Лента для выводных рамок полупроводниковых приборов и интегральных схем
Авторы патента:
Сущность изобретения: лента для выводной рамки полупроводниковых приборов содержит основу, выполненную из железа, никеля или сплавов на их основе, и медьсодержащий поверхностный слой, в который методом термодиффузии введен цинк в количестве 1 - 4% и/или на который плакированием нанесена полоса алюминия толщиной 1 - 9 мкм. 2 з.п. ф-лы.
Изобретение относится к электронной промышленности и может быть использовано в производстве полупроводниковых приборов и интегральных схем (ИС).
Известна выводная рамка, основа которой выполнена из металла. Рамка имеет основные части, предназначенные для присоединения кристалла и проволочных выводов, на поверхности которых непосредственно или с использованием никелевого покрытия сформирована зеркальная гальваническая пленка серебра. Над этой пленкой серебра сформирована матовая пленка гальваническая пленка серебра [1] Недостатками этого способа являются наличие слоя никеля, ухудшающего теплоэлектропроводность полупроводниковых приборов и ИС, а также необходимость дополнительного нанесения слоя серебра для качественного присоединения внутренних выводов. Этот процесс трудоемок и требует больших энергетических затрат. Известна также выводная рамка для полупроводниковых приборов и ИС, состоящая из медного сплава и медного поверхностного слоя [2] При этом в приповерхностный слой ленточной заготовки из медного сплава, содержащего не менее 0,05% одного или более элементов из ряда Fe, Si, P, Ni, проводят диффузию цинка. Концентрация цинка в приповерхностном слое должна составлять 5-30% При пайке выводов рамки при диффузии цинка в припой не образуется
Формула изобретения
1. ЛЕНТА ДЛЯ ВЫВОДНЫХ РАМОК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, содержащая металлическую основу и медьсодержащий поверхностный слой, отличающаяся тем, что медьсодержащий слой, полученный плакированием, содержит 1 4% цинка и/или на него нанесена полоса алюминия, при этом толщина полосы алюминия равна 1 9 мкм, а в качестве металла основы выбраны железо, или никель, или сплавы на их основе. 2. Лента по п.1, отличающаяся тем, что цинк в медьсодержащий слой введен путем термической диффузии, при этом толщина латунного диффузионного слоя составляет 1 5 мкм. 3. Лента по пп.1 и 2, отличающаяся тем, что алюминиевая полоса сформирована плакированием.
Похожие патенты:
Способ изготовления корпуса микросхемы // 2034368
Мощный полупроводниковый прибор // 2010394
Силовой полупроводниковый прибор // 1820493
Изобретение относится к электротехнике , а именно к полупроводниковой преобразовательной технике, и может быть использовано в статических преобразователях электрической энергии
Микросхема // 1749954
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов
Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при сборке полупроводниковых приборов Цель изобретения - повышение выхода годных Способ заключается в том, что кремниевую подложку с нанесенной алюминиевой пленкой толщиной 80-100 нм разогревают до 320°С
Полупроводниковый прибор // 1644258
Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при герметизации полупроводниковых интегральных микросхем пресс-композиций
Полупроводниковая кремниевая структура // 2110117
Интегральная схема // 2133067
Изобретение относится к электронной технике, в частности к выводным рамкам для присоединения к кристаллам полупроводниковых приборов СВЧ и КВЧ диапазонов
Изобретение относится к технологии производства полупроводниковых приборов, ИС, БИС и СБИС
Изобретение относится к электронной технике, предназначено для изготовления контактных систем к полупроводниковым приборам с мелкозалегающими р-n переходами
Изобретение относится к электротехнике, в частности предназначено для защиты электронных компонентов, в которых значительная часть не закрыта корпусом
Силовой полупроводниковый модуль // 2225660