди 32 — 38; сернокислого цинка 36—
38; сегнетовой соли 240 — 280; едкого натра до рН=11,2 — 12,2; желатины — 0,8 — 1,0; р- 20 нафтола — 0,1 — 0,2.
Процесс ведут при температуре 30 — 50 С, плотности тока — 5 — 7 а/дм2 и обязательном перемешивании электролита воздухом.
При этом получаются мелкокристалличе- 25 ские плотные осадки толщиной до 50 — 100 мк, соответствующие латуни марки от Л 65 до
Л 90.
Спо" об электролитического осаждения сплава медь — цинк из электролита, содержащего сеонокислые соли меди и цинка, едкий натр и комплексообразователь, отличаюитийся тем, что, с целью получения мелкокристаллических осадков сплава при повышенных плотностях тока, в качестве комплексообразователя используют сегнетову соль и в электролит вводят желатину и р-нафтол при следующем соотношении компонентов, г/л: и процесс ведут при температуре 30 — 50 С, плотности тока — 5 — 7 а/дм- и перемешивании электролита воздухом,
