Способ имплантации частиц в твердое тело
Изобретение относится к технической физике и может быть использовано в любой отрасли для улучшения электрофизических, химических и механических свойств поверхности изделий. Техническим результатом является снижение энергии иона для улучшения энергетических параметров способа и улучшения качества обрабатываемых поверхностей. В способе имплантации тяжелых атомов в твердое тело тяжелые атомы ускоряют до энергии 0,3-10 кэВ и внедряют в твердое тело при плотности потока не менее 21015 частиц/см2с.
Изобретение относится к технической физике, в частности к способу имплантаци в твердое тело.
Изобретение предназначено для улучшения электрофизических, химических и механических свойств поверхности изделий из металлов и сплавов, полупроводников, диэлектриков и т.д. и может быть использовано в любой отрасли, в которой требуется внедрение частиц в твердое тело, в том числе и упрочняющих комплексах. Известен имплантационный метод поверхностной обработки изделий, улучшающий электрофизические, химические и механические свойства поверхности изделий из металлов и сплавов, полупроводников, диэлектриков и т.д., включающий получение ускоренных частиц и их внедрение в твердое тело [1]. В известном способе плазменной ионной имплантации в плазменный объем помещается обрабатываемое изделие, на которое подается отрицательное напряжение для вытягивания ионов из плазмы [2]. Однако известный способ плазменной ионной имплантации обладает рядом недостатков. Погружение изделия в плазму приводит к появлению примеси в плазме в результате ее взаимодействия с поверхностью, доза имплантации зависит от конструкции изделия. Кроме того, затруднена плазменная ионная имплантация в диэлектрические материалы. Помимо этого вызывает особые сложности получение плазмы тяжелых ионов металлов. Известен способ ионной имплантации, который включает получение ускоренных ионов и их внедрение в твердое тело [3]. Однако известный способ ионной имплантации обладает рядом недостатков. Полученные одним из известных способов ионы ускоряют в ионно-оптической системе, при этом существует ограничение, связанное с объемным зарядом и массой ионов: I~U3/2M1/2, где U, M - энергия и масса ионов. Увеличение ионного тока за счет увеличения энергии ионов ведет к значительному росту мощности ионного потока P~U5/2, что соответственно увеличивает потребляемую мощность имплантационных установок, и кроме того приводит к перегреву поверхности твердого тела. Помимо этого, при ионной имплантации диэлектрических материалов требуется принятие специальных мер по нейтрлизации электрического заряда, накапливаемого на поверхности. Наиболее близким к заявляемому способу по совокупности признаков следует отнести другой способ имплантации, в котором тяжелые атомы ускоряют и внедряют в твердое тело в специальном объеме исследовательской установки [4]. К причинам, препятствующим достижению требуемого технического результата при использовании вышеуказанного способа, принятого за прототип, относится отсутствие в известном способе технологических приемов и режимных условий, которые обеспечили бы наиболее высокую производительность в работе и низкие затраты при реализации. Температурный режим обработки изделия определяет предельную мощность имплантируемого потока ускоренных частиц. Поэтому высокая энергия атомов 40 - 100 кэВ ограничивает плотность внедряемого потока, а следовательно, и снижает производительность. Сущность изобретения заключается в следующем. Изобретение направлено на повышение производительности и стабильности в работе, а также на улучшение качества имплантируемых потоков, а следовательно, и обрабатываемых поверхностей. Другой задачей является снижение затрат на производство, реализующее вышеуказанный способ, включая эксплуатационные расходы. В результате решения поставленных задач будет получен следующий технический результат. Энергетические параметры способа имплантации частиц в твердое тело будут существенно улучшены, а энергия ионов существенно снижена, в результате чего повысится производительность и возрастет надежность всех элементов устройства, реализующего предложенный способ. Затраты на его реализацию, в том числе и эксплуатационные, также будут существенно снижены, а качество обрабатываемых поверхностей улучшено. Указанный технический результат при осуществлении изобретения достигается тем, что в предлагаемом способе имплантации тяжелых атомов в твердое тело, включающем получение ускорения тяжелых атомов и их внедрение, тяжелые атомы ускоряют до энергии 0,3 - 10 кэВ и внедряют в твердое тело при плотности потока не менее 2


Формула изобретения

Похожие патенты:
Устройство для имплантации ионов // 2118012
Изобретение относится к устройствам получения интенсивных ионных пучков и может быть использовано в установках имплантационной металлургии для увеличения глубины ионной имплантации (ИИ)
Установка для имплантации // 2110110
Изобретение относится к радиационному материаловедению и предназначено для улучшения электрофизических, химических и механических свойств поверхности изделий из различных материалов
Магнетронная распылительная система // 2107971
Магнетронная распылительная система // 2107970
Генератор атомарного водорода // 2088056
Изобретение относится к технологии микроэлектроники, а именно к устройствам для получения химически активных частиц, а еще точнее, к генераторам атомарного водорода
Способ ионной имплантации // 2087586
Изобретение относится к способам нанесения покрытий ионной имплантацией и может быть использовано в электронной и других отраслях промышленности
Способ обработки семян растений // 2076557
Изобретение относится к сельскому хозяйству, к растениеводству и может быть использовано при обработке семян растений перед посевом
Изобретение относится к легированию поверхностей твердотельных образцов путем облучения их пучком ионов
Изобретение относится к ионно-лучевым технологиям получения материалов с заданными свойствами, а именно к способу повышения износостойкости твердосплавного режущего инструмента
Устройство для имплантации ионов // 2118012
Изобретение относится к устройствам получения интенсивных ионных пучков и может быть использовано в установках имплантационной металлургии для увеличения глубины ионной имплантации (ИИ)
Изобретение относится к способам модификации поверхности деталей из титановых сплавов путем ионного легирования с последующей термообработкой и может быть использовано при изготовлении изделий в машиностроительной, авиационной и других отраслях промышленности, которые эксплуатируются при высоких нагрузках и температурах
Изобретение относится к неметаллической поверхностной обработке деталей из сплавов титана, используемых в машиностроении, авиадвигателестроении, судостроении и т
Изобретение относится к изготовлению деталей газотурбинных двигателей, преимущественно авиационных, и может быть использовано для образования теплозащитных покрытий на деталях горячего тракта турбины
Способ формирования поверхностных сплавов // 2111281
Изобретение относится к методам модификации поверхностных слоев материалов, в частности к способам формирования поверхностных сплавов с помощью концентрированных потоков энергии (КВЭ)
Установка для имплантации // 2110110
Изобретение относится к радиационному материаловедению и предназначено для улучшения электрофизических, химических и механических свойств поверхности изделий из различных материалов
Изобретение относится к плазменным технологиям нанесения пленочных покрытий и предназначено для очистки плазменного потока дуговых ускорителей от микрокапельной фракции
Способ вакуумной ионно-плазменной обработки // 2122602