Способ изготовления подложки для втсп покрытий на основе mgo - керамики и серебра
Авторы патента:
Использование: в криоэлектронике, при изготовлении пленочных элементов, обладающих высокотемпературной сверхпроводимостью (ВТСП). Сущность изобретения: в исходный порошок MgO вводят 30-70 мас.% серебра, затем порошок прессуют. Перед обжигом введены операции предварительного обжига при температуре порядка 1000С, уплотнения поверхностей с помощью тугоплавких материалов, а после обжига операция шлифования рабочей поверхности до формирования необходимых поверхностных свойств. Технический результат изобретения - повышение качества ВТСП покрытий вследствие увеличения поверхностной концентрации серебра путем увеличения его исходной концентрации в пределах 30-70 мас.% и удержания внутри подложки. 4 ил.


















Формула изобретения
Способ изготовления подложки для ВТСП покрытий на основе MgO-керамики и серебра, при котором готовят смесь порошков MgO и серебра, затем ее прессуют и обжигают, отличающийся тем, что смесь содержит от 30 до 70 мас.% серебра, перед обжигом проводят предварительный обжиг при температуре порядка 1000
РИСУНКИ
Рисунок 1, Рисунок 2, Рисунок 3, Рисунок 4
Похожие патенты:
Изобретение относится к способам создания слабых связей, используемых в высокочувствительных системах на пленочных YBaCuO ВТСП-сквидах
Изобретение относится к области формирования пленочных сверхпроводников, сверхпроводящих композиций и проводников на их основе
Изобретение относится к получению структур "металл/диэлектрик/высокотемпературный сверхпроводник" или MIS-структур
Изобретение относится к сверхпроводниковой технике, в частности к формированию структуры типа SIS
Изобретение относится к технологии получения монокристаллов сверхпроводниковых соединений для производства устройств сверхпроводниковой электроники
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при производстве интегральных схем и гибридных интегральных схемах для изготовления сверхпроводящих квантовых интерференционных детекторов и других высокотемпературных сверхпроводящих толстопленочных элементов
Изобретение относится к области получения сверхпроводников, сверхпроводящих композиций и проводников на их основе
Изобретение относится к области измерительной техники, а точнее к способам измерения параметров сверхпроводящих материалов, в частности силы пиннинга
Способ получения сверхпроводящих изделий // 2247445
Изобретение относится к криогенной технике и может быть использовано при получении сверхпроводящих изделий в линейных и циклических ускорителях, а также в сепараторах частиц высокой энергии
Изобретение относится к деформационной обработке материалов и может быть использовано для получения изделий, в том числе массивных, из высокотемпературных сверхпроводящих (ВТСП) керамик с высокой токонесущей способностью в форме диска, кольца, прутка, трубки, листа, ленты, которые применяются в накопителях энергии, устройствах магнитной левитации, криогенных электродвигателях, ускорителях, магнитных экранах, токовводах
Изобретение относится к криоэлектронике и может быть использовано при изготовлении экранирующих элементов из высокотемпературных сверхпроводников (ВТСП)
Изобретение относится к области получения сверхпроводников и может быть использовано в электротехнической, радиотехнической и других отраслях промышленности при получении сверхпроводящего интерметаллического соединения внутри пленочного несверхпроводящего покрытия
Изобретение относится к тонкопленочной технологии, в частности к изготовлению гибридных интегральных микросхем (ГИМС)
Способ изготовления сферического магнитного экрана из высокотемпературного сверхпроводника // 2298259
Изобретение относится к криоэлектронике и может быть использовано при изготовлении экранирующих устройств из высокотемпературного сверхпроводника (ВТСП)
Изобретение относится к электронным устройствам, использующим высокочувствительные системы на базе пленочных высокотемпературных СКВИДов
Изобретение относится к криоэлектронике и может быть использовано для получения высокотемпературных сверхпроводниковых (ВТПС) пленочных элементов и схем
Изобретение относится к сверхпроводниковым приборам, использующим высокочувствительные структуры на базе пленочных высокотемпературных сверхпроводников