Способ получения композиционного материала
Изобретение относится к производству высокотемпературных материалов и может быть использовано в качестве теплонагруженных узлов ракетно-космической техники, в автомобиле- и тракторостроении для изготовления узлов очистки выхлопных газов, подшипников скольжения, торцевых уплотнений и пр. Способ включает осаждение карбида кремния из газовой фазы, содержащей метилсилан CH3SiH3, на пористый каркас. Способ позволяет увеличить однородность композита по составу и физико-механическим характеристикам, обеспечить экологически чистый процесс и снизить температуру получения композита. 3 з. п. ф-лы.
Изобретение относится к производству высокотемпературных композиционных материалов, в том числе обладающих высокой окислительной стойкостью и может быть использовано в теплонагруженных узлах ракетно-космической техники, в автомобиле- и тракторостроении для изготовления узлов очистки выхлопных газов, подшипников скольжения, торцевых уплотнений и пр.
Основным реагентом, используемым в настоящее время для получения композитов с карбид-кремниевой матрицей и покрытий из пиролитического карбида кремния, является метилтрихлорсилан CH3SiCl3 (МТС). Известно, что осаждение SiC из МТС проводят с достаточной скоростью в области температур 1000-1200oC или выше; при этом для получения композита используют градиент температуры и принудительную фильтрацию газа через каркас (D.P. Stinton, A.J.Caputo & R.A. Lowden. Synthesis of Fiber- Reinforced SiC Composites by Chemical Vapor Infiltration. -Am. Ceram. Soc. Bull., vol.65, No.2, 1986, p.p.347-350), импульсную подачу реагента (К. Sugiama, Y. Ohzawa. Pulse Chemical Vapour Infiltration of SiC in Porous Carbon or SiC Particular Preform Using an R.F. Heating System. -J.Mater. Sci., vol.25, N 10, 1990, p.p. 4511-4517). Наиболее близким к заявляемому является способ получения композиционного материала путем газофазного осаждения на пористый каркас карбида кремния из газовой фазы, содержащей МТС (W.Liu, Y.Wei & J.Deng. Carbon-fiber-reinforced C-SiC Binary Matrix Composites. -Carbon, vol.33, N 4, 1995, p.p. 441-447). Однако использование МТС для газофазного осаждения приводит, в зависимости от условий, к образованию примесей из углерода и кремния, что ухудшает прочностные свойства композита. Состав, структура и скорость роста твердого продукта зависит от многих параметров: температуры, давления, общего расхода газа, соотношения "H2: CH3SiCl3: инертный газ" в реакторе, соотношения реакционной поверхности к объему и других факторов. Карбид кремния из МТС образуется в результате многостадийного химического процесса в газовой фазе с образованием ряда газообразных промежуточных соединений. Хлороводород - газообразный продукт реакции разложения метилтрихлорсилана CH3SiCl3 = SiC + 3HCl - тормозит реакцию, т.е. уменьшает скорость роста карбида кремния. Таким образом, управление процессом с большим числом параметров, определяющих состояние системы, каким является осаждение SiC из МТС, представляет значительную сложность. Оптимизация процесса с целью получения монофазного продукта - SiC - затруднена. Изменение концентрации хлороводорода и промежуточных соединений по глубине пористого пространства ухудшает однородность заполнения каркаса. Как используемый в качестве исходного реагента МТС, так и газообразные продукты реакции (НС1, побочные хлорсодержащие продукты SiHCl3, SiCl4) являются летучими агрессивными вредными веществами, что вызывает необходимость мер по утилизации непрореагировавшего исходного реагента и продуктов, защите конструкционных материалов установки. Процесс получения карбидокремниевых композиционных материалов из газовой фазы других хлорсиланов или хлорида кремния SiCl4 характеризуется теми же недостатками, что и процесс осаждения из МТС. Задачей изобретения является увеличение однородности композита по составу и физико-механическим характеристикам, обеспечение экологической чистоты, безопасности процесса, а также снижение температуры получения композитов. Поставленная задача решается тем, что в способе получения композиционного материала, включающем осаждение карбида кремния из газовой фазы на пористый каркас используют метилсилан CH3SiH3 (МС), а процесс ведут при температуре 650-800oC в присутствии инертного газа. Использование метилсилана обеспечивает экологическую чистоту процесса получения карбида кремния за счет отсутствия хлора, т.к. газообразным продуктом реакции CH3SiH3= SiC + 3H2 является водород, а также достаточную безопасность процесса, поскольку метилсилан химически стоек при комнатной температуре (не диспропорционирует при длительном хранении, как, например, полисиланы, и не самовозгорается на воздухе, как моносилан SiH4). Безопасность процесса обеспечивается также тем, что МС при осаждении разбавляется инертным газом. Разложение МС, как показывает хроматографический анализ газов, выходящих из реактора после осаждения карбида кремния из МС, сопровождается образованием водорода; возможно образование в незначительном количестве побочных углеводородных продуктов. При использовании MC рабочая температура процесса снижается до 650-800oC. Это позволяет проводить насыщение пористых каркасов, изготовленных не только из углерода или карбида кремния, но и из нетугоплавких металлов и низкотемпературной керамики. Состав продукта реакции разложения МС, как показал микроренгеноспектральный анализ, близок к стехиометрическому (атомное отношение C/Si








Формула изобретения
1. Способ получения композиционного материала, включающий осаждение из газовой фазы карбида кремния на пористый каркас, отличающийся тем, что в качестве исходного реагента используют метилсилан CH3SiH3. 2. Способ по п.1, отличающийся тем, что процесс ведут при 650 - 800oC. 3. Способ по любому из пп.1 и 2, отличающийся тем, что процесс ведут в присутствии инертного газа. 4. Способ по любому из пп.1 и 3, отличающийся тем, что процесс ведут при давлении 0,5 - 5,0 кПа.QB4A Регистрация лицензионного договора на использование изобретения
Лицензиар(ы): ОАО "Композит"
Вид лицензии*: НИЛ
Лицензиат(ы): Фрязинское отделение Института радиотехники и электроники Российской академии наук
Договор № 20587 зарегистрирован 15.12.2004
Извещение опубликовано: 20.02.2005 БИ: 05/2005
* ИЛ - исключительная лицензия НИЛ - неисключительная лицензия