Способ получения антистатического покрытия
ОПИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Союз Советских
Социалистических
Рспублик -ГфЗМ, Зависимое от авт. свидетельства ¹
Заявлено 18.VI II.1967 (№ 118122С/23-4) Кл, 57 О. с присоединением заявки :¹.ЧПК 6 03с
У, 1, К 771.52 « .35 (088.8) Приоритет
Опубликовано 15.Х!.1968. Бюллетень ¹ 35
Дата опубликования описания 14.III.1969
Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров
СССР 11 тпт. з««л i
Авторы изобретения Г. П. Крупнов, А. М. Болотовская, H. Г, Константинова и И. Я. Ковшова
Заявитель Всесоюзный научно-исследовательский институт химико-фотографической промышленности
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ АНТИСТАТИЧЕСКОГО ПОКРЫТИЯ
CH — eH2, Н (o),гоИзобретение касается области получения антистатического покрытия для фотографических пленок.
Известен способ получения антистатического покрытия нанесением на подложку слоя, содержащего четвертиченую соль поли-Свинилпиридина с галогеноацетилом.
Цель изобретения — увеличение электропроводности фотографических пленок.
Предлагаемый способ получения антистатического покрытия состоит в том, что на подложку наносят слой, содержащий четвертичные соли поли-С-винилпиридина с остатками диэфиров фосфористой кислоты общей формулы где R — алкил или замещенный алкил; X— водород или алкил; n= 1000.
Такие соли доступны и могут быть получены при взаимодействии поли-С-винилпиридинов с диэфирами фосфористой кислоты.
Например, поли-2-метил-5-винилпиридинийдиметилфосфат (n=1000) получают следующим образом.
119 г поли-2-метил-5-винилпиридина с молекулярным весом 120000 растворяют в 1,5 л метанола, к раствору добавляют 110 г диметилфосфористой кислоты. Затем реакционну«о смесь нагревают на водяной бане до тех по1, пока проба будет полностью растворяться в воде. Полимер высаживают из реакционной смеси 4 .г петролейного эфира. После персосаждения из 1,5 л метанола и высушивания до постоянного веса получают 170 г полимера (78%) .
10 По данным анализа на фосфор полимер содержит 75!, 0 четьертичной соли.
Аналогично получают другие соли поли-Свинилпиридина с диэфирами фосфористой кислоты.
На основе четвертичных солей готовят лаки и наносят на фотографическ1 «О подлогк1л..
Концентрация соли в лаке может быть от 0,1 до 1>, о, предпочтительно 0,5",о.
Пример 1. На ацетилцслгнолозную подложку (с содержанием связаннои уксусной кислоты 60,5,:) методом купающегося валика наносят раствор 0,5 г поли-2-метил-5-винилпиридинийдиметилфосфпта в смеси растворителей: вода (3,8 11.1), метанол (74,4 1« 1), ацетон (19,2 !О«), бутанол (2,6 ло«). Высушенный слой прозрачен и имеет хорошую адгезшо к почлож ке.
Пример 2. На ацетилцеллюлозную под.«ожку, знало«ично примеру 1, наносят раст30 вор 0,5 г поли-2-мегил-5-винилпиридинийдиоктилфосфита в смеси растворителей: вода
231320
Предмет изобретения (3,8 мл), метанол (74,4 мл), ацетон (19,2 ил), бутанол (2,6 ил). Высушенный слой прозрачен и имеет хорошую адгезию к подложке.
Пример 3. На ацетилцеллюлозную подложку, аналогично примеру 1, наносят раствор 0,5 г поли-2-метил-5-винилпиридиний-ди+ этоксиэтилфосфита в смеси растворителей: вода (4 мл), метанол (62,6 мл), ацетон (28,4 мл), бутанол (5 мл). Высушенный слой прозрачен и имеет хорошую адгезию к подложке.
Электропроводность триацетилцеллюлозной подложки с покрытием следующая.
Соединение (и = 1000) 15
О, 18 1Ф
0,2 10"
Составп гель Э. Рамзова
Редактор Л. Герасимова Техред А. А. Камышникова Корректор В. В. Крылова
Заказ 299 20 Тираж 530 Подписное
ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР
Москва, Центр, пр. Серова, д. 4
Типография, пр. Сапунова, 2
Пленка без покрытия .
Поли-2-метил-5-винилпиридинийдиметилфосфит
Поли-2-метил-5-винилпиридинийдиэтилфосфит
Поли-2-метил- 5-винилдиоктилпиридинийфозфит
Поли-2-метил-5-винил-ди-3-энюксиэтилпиридинийфосфит .
Поли-4-винилпиридинийэтилфосфит
0,1 10"
0,1 10п
0,1 10"
0,2 . 10"
Способ получения антистатического покрытия для фотографических пленок нанесением на подложку слоя, содержащего четвертичные соли поли-С-винилпиридина, отличающийся тем, что, с целью увеличения электропроводности фотопленок, применяют соли с остатками диэфиров фосфористой кислоты общей фор10 мулы где Я вЂ” алкил или замещенный алкил;
20 Х вЂ” водород или алкил; п = 1000,
