Травитель для обработки поверхности полупроводников
ОП ИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
232003
Союз Советскив
Социалистических
Республик
Зависимое от авт. свидетельства ¹
Заявлено 11.VI11.1967 (№ 1179111/22-1) с присоединением заявки №
Приоритет
Опубликовано 28.Х1.1968. Бюллетень ¹ 36
Дата опубликования описания 24.11 .1969
1<л. 48дт, 3/00
Комитет ао делам изобретений и открытий ори Совете Министров
СССР
МПК С 23f
УДК 621.794.422:669,872 (088.8) Авторы изобретения
Э. И. Бриллиантов и И. И. Наслузов
Заявитель
TPA8H 1 EËÜ ДЛЯ ОБРАБОТКИ ПОВЕРХНОСТИ
ПОЛ УП РОВОДН И КО В
Известный травптель на основе винной кислоты и перекиси водорода для травления антимонида индия имеет небольшую скорость травлсния.
Предложенный травитель отличается от известного тем, что, с целью улучшения качества и увеличения скорости травления, в раствор вводят азотную и плавиковую кислоты при следующем соотношении компонентов (в объемах): винная кислота (26 — 27%) 20 пер еки сь водорода (30%) 7 азотная кислота (65%) 1
inлавиковая кислота (40%) 1
Предложенный травитель используют при травлении образцов антимонида индия р- и п-типов ориентированных по плоскости (110) и (100). При комнатной температуре скорость травления составляет 3,5 — 4,5 лг/сит- лшн, прп этом получают ровную зеркально-полированную повер.хность
Предмет изобретения
Травитель для обработки поверхности полу,проводников, на|пример антимонида индия, на основе винной кислоты и перекиси водорода, тО отличающийся тем, что. с целью увеличения скорости и улучшения качества травления, в раствор вводят азотную и плавиковую кислоты, при следующем соотношении компонентов (в объемах): винная кислота (26 — 27% ) 20 перекись водорода (30 „, ) 7 азотная кислота (65",, ) 1 плавиковая кислота (40%) 1
