Способ твердофазного синтеза шихты для выращивания монокристаллов лантангаллиевого силиката
Изобретение относится к получению шихты для выращивания монокристаллов лантангаллиевого силиката методом Чохральского. Задачей изобретения является получение профилированных таблеток шихты для выращивания монокристаллов лантангаллиевого силиката и сокращение предварительных операций подготовки шихты. Взвешенные в расчетном стехиометрическом соотношении исходные компоненты - оксид лантана, оксид галлия и оксид кремния - перемешиваются в полиэтиленовой банке, помещенной в смеситель типа "пьяной бочки", и полученная смесь оксидов засыпается в алундовый тигель, а именно в пространство между его внутренними стенками и алундовым стержнем, установленным в центральной части тигля. Диаметр алундового тигля подбирается равным диаметру иридиевого тигля, используемого для дальнейшего выращивания монокристалла из шихты. Спекание проводится при температуре 1400°С в течение 4 ч. Техническим результатом предлагаемого способа является сокращение предварительных операций, получение профилированных таблеток необходимой массы и размеров для заполнения всего объема иридиевого тигля при выращивании из него монокристалла и избежание нарушения стехиометрии расплава.
Изобретение относится к твердофазному синтезу шихты для выращивания монокристаллов, а более конкретно к способу твердофазного синтеза шихты для выращивания монокристаллов лантангаллиевого силиката методом Чохральского.
Известен способ синтеза шихты для выращивания монокристаллов лантангаллиевого силиката путем нагрева смесей соответствующих химически чистых оксидов до температуры 1150-1200oC с последующей выдержкой при этой температуре в течение 4-5 ч (Монолитные фильтры на основе кристаллов лангасита, работающие на основных колебаниях сдвига /Сахаров С.А., Ларионов И.М., Медведев А.В. // Зарубежная радиоэлектроника, N 9-10, 1994). Недостатком данного способа является получение многофазовой смеси (La3Ga5SiO14+LaGaO3+ Ga2O3+SiO2), содержание в которой лантангаллиевого силиката составляет менее 5%, а более 90% - смесь галлата и оксида галлия, что при последующем наплавлении способствует улетучиванию оксида галлия, а следовательно, нарушению стехиометрии. Наиболее близким по технической сущности и достигаемому результату является получение пьезоэлектрического материала на основе лангасита (А.С. 1506951 СССР, Пьезоэлектрический материал на основе лангасита // М.Ф.Дубовик, И. А. Андреев, Т. И. Коршикова и др. , C 30 B 29/34, 15/00, заявка 4294668/23-26 от 10.08.87), согласно которому взвешенные в pacчетном стехиометрическом соотношении исходные компоненты перемешивают насухо в барабанах со стержневыми мелющими телами, увлажняют водой (100 мл воды на 1 кг смеси) и таблетируют порошок при удельном давлении прессования 250 МПа. После сушки таблетки обжигают в камерных печах при 1400
Формула изобретения
Способ твердофазного синтеза шихты для выращивания монокристаллов лантангаллиевого силиката, включающий смешивание исходных оксидов лантана, галлия, кремния, взятых в стехиометрическом соотношении, их нагрев до температуры 1400oC, выдержку в течение 4 ч, отличающийся тем, что шихта спекается в пространстве между внутренними стенками алундового тигля с диаметром, равным диаметру тигля для выращивания монокристалла, и алундовой трубкой, установленной в его центральной части.