Выводная рамка для мощных полупроводниковых приборов
Сущность изобретения: на теплоотводе выводной рамки для мощных полупроводниковых приборов выполнен выступ с контактной площадкой для кристалла. Траверсы рамки выполнены в виде зигзагообразных полос с контактными площадками для контактных проволок, которые расположены на одной линии с контактной площадкой для кристалла. Высота и ширина выступа выбраны из определенного выражения. 2 ил.
Изобретение относится к полупроводниковым приборам, а именно к конструкциям металлических выводных рамок для полупроводниковых приборов, герметизируемых пластмассой и может быть широко использовано при массовом производстве.
Известны конструкции выводных рамок с плакированной полоской металла, обеспечивающие присоединение кристалла и монтажных проводников [1] Такие выводные рамки используются для производства маломощных приборов, которые или не нуждаются в теплоотводе, или размеры теплоотвода небольшие и соизмеримы с размерами кристалла. Известны выводные рамки для производства мощных полупроводниковых приборов с теплоотводами больших размеров и отверстиями в них, на контактные площадки которых и траверсы локально наносят слой металла [2] Локальное нанесение слоя металла для присоединения кристалла и монтажных проводников технологически трудоемко и снижает качество их присоединения из-за неидентичности нанесения слоев. Кроме того, конструкции их не позволяют располагать на одной линии контактные площадки под кристалл и монтажные проводники, что является условием для наименьшего расхода плакированного металла. Известна выводная рамка, плакированная полосой металла (прототип), в которой теплоотвод выполнен в виде желоба с центральным отверстием, выступом и контактной площадкой для кристалла, а траверсы с контактными площадками для проводников выполнены на оконечных участках теплоотвода и соединены с теплоотводом через центральную траверсу (ножку) со стороны выступа [3] Конструкция данной выводной рамки не обеспечивает расположение контактной площадки под кристалл на одной линии с контактными площадками для монтажных проводников на траверсах, что ограничивает возможность уменьшения ширины полосы плакированного металла и, следовательно, его расхода. Целью изобретения является создание возможности уменьшения расхода плакированного металла. Поставленная цель достигается тем, что в известной выводной рамке, содержащей теплоотвод, выполненный в виде желоба с центральным отверстием, выступом и контактной площадкой для кристалла, и траверсы, выполненные на оконечных участках теплоотвода с площадками для контактных проводников и соединенные с тепловодом через центральную ножку со стороны выступа, контактная площадка для кристалла размещена на выступе, обрамленном оконечными участками траверса, на одной линии с контактными площадками для монтажных проводников, при этом высота А и ширина Б выступа выбраны из выражения A
Формула изобретения
Выводная рамка для мощных полупроводниковых приборов, содержащая теплоотвод, выполненный в виде желоба с центральным отверстием, выступом и контактной площадкой для кристалла, и траверсы, выполненные на оконечных участках с контактными площадками для контактных проволок и соединенные с теплоотводом через центральную ножку со стороны выступа, отличающаяся тем, что контактная площадка для кристалла размещена на выступе, обрамленном оконечными участками траверс, на одной линии с контактными площадками для контактных проволок, при этом высота A и ширина B выступа выбраны из выражения A
РИСУНКИ
Рисунок 1, Рисунок 2
Похожие патенты:
Способ изготовления выводных рамок // 2040075
Изобретение относится к электронной промышленности и может быть использовано в производстве полупроводниковых приборов и интегральных схем (ИС)
Способ изготовления корпуса микросхемы // 2034368
Мощный полупроводниковый прибор // 2010394
Силовой полупроводниковый прибор // 1820493
Изобретение относится к электротехнике , а именно к полупроводниковой преобразовательной технике, и может быть использовано в статических преобразователях электрической энергии
Микросхема // 1749954
Полупроводниковая кремниевая структура // 2110117
Интегральная схема // 2133067
Изобретение относится к электронной технике, в частности к выводным рамкам для присоединения к кристаллам полупроводниковых приборов СВЧ и КВЧ диапазонов
Изобретение относится к технологии производства полупроводниковых приборов, ИС, БИС и СБИС
Изобретение относится к электронной технике, предназначено для изготовления контактных систем к полупроводниковым приборам с мелкозалегающими р-n переходами
Изобретение относится к электротехнике, в частности предназначено для защиты электронных компонентов, в которых значительная часть не закрыта корпусом
Силовой полупроводниковый модуль // 2225660