Высокотемпературная сверхпроводящая керамика
Использование: получение высокотемпературных сверхпроводящих материалов. Сущность изобретения: высокотемпературная сверхпроводящая керамика содержит окись иттрия 16,63 - 16,80 мас.%, окись бария 45,04 - 45,51 мас.%, окись меди 35,33 - 35,69 мас.% и окись циркония 2,00 - 3,00 мас.%. 3 ил.
Изобретение относится к получению высокотемпературных сверхпроводящих материалов, используемых при изготовлении приборов на сверхпроводниках.
Известна высокотемпературная сверхпроводящая керамика, включающая ( мас. ): YO 17,15; ВаО 46,43; СuO 36,42; (см. D.W. Murphy et al. Processing tech niques for the 93 K superconductor YBa Cu O, Science, 1988. vol. 241, рр. 922-930). Она характеризуется температурой перехода (Тс) в сверхпроводящее состояние 90 93 К с шириной перехода (


Формула изобретения
Высокотемпературная сверхпроводящая керамика, содержащая окись иттрия, окись бария, окись меди и окись циркония, отличающаяся тем, что указанные компоненты она содержит при следующем соотношении, мас. YO 16,63 16,80 BaO 45,04 45,51 CuO 35,33 35,69 ZrO 2 3уРИСУНКИ
Рисунок 1, Рисунок 2, Рисунок 3
Похожие патенты:
Изобретение относится к получению керамических составов и касается получения методом порошковой технологии высокотемпературной сверхпроводящей керамики
Изобретение относится к способу изготовления текстурированных тонких сверхпроводящих пленок YBa2Cu3O7- без переходного слоя на границе с подложкой из Y2Ba2,32 Cu1,68O7 и может быть использовано к микроэлектронике
Способ изготовления изделий сложной формы из высокотемпературной сверхпроводящей керамики // 2044716
Изобретение относится к приборостроению и касается изготовления приборов с использованием сверхпроводимости, которые находят применение в криотехнике, электротехнике, электронике
Изобретение относится к способам получения сверхпроводящего материала системы Bi-Sr-Ca-Cu(Li)-0 и может быть использовано в радиоэлектронной технике и энергетике при изготовлении керамических материалов с высокой температурой перехода в сверхпроводящее состояние
Изобретение относится к технологии производства высокотемпературных сверхпроводящих материалов, а именно пленок высокотемпературных свеpхпроводников (ВТСП) на основе Bi-Sr-Ca-Cu-O, которые могут быть использованы при изготовлении приборов электронной техники
Изобретение относится к технологии производства высокотемпературной сверхпроводящей (ВТСП) керамики на основе Bi(Pb)-Sr-Ca-Cu-O и может быть использовано при изготовлении высокоплотных мишеней для напыления ВТСП пленок, а также изделий, используемых в электронике, электротехнике, энергетике
Высокотемпературный сверхпроводник // 2128383
Изобретение относится к области высокотемпературной сверхпроводимости и может быть использовано при создании перспективных линий электропередач и энергетических установок
Многослойный материал // 2131157
Изобретение относится к технической сверхпроводимости, в частности к процессам синтеза прекурсоров высокотемпературных проводников, и может быть использовано для создания сверхпроводящей керамики и изделий на ее основе, как массивных изделий, так и композиционных длинномерных проводников с керамической сердцевиной (одножильных и многожильных) в металлической оболочке
Изобретение относится к высокотемпературным сверхпроводникам
Изобретение относится к магнитометрической технике космических аппаратов (КА) и других объектов и касается устройств для экранирования магнитометров от внутренних магнитных полей объектов, где установлены магнитометры
Изобретение относится к области нанесения покрытий, в том числе сверхпроводящих, и может быть использовано в машиностроении
Изобретение относится к области нанесения покрытий и может быть использовано в машиностроении
Изобретение относится к области высокотемпературной сверхпроводимости (ВТСП) и, в частности, к способам производства высокотемпературных сверхпроводящих пленок и кабеля плазмохимическим осаждением из газовой фазы и может быть использовано в электроэнергетике, радиотехнике, электронной технике, системах связи и т
Составной комбинированный магнитный экран // 2306635
Изобретение относится к области электроники и может быть использовано в различных устройствах для экранирования объема от магнитного поля
Изобретение относится к области высокотемпературной сверхпроводимости