Способ прямого восстановления галогенидов
Изобретение относится к химической и технической физике, металлургии и предназначено для получения нанодисперсных порошков или нанокристаллических пленок из восстанавливаемого вещества. В предложенном способе прямого восстановления галогенидов, включающем подачу галогенидов в газообразном состоянии и восстановителя в газообразном состоянии в реактор, обработку смеси газов в объеме реактора энергетическим воздействием, согласно изобретению для инициирования цепного химического процесса обработку осуществляют без дополнительного нагрева внешним импульсным энергетическим воздействием с длительностью не более 10-5 секунды. Обеспечивается снижение энергоемкости процесса. 4 з.п. ф-лы, 1 ил.
Изобретение относится к химической и технической физике, металлургии и предназначено для получения нанодисперсных порошков или нанокристаллических пленок из восстанавливаемого вещества.Известен способ (Королев Ю.М, Столяров В.И. Восстановление фторидов тугоплавких металлов водородом. М.: Металлургия, 1981, с.7) прямого восстановления оксидов и галогенидов при нагревании до высокой температуры газофазных соединений в смеси с молекулярным водородом.Недостатком данного способа является необходимость нагревания зоны химической реакции, что требует значительных энергозатрат. Например, процесс прямого восстановления гексафторида вольфрама в атмосфере молекулярного водорода начинается при температуре 300°С и протекает наиболее эффективно при t>600°С. Кроме того, нагрев стенок реактора ведет к загрязнению конечных продуктов технологического процесса материалом стенок реактора и продуктами десорбции.Наиболее близким к предлагаемому способу является выбранный нами за прототип способ проведения химических реакций (Патент RU 2118912, МПК 6 С1, В 03 С 3/00, публ. 20.09.1998 г.). Способ включает подачу исходных веществ в газообразном состоянии в область барьерного электрического разряда и обработку смеси газов в объеме реактора энергетическим воздействием. Здесь восстановление оксидного сырья и галогенидов осуществляется колебательно-возбужденными молекулами водорода без нагрева восстанавливаемого оксида или галогенида. Снижение энергоемкости процесса восстановления оксидного сырья и галогенидов достигается за счет того, что энергия поступательных степеней свободы (или фактор температуры) в указанных процессах при преодолении активационного барьера заменяется на энергию колебательных степеней свободы.Недостатком данного способа является высокая энергоемкость процесса, требующая вложения в реагирующие компоненты полной энергии их диссоциации.Основной технической задачей предложенного решения является разработка экономичного способа восстановления галогенидов с получением продуктов в виде, удобном для дальнейшего использования (ультрадисперсные порошки, химически чистые вещества и соединения и т.д.). Экспериментально нами получено снижение энергоемкости более чем в 80 раз.Основная техническая задача достигается тем, что в способе прямого восстановлении галогенидов, включающем подачу галогенидов в газообразном состоянии и восстановителя в газообразном состоянии в реактор, обработку смеси газов в объеме реактора энергетическим воздействием, согласно предложенному решению для инициирования цепного химического процесса обработку осуществляют без дополнительного нагрева внешним импульсным энергетическим воздействием с длительностью не более 10-5 секунды. Кроме того, в качестве восстановителя используют молекулярный водород или молекулярный азот. Целесообразно в качестве внешнего импульсного энергетического воздействия использовать импульсное лазерное или некогерентное излучение с энергией кванта излучения, превышающей энергию диссоциации молекулы галогенида. Также целесообразно в качестве внешнего импульсного энергетического воздействия использовать импульсный электронный пучок, энергия электронов которого превышает энергию диссоциации молекулы галогенида. Кроме того, в качестве внешнего импульсного энергетического воздействия целесообразно использовать импульсный газовый разряд в объеме реактора.Проведенный заявителем анализ уровня техники позволил установить, что аналоги, характеризующиеся совокупностями признаков, тождественные всем признакам заявляемого способа, отсутствуют. Следовательно, изобретение соответствует условию патентоспособности "новизна".Результаты поиска известных решений в данной и смежных областях техники с целью выявления признаков, совпадающих с отличительными от прототипа заявленного изобретения, показали, что они не следуют явным образом из уровня техники.Из определенного заявителем уровня техники не выявлена известность влияния предусматриваемых существенными признаками изобретения преобразований на достижение указанного технического результата. Следовательно, изобретение соответствует условию патентоспособности "изобретательский уровень".Пример конкретного выполнения. На чертеже приведена схема установки для прямого восстановления галогенидов. Восстанавливаемый галогенид в газообразном состоянии подают через трубку 1 в объем реактора 2. Через трубку 3 в объем реактора подают восстановитель в газообразном состоянии. Через окно 4 на смесь газов в реакторе производится внешнее импульсное энергетическое воздействие. Т.к. под действием внешнего импульсного энергетического воздействия происходит разложение галогенида с образованием атомарного или молекулярного галогена (например, фтора при разложении гексафторида вольфрама), оба реагирующих компонента находятся в газообразном состоянии, то в смеси галогена с восстановителем и исходным галогенидом в объеме реактора инициируется цепной процесс. Продукты реакции в виде мелкодисперсного порошка (или пленок) собираются на дне реактора (или на подложках) и удаляются через окно 5. Побочные продукты реакции в газообразном состоянии (НСl, HF, NF3 и т.д.) удаляются через трубку 6. Процесс восстановления галогенида можно осуществлять как в цикличном режиме (напуск газа

Формула изобретения
1. Способ прямого восстановления галогенидов, включающий подачу галогенидов в газообразном состоянии и восстановителя в газообразном состоянии в реактор, обработку смеси газов в объеме реактора энергетическим воздействием, отличающийся тем, что для инициирования цепного химического процесса обработку осуществляют без дополнительного нагрева внешним импульсным энергетическим воздействием с длительностью не более 10-5 с.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве восстановителя в газообразном состоянии используют молекулярный водород или молекулярный азот.3. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что в качестве внешнего импульсного энергетического воздействия используют импульсное лазерное или некогерентное излучение с энергией кванта излучения, превышающей энергию диссоциации молекулы галогенида.4. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что в качестве внешнего импульсного энергетического воздействия используют импульсный электронный пучок, энергия электронов которого превышает энергию диссоциации молекулы галогенида.5. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что в качестве внешнего импульсного энергетического воздействия используют импульсный газовый разряд в объеме реактора.РИСУНКИ
Рисунок 1
Похожие патенты:
Изобретение относится к мелкозернистому железу, содержащему фосфор, и способу его получения путем реакции пентакарбонила железа с жидким фосфорным соединением, в частности РН3, в газовой фазе
Изобретение относится к металлосодержащим порошкам, в частности к тонкодисперсному металлосодержащему порошку и способу его получения
Способ получения порошка железа // 606513
Изобретение относится к порошковой металлургии, в частности к способам получения порошка железа, используемого для изготовления металлокерамических изделий
Патент 411962 // 411962
Патент 402568 // 402568
Патент 402566 // 402566
Способ получения металлических порошков // 349491
Способ получения металлических порошков // 298675
Способ получения жидкой дисперсии, содержащей металлические частицы субмикронного размера // 2237547
Изобретение относится к получению металлических порошков, используемых предпочтительно для включения в суспензии и пасты, предназначенные для гальванических элементов
Изобретение относится к получению порошков чистых металлов и соединений металлов субмикронного размера в ванне с жидкостью
Изобретение относится к порошковой металлургии, в частности к получению нанодисперсных порошков оксида металла серебра
Способ производства металлических порошков // 2356698
Изобретение относится к способу производства сверхмелких сферических металлических порошков методом химического осаждения из газовой фазы и разложения и может найти применение в производстве миниатюризированных деталей и сборочных узлов
Изобретение относится к устройствам для получения порошка карбонильного железа
Изобретение относится к химической промышленности, в частности к получению диоксида титана путем окисления жидкого тетрахлорида титана
Изобретение относится к порошковой металлургии, в частности к производству металлических наноразмерных порошков
Изобретение относится к порошковой металлургии. Способ получения ультрадисперсного порошка титана с размером частиц 10-2000 мкм включает подачу тетрахлорида титана в камеру электродугового плазмотрона постоянного тока с обеспечением взаимодействия тетрахлорида титана с потоком водородной плазмы, охлаждение и конденсацию порошка в приемном бункере. Подачу тетрахлорида титана в камеру электродугового плазмотрона ведут через плазменную горелку с конфузорно-диффузионным соплом с обеспечением получения заданного размера частиц путем изменения силы постоянного тока плазмотрона в диапазоне 100-500 А и расхода тетрахлорида титана в диапазоне 1-5 г/с. Обеспечивается получение порошка с максимальным выходом заданной фракции. 1 табл., 7 пр.
Устройство и способ изготовления частиц // 2623935
Группа изобретений относится к конденсации твердых частиц материала из газовой фазы. Способ включает формирование непрерывного питающего газового потока, содержащего насыщенный пар материала, с инжектированием указанного потока через входное отверстие в свободное пространство реакционной камеры в виде питающей струи, распространяющейся от входного отверстия, и охлаждение питающей струи в свободном пространстве реакционной камеры с обеспечением конденсации из нее твердых частиц материала. Охлаждение питающей струи ведут посредством по меньшей мере одной непрерывной струи охлаждающей текучей среды, которую инжектируют в реакционную камеру. Питающую струю формируют путем пропускания питающего газового потока под давлением, превышающим давление в реакционной камере, через установленное на входе в реакционную камеру инжекционное сопло с выходным отверстием прямоугольного поперечного сечения. Охлаждающая текучая среда пересекает питающую струю под углом 30-150°. Предложен также аппарат для конденсации твердых частиц материала из газовой фазы. Обеспечивается получение твердых частиц микронного, субмикронного или нанометрового размера с узким распределением по размерам. 2 н. и 20 з.п. ф-лы, 13 ил., 1 табл.
Способ получения порошка карбонитрида титана // 2638471
Изобретение относится к получению порошка карбонитрида титана. Способ включает генерирование потока термической плазмы в плазменном реакторе с ограниченным струйным течением, подачу в поток термической плазмы паров тетрахлорида титана, газообразного углеводорода и азота с обеспечением их взаимодействия, осаждение порошка карбонитрида титана на стенки реактора с температурой в диапазоне 300-700°С и последующее его удаление. Обеспечивается снижение содержания примесей хлора в порошке. 1 пр.