Способ отжига стеклоизделий
Изобретение относится в промышленности строительных материалов, в частности к способам инфракрасной термообработки стеклоизделий. Способ характеризуется преимущественными возможностями в скорости процесса охлаждения, что позволяет осуществить энергозатраты, сократить производственную площадь, занимаемую устройством для его осуществления, и сократить удельную металлоемкость этого устройства. Это достигается тем, что на изделие во время охлаждения подают газовый поток при температуре газа на 340-510oC ниже температуры стеклоизделия и одновременно с этим воздействуют на изделие в течение 6-12 мин селективным инфракрасным излучением от источника с температурой 2300-3200 К с собственной максимальной спектральной плотностью 30-35 Вт/ср. мкм и с плотностью падающего инфракрасного потока 1,5-2 Вт/см2, для обеспечения 86-90% которого посылают в области объемного поглощения с = 0,8
2,8 мкм, 10-14% в области поверхностного поглощения с
= 2,8
4,8 мкм. 1 табл., 5 ил.
Изобретение относится к промышленности строительных материалов, в частности к способам инфракрасной термообработки стеклоизделий.
Известен способ отжига стекла в печи непосредственно после формирования, когда интенсификация процесса и улучшение качества изделий достигаются за счет подачи потоков газа, нагретого до температуры, превышающей температуру стекла не менее чем на 50oC. При этом производят отсос газа в конце зоны ответственного отжига. Одновременно с этим ведут охлаждение изделия, осуществляя его с помощью радиационного теплообмена стекла с зачерненными холодильниками (В.Ю.Резник. Способ отжига в лере непосредственно после формирования. А.с. N 499233, кл. C 03 B 25/04, 15.01.76). Недостатком этого способа отжига является то, что излучение при верхней температуре отжига 600oC имеет максимум интенсивности при 3,3 мкм, а при нижней температуре отжига 440oC при 4,4 мкм. Диапазон 3,3 4,4 мкм соответствует области спектра непрозрачности силикатных стекол. Поэтому при нагреве поверхности газом до 600oC внутренние слои охлаждаются очень медленно по сравнению с внешними. Этот способ годен для охлаждения с более высокого уровня температуры, при которой стекло еще является размягченным, например при 700oC, когда хотя бы 20% объемной энергии излучится. Кроме того, регистрация температурного изменения газа и стекла между радиационными холодильниками затруднена неудобством постановки датчиков системы автоматического поддержания избыточной температуры газа. Известен способ радиационного отжига, когда для ускорения его полые штучные изделия окружают воспринимающими и передающими излучение поверхностями, температура которых близка к температуре изделий и поэтому эти поверхности тормозят резкое охлаждение изделий, способствуют выравниванию температуры по объему изделий (ГДР, VEB, патент N 235638. Способ охлаждения стеклоизделий, кл. C 03 B 25/02, 14.05.86). Недостатком этого способа является возможность значительной неравномерности охлаждения изделий достаточно сложной формы, например бутылки, вазы, когда переохлаждение может привести к возникновению разрушающего напряжения. Эффективность этого способа может быть лишь в области температуры размягчения стекла, когда объемное излучение из изделия составляет значительную долю суммарного потока энергии, что может способствовать выравниванию температуры изделия по объему изделия перед самим отжигом, но в самом интервале ответственного отжига этот способ позволяет лишь незначительно по сравнению с традиционными, не радиационными способами, ускорить процесс при допустимом остаточном напряжении. Известен способ отжига стеклоизделий сложной формы, в котором повышение производительности достигают разогревом изделия в поле излучения внешнего нагревателя, выравнивая температуру по объему, а затем используют радиационный теплообмен стекла с холодильниками с сильно развитой поверхностью нитиноловых пластин и изменяемой степенью черноты. В этом случае большая поверхность холодильника играет роль ускорителя отжига, но сам внешней нагреватель в процессе отжига в этом способе отключается (Б.С.Федоров, Л.И. Волчкевич, Ю.Р.Степаньянц. Радиационная печь отжига стеклооболочек электровакуумных приборов. А.С. N 1418296, кл. C 03 B 25/02, 23.08.88, Б.И. N 31). Основным недостатком этого изобретения в достижении ускорения отжига является малая доля объемного излучения стеклоизделия большой толщины (более 1 см) по отношению к суммарному потоку энергии, отбираемому у изделия при охлаждении радиацией и конвенционно. По сравнению с первыми двумя способами в этом способе содержится два преимущества предварительное выравнивание температуры по объему с помощью радиационного нагрева, что существенно ускоряет цикл нагрева отжиг и, кроме того, используется развитая поверхность восприятия излучения, идущего с поверхности изделия. Однако и эти меры могут увеличить скорость и улучшить качество отжига незначительно по сравнению с традиционными, принимаемыми в конвективных печах. Наиболее близок к заявляемому способу по достигаемому результату способ ускорения прогрева изделия до верхней температуры отжига с помощью излучения с длиной волны 0,35-3,5 мкм с плотностью в объеме 1,3-5 Вт/см3, но далее ответственный отжиг и студку ведут традиционно (К.К.Евстропьев, В.С.Догадугина, А. А.Проникин и др. Способ отжига стеклоизделий. А.с. N 895937, кл. C 03 B 25/02, 07.01.82, Б.И. N 1). Этот способ позволяет надежно выравнить по объему температуру толстостенных (более 5 см) заготовок линз перед отжигом, что позволяет в последующих стадиях устранить напряжения, возникшие в процессе охлаждения при формировании, но в изобретении способ этих стадий не рассматривался. Основным недостатком этого способа является невозможность использования предлагаемого излечения в стадиях ответственного отжига и студки, поскольку результаты разработки условий радиационного способа в ответственном отжиге в этом изобретении, рассмотренном на примере оптических стекол, не содержится. В заявляемом способе поставлена и решена задача достижения ускорения процесса и увеличения качества отжига в стадиях ответственного отжига и студки для изделий из наиболее распространенных силикатных стекол с помощью одновременного облучения изделий кварцевыми галогенными лампами накаливания с вольфрамовой спиралью с цветовой температурой 2300-3200 К с максимумом интенсивности при 1,1 мкм и с помощью принудительной подачи на изделие потоков холодного воздуха, имеющего температуру в начале процесса ответственного отжига на 510oC, а в конце на 340oC ниже внутренней температуры изделия. Следует добавить, что лампы и изделия располагаются в камере, внутренние водоохлаждаемые стенки которой обладают высоким коэффициентом отражения в области спектра прозрачности силикатных стекол 0,8-2,8 мкм. Получение ускорения в стадии ответственного отжига штучных полых стеклоизделий по сравнению с лучшими способами в заявляемом способе осуществляется за счет создания условий для использования двух особенностей переноса энергии излучения стеклами и интервале температуры ответственного отжига (420-595oC) и в области спектра прозрачности 0,8-2,8 мкм: увеличение коэффициента поглощения с уменьшением температуры (обратная температурная зависимость поглощения) (см. кривые 1-3 фиг. 1, А), высокое пропускание в интервале 0,8: 2,5 мкм (кривые 1-3 фиг. 1,Б), данные Н.Нейрота, 1952, и Клека и др. 1959). Расчеты, выполненные с помощью точной математической модели переноса энергии излечением и теплопроводностью в рассматриваемых условиях в стенке стекла, толщиной 1 см со средней температурой, изменяемой от 350 до 850 К, показывают, что величина коэффициента радиационной теплопроводности









Формула изобретения
Способ отжига стеклоизделий, включающий нагрев их до верхней температуры отжига, выдержку при этой температуре с последующим охлаждением, отличающийся тем, что на изделие во время охлаждения подают газовый поток при температуре 15 60oС при одновременном воздействии на него селективным инфракрасным излучением от источника с температурой 2300 3200К с максимальной спектральной плотностью 30 -35 Вт/ср.мкм и с плотностью падающего инфракрасного потока 1,5 2 Вт/см2 для обеспечения 86 90 об. поглощения с
РИСУНКИ
Рисунок 1, Рисунок 2, Рисунок 3, Рисунок 4, Рисунок 5, Рисунок 6