Патент ссср 212750

Авторы патента:

G03F7/039 - высокомолекулярные соединения, разлагающиеся под действием света, например позитивные электронные резисты (G03F 7/075 имеет преимущество; полихинондиазиды G03F 7/023)

И275О

Союз Соаетоииз

Социзлнстичесииз

РеопуОлиз

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 19.Х11.1966 (№ 1120366/23-4) Кл. 57Ь, 12/05

57d, 2| 01 с присоединением заявки ¹

Приоритет

Опубликовано 29.11.1968. Бюллетень № 9

Дата опубликования описания 8,V.1968

МПК G 03с

G 031

УДК 773.71:771.53 (088.8) Комитет оо делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

° ««

В. Н. Верткина, М. С. Динабург, Б. А, Порай-Кошиц, Л. С. Эфро и Т. А. Юрре

Авторы изобретения

Ленинградский технологический институт им. Ленсовета

Заявитель

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ФОТОРЕЗИСТОВ

Изобретение касается способа получения фоторезистов, применяемых в полиграфической промышленности, радиотехнике и электронике.

Известен способ получения фоторезистов на 5 основе эфиров фенолформальдегидных смол и нафтахинондиазидсульфокислот. Такие фоторезисты обладают высокой разрешающей способностью, дают резко дифференцированную границу пробельных и схемных элемен- 10 тов изображения, образуют достаточно гомогенный копировальный слой с удовлетворительной стойкостью к кислотам, но непрочный е щелочной среде.

Предложен способ получения фоторезистов 15 для рельефных позитивньгх светокопировальных слоев, которые, кроме указанных свойств, обладают способностью при непродол кительной тсрмообработке образовывать пространственные структуры. Это достигается тем, что 20 в качестве фенолформальдегидных смол применяют эпоксидированные фенолформальдегидные смолы. Светокопировальные слои, полу:генные ооычным способом на основе так:IY эфиров, после экспонирования и проявления подвергаготся термообработке при бО вЂ” 100 С, в результате которой они теряют оастворимость в щелочах. ВследOIIIIIO этого становится возможным дальнейшая химическая оорг10отка полученных изделий в щсло ной среде, что 3р особенно важно, например, при травлении алюминия. Кроме этого, главного преимущ ства, предлагаемые фоторезисты обладают повышенной адгезией к подложке, дают более гомогенные и прочные пленки.

Пример. 7,9 г 1,2-нафтохинондиазид- (2)5-сульфохлорида и 5 г эпоксидноноволачной смолы (содержание эпоксидных групп 7,8вЂ”

8,0 >0, гидроксильных групп 11,8 вЂ” 12%, т. пл.

50 вЂ” 51 С) растворяют в 100 мл диоксаня, при 40 С медленно прибавляют 10ого -ный раствор соды до слабощелочной реакции на бриллиантовую желтую и выдерживают 3 >làñ.

Затем реакционную массу разбавляк>т 100 я г воды, охлаждают, растирают осадок с водой, промывают на фильтре до нейтральной peat цип, сушат на воздухе в отсутствии светя.

Выход 8,4 г. Продукт желтого цвета, растворим в диметилформамиде, диоксане. этилцеллозо,гьве, с трудом растворяется в ацетоне и этилацетате, нерастворим в спиртах.

Предмет изобретения

Способ получения фоторезистов путем Нанссения иа подложку эфиров фенолформалг,.. дегидных смол и нафтохинондназидсульфокислот, Oтлгг>гагогцгшся тем, что, с целью получения фоторезистов, теряющих после термообрабсткн растворимость в щелочах, в качестве фснолформальдсгидных смол Itсполь"уют эпокглгдировянные фенолформальдегадные смолы.

Похожие патенты:

Позитивный фоторезист // 2100835

Изобретение относится к позитивным фоторезистам и может быть использовано в фотолитографических процессах при изготовлении интегральных схем в микроэлектронике, радиоэлектронике

Полиорганосиланы и двухслойная позитивная маска для фотолитографии на основе полиорганосилана // 2118964

Изобретение относится к двухслойным позитивным маскам, применяемым в микроэлектронике для создания приборов и интегральных схем методами субмикронных литографий, с использованием плазмохимического травления функциональных слоев, а также полиорганосиланам, обладающим фоточувствительными свойствами, для их изготовления общей формулы где R1 - этиладамантил, этил(диметиладамантил); R2 - метил, фенил; R3 - метил, фенил, циклогексил; m =2-3000 n = 2-3000; m : n = 16: (0,1-10)

Фоторезистная композиция и полимер // 2194295

Изобретение относится к радиационно-чувствительной фоторезистной композиции

Чувствительная к облучению композиция, изменяющая показатель преломления // 2281310

Изобретение относится к чувствительным к излучению композициям, изменяющим показатель преломления, позволяющим получить новую модель распределения показателя преломления, в частности оптический материал, используемый в области оптоэлектроники и устройствах отображения информации

Композиция для получения позитивного электронно- и рентгенорезиста // 2044340

Изобретение относится к позитивным электронорезистам, которые используются в электроннолучевой литографии, а также в качестве рентгенорезистов в микроэлектронике при получении структур с субмикронными размерами элементов

Способ получения негативных фоторезистов // 212752

Способ получения светочувствительных материалов // 276734

Способ получения светочувствительного материала1 // 379110

Позитивный термостойкий фоторезист // 1825425

Способ записи изображений // 2568143

Изобретение относится к области записи изображений. Способ заключается в том, что на стеклянной подложке формируют светочувствительный слой пленки из однослойных углеродных нанотрубок, содержащих инкапсулированные наночастицы железа. Поверх пленки наносят слой раствора кислоты и облучают пленку сфокусированным излучением лазера по заданной программе с целью получения нужного изображения. Запись изображения на пленке осуществляется за счет химических реакций, возникающих при лазерном нагреве между инкапсулированными в нанотрубках наночастицами железа и раствором кислоты, нанесенного поверх пленки до процедуры записи. Технический результат - упрощение способа записи изображения и снижение энергопотребления. 5 з.п. ф-лы, 2 ил.